功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：TPS22995RZFR 编号：C17562944

封装：WQFN-6(1.3x0.9)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22995 具有可调上升时间的 5.5V、3.5A、20mΩ 导通电阻负载开关

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￥9.83
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型号：FDC6330L 编号：C112086

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该器件特别适用于需要3V至20V输入和2.3A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。这款负载开关在一个小型SuperSOTTM 6封装中集成了一个小的N沟道功率MOSFET（Q1），用于驱动一个大的P沟道功率MOSFET（Q2）。

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型号：FDC6330L-TP 编号：C5310931

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：压降：Vdrop = 0.2V（Vin = 12V，IL = 2.0A；Vin = 5V，IL = 1.8A）。 RDS(ON)：56mΩ（典型值，VGS = -12V，ID = -2.0A）；90mΩ（典型值，VGS = -5.0V，ID = -1.8A）。先进的沟槽工艺技术。可通过外部R1、R2和C1调节开关转换速率。符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。符合IEC 61249标准的绿色模塑料。应用：电池组。电池供电的便携式设备

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型号：SY6283ADRC 编号：C412142

封装：DFN-4(1.2x1.6)

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6283和SY6283A是具有超低导通电阻（RDS(ON)）的开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。

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型号：TPS22950YBHR 编号：C3230039

封装：DSBGA-6(0.7x1.1)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22950 具有可调节电流限制的 5.5V、2A、40mΩ 负载开关

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型号：TPS4H160BQPWPRQ1 编号：C471053

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS4H160-Q1 具有可调节电流限制的 40V、160mΩ、4 通道汽车类智能高侧开关

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型号：NCP45521IMNTWG-H 编号：C223558

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：VND7NV04TR-E 编号：C155605

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET

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型号：BTS7020-2EPA 编号：C534835

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7020-2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：BTS4141N 编号：C151527

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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型号：BTT6200-4ESA 编号：C534876

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6200 - 4ESA是一款200 mΩ四通道智能高端功率开关，采用PG - TSDSO - 24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

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型号：AP22653W6-7 编号：C2158037

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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型号：TPS22918TDBVRQ1 编号：C2653760

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22918-Q1 具有可调节上升时间和可调节输出放电功能的单通道、5.5V、2A、52mΩ 汽车负载开关

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￥2.73
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型号：TPS22945DCKR 编号：C47507

封装：SC-70-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS22945 使能端高电平有效、具有电流限制和消隐功能的 5.5V、0.1A、500mΩ 负载开关

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型号：SIP32431DNP3-T1GE4 编号：C727398

封装：TDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431和SiP32432是具有极低泄漏电流和静态电流的斜率控制高侧开关，并具备反向阻断能力。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4A的连续电流。它们的工作输入电压范围为1.5V至5.5V。这些器件具有低输入逻辑电平，可以与来自微处理器的低控制电压接口。SiP32431采用高电平使能控制，而SiP32432采用低电平使能控制。两种器件都具有非常低的工作电流，在3.3V电源下通常为10pA。SiP32431和SiP32432提供无铅封装选项，包括6引脚SC-70-6和4引脚TDFN 4 1.2 mm x 1.6 mm DFN4封装。工作温度范围指定为-40°C至+85°C。紧凑的封装选项、工作电压范围以及低工作电流使其非常适合电池供电应用。

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型号：ZXMS6004DN8-13 编号：C460279

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6004DN8是一款具有逻辑电平输入的双路自保护低端MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护逻辑电平功能。ZXMS6004DN8非常适合作为通用开关，由3.3V或5V微控制器驱动，适用于标准MOSFET不够耐用的恶劣环境。

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型号：BTS7200-4EPA 编号：C5359853

封装：PG-TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7200-4EPA 是一款智能高侧电源开关，提供保护功能和诊断。该设备采用了SMART7技术，适用于电阻性、电感性和电容性负载，可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适合1A负载（包括继电器）以及高浪涌电流负载，如R5W灯泡或等效电子负载（例如LED模块）。该设备属于PROFET™ +2 12V系列，具有在反向电流条件下开启的能力（InverseON）、带控制重启的绝对和动态温度限制、带智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护等功能。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下开路检测以及对地短路和电池短路检测。BTS7200-4EPA 符合汽车应用要求，并满足AEC-Q100 Grade 1标准。