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高边开关，双通道；18mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

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型号：WSTQ6160AN-L 编号：C52091974

封装：DFN-14L(6x9)

高边开关，四通道；170mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

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￥14.58 ￥16.2
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型号：WSTQ6080AN-L 编号：C52091973

封装：DFN-14L(6x9)

高边开关，四通道；75mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

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￥17.46 ￥19.4
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型号：WST6050AN-L 编号：C52091970

封装：DFN-14L(6x9)

高边开关，单通道；38mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

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型号：WSTD6050AN-F 编号：C48996621

封装：DFN-14L(9x6)

高边开关，双通道；38mΩ，DFN9*6-14L封装，AEC-Q100认证，单芯片设计

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￥12.627 ￥14.03
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型号：VN9016AJTR 编号：C19191773

封装：PowerSSO-16

单通道高端驱动器，采用专有VIPower M0-9技术制造，封装在PowerSSO-16中。该器件旨在通过3V和5V CMOS兼容接口驱动12V汽车接地负载，提供保护和诊断功能。该器件集成了先进的保护功能，如负载电流限制、通过功率限制进行过载主动管理以及带有可配置锁存关闭功能的过温关断。FaultRST引脚可在发生故障时解锁输出或禁用锁存关闭功能。专用多功能复用模拟输出引脚提供复杂的诊断功能，包括高精度比例负载电流检测、电源电压反馈和芯片温度检测，还能检测过载、接地短路、VCC短路和关断状态下的开路负载。

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型号：DIO7553ST6 编号：C2920631

封装：SOT-23-6

品牌：DIOO(帝奥微)

DIO7552/7553 是电源分配开关，适用于需要精确限流、遇到重容性负载和短路的应用场景，可提供高达 2.31A 的连续负载电流。当电压高于最大电压 5% 时，芯片可至少维持 10ms 而不损坏。通过外部电阻可在 400mA 至 2.57A（典型值）之间设置可编程的限流阈值

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型号：MS31860T 编号：C5371397

封装：ETSSOP-16

品牌：杭州瑞盟

MS31860T是一款8通道低边驱动器，包含SPI串口通信、PWM斩波器配置、过流保护、短路保护、欠压锁定和过热关断功能，芯片可以读取每个通道的状态。MS31860T可以诊断开路的负载情况，并可以读取故障信息。外部故障引脚指示芯片的故障状态。

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型号：FPF2595UCX 编号：C891251

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2595先进负载管理开关适用于需要高度集成解决方案的应用。它可断开由直流电源轨（<6V）供电的负载，满足严格的关态电流目标和高负载电容（<100μF）要求。FPF2595由一个压摆率可控的低阻抗MOSFET开关（典型值35mΩ）和集成模拟功能组成。压摆率可控的导通特性可防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压降。FPF2595具备过压保护和过温保护功能。FPF2595具有真正的反向电流阻断（TRCB）功能，可在导通和关断状态下阻止从Vout到VIN的不必要反向电流。极低的关态电流消耗（最大<2μA）有助于满足待机功耗要求。输入电压范围为2.5V至5.5VDC，可支持消费、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理等广泛应用。开关控制由一个逻辑输入（高电平有效）管理，该逻辑输入能够直接与低压控制信号/通用输入/输出（GPIO）接口，无需外部下拉电阻。该器件采用先进的、完全符合“绿色”标准的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。

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￥7.38
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型号：BTS141TCBUMA1 编号：C2680352

封装：TO-263

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。

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￥28.9751 ￥37.63
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型号：P14C3ND 编号：C7465129

封装：DFN-8L-EP(2x2)

品牌：Prisemi(芯导)

是一种过压保护（OVP）负载开关，具有可调的过压锁定（OVLO）阈值电压。当任何输入电压超过阈值时，设备将关闭内部MOSFET，以断开输入与输出的连接，从而保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调节，OVLO阈值电压范围为4.0V-9V。具有过温保护（OTP）功能，可监控芯片温度以保护设备。有DFN2x2-8L和SOT23-6L两种封装形式。

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￥0.7313
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型号：AP8022HNE-A1 编号：C2994667

封装：DIP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善功率离线式开关电源。

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￥2.05
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型号：VND14NV04-E 编号：C155647

封装：TO-252-2(DPAK)

VNB14NV04、VND14NV04、VND14NV04 - 1和VNS14NV04是采用VIPower™ M0技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈

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型号：XC8111AA018R-G 编号：C17462394

封装：XFDFN-6-EP

品牌：TOREX(特瑞仕)

XC8110/XC8111系列是可模拟理想二极管的负载开关IC，具备芯片使能（CE）、过流限制、浪涌电流限制和热关断等功能。这些IC执行调节控制，确保其VOUT引脚电压为V₁ₙ - 20mV，因此与普通二极管相比，它们能在更大程度上抑制发热。

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￥5.09
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￥4.04
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型号：VNL5160S5TR-E 编号：C2970309

封装：SOIC-8

VNL5160N3-E 和 VNL5160S5-E 是采用 VIPower 技术制造的单片器件，用于驱动一侧连接到电池的阻性或感性负载。内置的热关断功能可保护芯片免受过温和短路影响。输出电流限制功能可在过载条件下保护器件

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￥6.76
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型号：BTS141TC 编号：C534743

封装：TO-263-3

采用Smart SIPMOS芯片堆叠技术的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具备嵌入式保护功能。

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￥23.22
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￥20.05
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型号：BTS133TC 编号：C2150086

封装：TO-263

N 通道垂直功率 FET，采用智能 SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。

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￥20.23
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型号：FPF1048BUCX 编号：C479722

封装：WLCSP-6(1x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1048 高级负载管理开关针对需要高度集成解决方案的应用。它能够断开由直流电源轨（<6V）供电的负载，具有严格的关断状态电流目标和高负载电容（高达100 μF）。FPF1048 由 slew rate controlled 低阻抗 MOSFET 开关（典型值23 mΩ）和集成模拟特性组成。slew rate controlled 的开启特性可以防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压下降。FPF1048 具有真反向电流阻断 (TRCB) 功能，在 ON 和 OFF 状态下阻止从 Vout 到 VIN 的不需要的反向电流。极低的关断状态电流消耗（最大<1 μA）有助于满足待机功耗要求。输入电压范围为1.5 V至5.5 VDC，支持消费电子、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理中的广泛应用。开关控制通过逻辑输入（主动高电平）进行管理，可以直接与低压控制信号/通用输入/输出 (GPIO) 接口，无需外部下拉电阻。该器件采用先进的全“绿色”合规的1.0 mm x 1.5 mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP)，背面覆膜。

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￥3.03
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￥2.97
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￥2.92

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型号：FPF3380UCX 编号：C894838

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF3380UCX是一款集成超低导通电阻单通道开关的过压保护（OVP）器件。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在2.8 V至23 V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持5 A。当输入电压超过过压阈值时，内部FET会立即关断，以防止受保护的下游组件损坏。该器件集成了基于IEC61000 - 4 - 5标准的±110 V浪涌保护瞬态电压抑制器（TVS）。FPF3380采用小型12凸点晶圆级芯片规模封装（WLCSP），工作环境温度范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。

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￥4.65

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型号：AP22953CW12-7 编号：C5244376

封装：WLB2013-12

品牌：DIODES(美台)

AP22953器件是一款用于USB 2.0/3.0/Type-C连接器VBUS线路保护的单芯片解决方案。双向MOSFET开关可确保在充电和主机模式下电流均能正常流通，同时保护内部电路免受VBUS_CON引脚处过压情况的影响。在VBUS_CON引脚上，该器件具备高达30V的过压保护功能

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￥11.09
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￥10.72

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型号：VNP10N06-E 编号：C263000

封装：TO-220

VNP10N06是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 kHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。

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型号：VNQ810PTR-E 编号：C2680485

封装：SO-28-300mil

VNQ810P - E是一款四通道高侧驱动器（HSD），由两个VND810P - E芯片封装在同一个SO - 28封装中构成。VNQ810P - E是采用VIPower M0 - 3技术制造的单片器件，用于驱动一侧接地的各类负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响

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￥43.58

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型号：BTS500851TMBAKSA1 编号：C3232980

封装：TO-220-7

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中。提供嵌入式保护功能。

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￥60.77
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￥58.68

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型号：SY6283DRC 编号：C178243

封装：DFN-4(1.2x1.6)

品牌：Silergy(矽力杰)

是超低RDS(ON)开关，具有限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。是具有过流和过温保护的限流P沟道MOSFET电源开关。MOSFET的漏极和源极之间没有体二极管，可防止芯片禁用后电流从输出流向输入。

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￥2.69
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￥2.37
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￥1.75

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型号：BTS117TC 编号：C2150103

封装：TO-263

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。

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￥14.63
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型号：VND1NV04TR-E 编号：C2680458

封装：DPAK