功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LY5908 编号：C46613943

封装：DFN-8L-EP(2x2)

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

30V耐压/120mΩ内阻/过压可调/使能控制/NTC

5+
￥0.4592
50+
￥0.4012
150+
￥0.3722
500+
￥0.3504
3000+
￥0.333

有货

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型号：LY5906 编号：C46613942

封装：SOT-23-6

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

30V耐压/130mΩ内阻/过压可调/使能控制

5+
￥0.5369
50+
￥0.4265
150+
￥0.3713
500+
￥0.3299
3000+
￥0.2968
6000+
￥0.2802

有货

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型号：ASK831BSA 编号：C48886551

封装：SOT-23-3L

品牌：无锡众享

ASK831BSA是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。芯片内部最小Toff时间固定为32us且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。采用高压集成工艺，内部集成有500V高压MOSFET，适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路，也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制，默认5V高精度输出时最大程度降低了系统成本。此外，芯片经过内部优化，可兼容超低压输入(15Vdc以上)应用。

5+
￥0.6134
50+
￥0.4886
150+
￥0.4262
500+
￥0.3794
2500+
￥0.3419

有货

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型号：MP9989GS-Z 编号：C5776411

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP9989 是一款用于反激式转换器的快速关断智能整流器，集成了一个 100V 的 MOSFET。它可以替代二极管整流器，以提高效率和功率密度。该芯片将内部功率开关的正向压降调节至 40mV，并在漏源电压反转之前关断

1+
￥24.8233
100+
￥17.532
500+
￥14.5007
1000+
￥13.5176
3000+
￥13.3538

有货

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型号：LY5802 编号：C46613944

封装：SOT-23-6

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

30V耐压/35mΩ内阻/过压可调

10+
￥0.4247
100+
￥0.3383
300+
￥0.2951

有货

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型号：SY6288C3AAC 编号：C207612

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6288是一款具有限流功能的超低导通电阻（RDS(ON)）开关，可保护电源免受过流和短路情况的影响。SY6288是一款用于高端负载开关应用的限流P沟道MOSFET功率开关。该MOSFET的漏极和源极之间不存在寄生体二极管，因此当芯片禁用且输出端被外部强制施加高于VN的电压时，SY6288可防止电流从输出端流向输入端

数据手册

5+
￥1.3185
50+
￥1.0353
150+
￥0.914
500+
￥0.7625
3000+
￥0.6951
6000+
￥0.6546

有货

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型号：AW33905FCR 编号：C401024

封装：FCQFN-9(1.2x1.2)

品牌：AWINIC(艾为)

AW339XX 具有超低导通电阻（典型值为 30mΩ）的 nFET 负载开关。当输入电压超过过压保护（OVP）阈值时，开关会迅速关闭，以防止受保护的下游设备损坏。IN 引脚能够承受高达 32VDC 的故障电压

数据手册

5+
￥1.383
50+
￥1.0859
150+
￥0.9586

有货

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型号：BTS5016SDAAUMA1 编号：C3232339

封装：TO-252-5

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5016SDA是一款采用PG - TO252 - 5 - 11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术

1+
￥13.52
10+
￥11.94
30+
￥10.96

有货

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型号：LY5901 编号：C46613939

封装：SOT-23

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

30V耐压/240mΩ内阻/6.1V过压/1.5A过流保护

20+
￥0.1983
200+
￥0.1551
600+
￥0.1311

有货

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型号：LY5903 编号：C46613940

封装：SOT-23-6

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

30V耐压/240mΩ内阻/6.1V过压/1.5A过流保护

10+
￥0.3775
100+
￥0.3007
300+
￥0.2623

有货

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型号：LY5905 编号：C46613941

封装：SOT-23-6

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

30V耐压/160mΩ内阻/6.1V过压/2A过流保护

5+
￥0.4902
50+
￥0.3894
150+
￥0.339
500+
￥0.3012

有货

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型号：BTS500801TMAATMA1 编号：C2150048

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道高端功率开关，采用PG-TO220-7-4封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成，基于智能SIPMOS芯片堆叠技术设计。具有电流控制输入，提供带负载电流检测的诊断反馈，在过载、过温关机和/或短路关机时提供定义的故障信号。

数据手册

1+
￥26.2
10+
￥25.59
30+
￥25.18

有货

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型号：BTS500801TEAAUMA1 编号：C2150064

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS50080-1TEA是一款采用PG-TO252-5-11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。其设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术

数据手册

1+
￥39.83
10+
￥34.45
30+
￥31.17

有货

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型号：LY5800B 编号：C46613946

封装：SOT-23-6

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

30V耐压/45mΩ内阻/过压可调

10+
￥0.4011
100+
￥0.3195
300+
￥0.2787

有货

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型号：LY5801B 编号：C46613945

封装：SOT-23-6

品牌：Lingyang Micro(凌扬微)

30V耐压/35mΩ内阻/过压可调

10+
￥0.4247
100+
￥0.3383
300+
￥0.2951

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型号：BTS6142D 编号：C3232341

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS 6142D 是一款采用 PG-TO252-5-11 封装的单通道高端功率开关，具备包括 ReverSave™ 在内的嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。其设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术

1+
￥25.92
10+
￥25.34
30+
￥24.96

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型号：KP3116SGA 编号：C554033

封装：SOIC-8

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

一款高性能低成本 PWM 控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压 MOSFET 可提高系统浪涌耐受能力。与传统的 PWM 控制器不同，内部无固定时钟驱动 MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时采用了多模式 PWM 控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD 欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、输出过压保护、过热保护、过载保护和 VDD 过压保护等。

数据手册

5+
￥0.8254
50+
￥0.8049
150+
￥0.7913
500+
￥0.7777

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型号：BTS500601TEAAUMA2 编号：C3232344

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装，是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片级智能功率芯片技术，集成了P沟道垂直功率MOSFET，具备保护和诊断功能。该器件专为在严苛的汽车环境中驱动负载而设计

1+
￥30.3195
20+
￥29.087
100+
￥28.3475
200+
￥27.608
500+
￥27.115

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型号：KP15113SPA 编号：C2692452

封装：SOP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1511X 是一款高度集成的升压式 PFC 恒压功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、超低谐波失真和高效率的要求。 KP1511X 内部集成消磁信号检测技术，同时集成有高压启动供电电路和高压 MOSFET，无需辅助绕组检测消磁和供电，只需很少的外围器件，极大的简化了系统的设计和生产成本。 KP1511X 集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如：VDD 欠压保护功能 (UVLO)、逐周期电流限制 (OCP)、过热保护 (OTP)、输出过压保护 (OVP)、输出欠压保护 (UVP) 等。

数据手册

5+
￥1.2317
50+
￥1.0049
150+
￥0.9077
500+
￥0.7865
2500+
￥0.7325
4000+
￥0.7

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型号：KP12654FDP 编号：C2692382

封装：DIP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1265XF是高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、低谐波失真和高效率的性能。 KP1265XF内部集成有高压500V功率MOSFET和高压供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片通过独有的恒流控制算法，可以获得高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。

数据手册

5+
￥1.2672
50+
￥0.995
150+
￥0.8784
500+
￥0.7328
2500+
￥0.668
5000+
￥0.6291

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型号：BTF50060-1TEA 编号：C534727

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTF50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装，是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片上的智能功率芯片技术，集成P沟道垂直功率MOSFET，具备保护和诊断功能。该器件专为在恶劣的汽车环境中驱动负载而设计

数据手册

5+
￥86.133337
50+
￥75.662225
500+
￥69.66667

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型号：BTS5014SDA 编号：C534802

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5014SDA 是一款单通道高边功率开关，采用 PG-TO252-5-11 封装，提供嵌入式保护功能。该功率晶体管由带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术。BTS5014SDA 具有电流控制输入，并在过载操作、过温关断和/或短路关断情况下提供带有负载电流检测和定义故障信号的诊断反馈。特性包括：- 可扩展产品系列的一部分- 负载电流检测- Reversave - 非常低的待机电流- 电流控制输入引脚- 改进的电磁兼容性 (EMC)- 快速去磁化感应负载- 低压下的稳定行为- 绿色产品（符合 RoHS 标准）- AEC 认证工作电压范围为 5.5V 至 20V，最小过压保护为 39V。在 150°C 下的最大导通电阻为 28 mΩ。标称负载电流为 6A，最小电流限制为 55A。在 25°C 下，整个设备带负载时的最大待机电流为 6 μA。

数据手册

10+
￥7.345
100+
￥6.4975
500+
￥6.215
1000+
￥6.0455

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型号：SY6288C30AAC 编号：C7427215

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6288是一款超低导通电阻（RDS(ON)）开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。SY6288是一款用于高端负载开关应用的限流P沟道MOSFET功率开关。该MOSFET的漏极和源极之间不存在寄生体二极管，因此当芯片禁用且输出端被外部强制施加比输入电压（VIN）更高的电压时，SY6288可防止电流从输出端流向输入端