DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片

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QUAD DIFFERENTIAL COMPARATORS

型号：APX339TSG-13 编号：C5246087

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

APX393/339 是低压（2.5V 至 5.5V）双路和四路比较器。APX393 为双路版本，提供 8 引脚 SOP 和 MSOP 封装。APX339 为四路版本，提供 14 引脚 TSSOP 封装。它们旨在有效降低便携式消费产品的成本、占用空间和功耗。它们具有开漏输出，可通过上拉电阻连接到逻辑电源，并允许与各种逻辑系列接口。

1+
￥2.76
10+
￥2.46
30+
￥2.32
100+
￥2.17
500+
￥2.09
1000+
￥2.04

有货

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NPN 80V 2A

型号：FZT603TA 编号：C460086

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

双NPN,Vceo=80V,Ic=2A

数据手册

5+
￥2.7614
50+
￥2.2322
150+
￥2.0054
1000+
￥1.5148

有货

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NPN 电流:6A 电压:100V

型号：DXT2011P5-13 编号：C155259

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V，IC = 6A 高连续集电极电流。 ICM = 10A 峰值集电极电流。 PD 高达 3.2W。比 SO1223 小 43%，比 TO252 小 60%。最大高度仅 1.1mm。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。使用射极跟随器的电压调节器

数据手册

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￥2.8
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￥2.57
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￥2.46
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￥2.35
500+
￥2.28
1000+
￥2.25

有货

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单向TVS 85V截止峰值浪涌电流：11.4A

型号：SMCJ85A-13-F 编号：C135204

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=94.4V VC=137V IPP=10.4A 单向

数据手册

1+
￥2.85
10+
￥2.32
30+
￥2.1
100+
￥1.82
500+
￥1.69
1000+
￥1.62

有货

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NPN 电流:1A 电压:40V

型号：FZT491ATA 编号：C5157734

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。连续高电流：IC = 1A。峰值脉冲电流：ICM = 2A。低饱和电压：VCESAT < 500mV @ 1A。互补PNP型。无铅涂层，符合RoHS标准。应用：功率MOSFET栅极驱动。低损耗功率开关

数据手册

1+
￥2.85
10+
￥2.31
30+
￥2.07
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￥1.78
500+
￥1.59

有货

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单向TVS 48V截止峰值浪涌电流：19.4A

型号：SMCJ48A-13-F 编号：C135172

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

VBR=53.3V VC=77.4V IPP=19.4A 单向

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.33
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￥2.09
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￥1.79
500+
￥1.66
1000+
￥1.58

有货

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5V 50mA 25V

型号：ZMR500FTA 编号：C154745

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZMR 系列三端固定正电压稳压器具备内部限流功能，在热过载情况下会自动关闭，使器件不易损坏。该电路设计具有极低的静态电流，2.5V 器件仅为 30μA，非常适合低功耗应用。该系列的首批器件可将电压稳定在 2.5V 或 5V，驱动能力高达 50mA

数据手册

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￥3
10+
￥2.33
30+
￥2.04
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￥1.67
500+
￥1.51
1000+
￥1.42

有货

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PNP 电压:40V

型号：ZXTP25040DZTA 编号：C780923

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-3.5A，高连续电流。低饱和电压 VCE(sat) <-90mV @-1A。 Rsat = 55mΩ，低等效导通电阻。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：MOSFET和IGBT栅极驱动。 DC-DC转换器

数据手册

1+
￥3.09
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￥2.49
30+
￥2.24
100+
￥1.93
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￥1.78

有货

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带+65V反向电压保护的汽车级理想二极管控制器

型号：AP74700QW6-7 编号：C5381661

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器，当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时，它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围，可控制多种常见的直流母线电压，如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求

数据手册

1+
￥3.23
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￥2.58
30+
￥2.25
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￥1.93
500+
￥1.74
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￥1.64

有货

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PNP 电流:150mA 电压:500V

型号：FZT560TA 编号：C264100

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-500V。高连续电流：IC =-150mA。峰值脉冲电流：ICM =-500mA。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥3.2824
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￥2.6473
150+
￥2.3752

有货

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耐压:600V 电流:5A 反向恢复时间：15ns

型号：UF5JD1-13 编号：C526775

封装：TO-252-2

品牌：DIODES(美台)

该器件适用于各种开关电源及其他功率不连续导通模式（DCM）和连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）应用中，作为续流和钳位二极管。它特别适用于开关模式电源（SMPS）、家用电器、办公设备和电信应用。

数据手册

1+
￥3.36
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￥3.04
30+
￥2.88
100+
￥2.72
500+
￥2.62
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￥2.57

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:4.4A

型号：ZXMP6A17KTC 编号：C461146

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 $(R_{DS}(on))$，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

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￥3.4
10+
￥2.76
30+
￥2.43
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￥2.11
500+
￥1.92
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￥1.82

有货

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汽车级瞬态电压抑制器

型号：SMCJ26CAQ-13-F 编号：C6228981

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

设计用于保护敏感电子电路免受感应开关产生的电力线瞬变影响，适用于广泛的汽车应用。提供14V至36V的反向关断电压选择，有单向和双向器件可供选择，能够在10/1000μs脉冲瞬变下分别耗散高达400W（SMA）、600W（SMB）和3000W（SMC）的功率。所有器件均符合汽车负载突降标准ISO7637-2（脉冲1、2a、2b、3）和ESD标准ISO10605。

1+
￥3.44
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￥2.8
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￥2.47
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￥2.15
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￥1.96
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￥1.86

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：DMT6010LFG-7 编号：C461113

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.46
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￥2.74
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￥2.43
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￥2.05
500+
￥1.88
1000+
￥1.77

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:98A

型号：DMT10H010LPS-13 编号：C530905

封装：PowerDI-5060-8

品牌：DIODES(美台)

新一代 N 沟道增强型 MOSFET 旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电池电源管理和负载开关。

数据手册

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￥3.47
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￥2.92
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￥2.58
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￥2.23
500+
￥2.07
1000+
￥2

有货

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耐压:60V 电流:4.3A

型号：ZXMP6A17GQTA 编号：C461144

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能，这使其成为高效电源管理应用的理想之选。

数据手册

1+
￥3.59
10+
￥2.89
30+
￥2.6
100+
￥2.23
500+
￥2.06

有货

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并联 50ppm/℃

型号：ZRC330F02TA 编号：C211412

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZRC330采用带隙电路设计，实现了3.3伏的精密微功耗电压基准。该器件采用小外形表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用。 ZRC330的设计无需外部电容即可提供稳定的电压，并且在容性负载下也能保持稳定。建议ZRC330在20μA至5mA的电流范围内工作，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大电流25mA的情况下，仍能保持出色的性能。此外，其坚固的设计和20伏处理能力使该基准能够承受高达200mA的瞬态电流和影响。卓越的开关能力使器件仅需几微秒即可达到稳定的工作状态。

数据手册

1+
￥3.5959 ￥4.67
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￥2.8475 ￥4.25
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￥2.3028 ￥4.04
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￥2.1831 ￥3.83
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￥2.1147 ￥3.71
1000+
￥2.0748 ￥3.64

有货

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并联 50ppm/℃

型号：ZRC330F03TA 编号：C460619

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZRC330采用带隙电路设计，实现了3.3伏的精密微功耗电压基准。该器件采用小外形表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用。 ZRC330的设计无需外部电容即可提供稳定的电压，并且在容性负载下也能保持稳定。建议ZRC330在20μA至5mA的电流范围内工作，因此非常适合低功耗和电池供电的应用。在绝对最大电流25mA的情况下，仍能保持出色的性能。此外，其坚固的设计和20伏处理能力使该基准能够承受高达200mA的瞬态电流和影响。卓越的开关能力使器件仅需几微秒即可达到稳定的工作状态。

数据手册

1+
￥3.6
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￥2.87
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￥2.5
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￥2.14
500+
￥1.92
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￥1.81

有货

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NPN 电流:5A 电压:25V

型号：FZT1049ATA 编号：C73835

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 25V。连续集电极电流高：IC = 5A。峰值脉冲电流：ICM = 20A。低饱和电压：VCE(sat) < 70mV @ 1A。低等效导通电阻：RCE(sat) = 50mΩ。 hFE指定高达20A，实现高增益保持。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

1+
￥3.67
10+
￥3
30+
￥2.66
100+
￥2.32

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:64.8A

型号：DMTH4008LPSQ-13 编号：C5221856

封装：PowerDI-5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC - Q101认证，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持，非常适合用于以下场景：无刷直流电机控制、直流 - 直流转换器、负载开关

数据手册

1+
￥3.69
10+
￥3.32
30+
￥3.13
100+
￥2.95
500+
￥2.84
1000+
￥2.78

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:7.6A

型号：DMTH6016LSD-13 编号：C397954

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)) 并保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.82
10+
￥3.02
30+
￥2.68
100+
￥2.25
500+
￥2.02
1000+
￥1.9

有货

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NPN 电流:4A 电压:50V

型号：ZXT13N50DE6TA 编号：C443662

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC > 50V。连续集电极电流 IC = 4A。峰值脉冲电流 ICM = 10A。低等效导通电阻，RCE(SAT) = 36mΩ。低饱和电压（1A 时最大 100mV）。 hEE 特性可达 10A。应用：DC-DC 转换器。电源管理功能

数据手册

1+
￥4.04
10+
￥3.22
30+
￥2.87
100+
￥2.44
500+
￥2.24
1000+
￥2.13

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型号：ZTL431AQE5TA 编号：C7525127

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZTL431AQ、ZTL431BQ、ZTL432AQ和ZTL432BQ是三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性和高达100mA的输出电流处理能力。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为2.5V至20V之间的任意选定电压。 ZTL432AQ、ZTL432BQ的电气规格与ZTL431AQ、ZTL431BQ相同，但在SOT23（F后缀）封装中的引脚排列不同。 ZTL431AQ、ZTL431BQ、ZTL432AQ和ZTL432BQ有两个等级可供选择，A等级和B等级的初始公差分别为1%和0.5%。除最大工作电压外，这些器件在功能上与TL431/TL432等效，标准环境温度范围为 -40°C至 +125°C。

1+
￥4.09
10+
￥3.72
30+
￥3.52
100+
￥3.29
500+
￥3.19
1000+
￥3.15

有货

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15W Stereo Class D with NCPL and SSM

型号：PAM8106TVR 编号：C5246117

封装：QFN-32(5x5)

品牌：DIODES(美台)

PAM8106是一款采用扩频调制的10W/声道立体声D类音频放大器，具备高质量、低总谐波失真加噪声（THD+N）、低电磁干扰（EMI）和高电源抑制比（PSRR）的特点。PAM8106的供电电压范围为4.5V至15V，效率高达92%，无需散热片。通过扩频调制（SSM）技术进行先进的电磁干扰抑制，PAM8106的音频输出仅需使用低成本的铁氧体磁珠滤波器，同时满足电磁兼容性（EMC）要求，从而降低了整个系统的成本。PAM8106集成了无削波功率限制（NCPL）技术，可调整增益，消除因输入信号电平过高导致的输出信号削波问题。此外，PAM8106还具有低总谐波失真加噪声（THD+N）的特性，可保护扬声器免受损坏。PAM8106具备全面的故障保护功能，包括短路保护、热关断、欠压保护和直流输入保护。PAM8106采用W-QFN5050-32（标准）封装。

1+
￥4.14
10+
￥3.73
30+
￥3.5
100+
￥3.25
500+
￥3.14
1000+
￥3.08

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低功耗高压侧电流监测器

型号：ZXCT1110QW5-7 编号：C2653843

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZxCT1107Q/09Q/10Q产品是高侧单极电流检测监视器。这些设备无需破坏接地平面即可检测负载电流。宽共模输入电压范围和低静态电流，加上SOT23和SOT25封装，使其适用于各种汽车应用。该设备由线路供电，因此不需要单独的电源轨。静态电流仅为3μA，从而最大限度地减少电流检测误差。一个外部增益设置电阻通过允许宽增益范围来提高多功能性。ZxCT1107Q/09Q/10Q设备已通过AEC-Q100 Grade 1认证，并符合汽车标准，支持PPAP。

数据手册

1+
￥4.38
10+
￥3.51
30+
￥3.08
100+
￥2.65
500+
￥2.4
1000+
￥2.27

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:35A

型号：DMP4015SK3Q-13 编号：C461089

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了 AEC-Q101 认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：DC-DC 转换器。

数据手册

1+
￥4.71
10+
￥3.92
30+
￥3.52
100+
￥3.13
500+
￥2.9

有货

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中功率高增益晶体管 PNP 电流:500mA 电压:200V

型号：FZT796ATA 编号：C526633

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -200V。 BVCBO > -200V。 IC = -500mA 连续电流。 hFE > 250，高增益 @ -0.3A。极低的 VCE(sat)。互补 NPN 型。应用：电池供电电路

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥3.91
30+
￥3.48
100+
￥3.06

有货

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Low jitter 1 to 4 Crystal/ LVCMOS to LVPECL fanout buffer

型号：PI6C48535-11BLIEX 编号：C5245998

封装：TSSOP-20

品牌：DIODES(美台)

是高性能低抖动和低偏斜的LVPECL扇出缓冲器，具有可选的单端时钟或晶体输入，并转换为四个LVPECL输出。CLK输入接受LVCMOS或LVTTL信号。输出在CLK_EN引脚异步断言/去断言期间与输入时钟同步。适用于晶体或LVCMOS/LVTTL到LVPECL的转换。典型的时钟转换和分配应用包括数据通信和电信。

1+
￥4.94
10+
￥4.26
30+
￥3.83
100+
￥3.4
500+
￥3.2
1000+
￥3.12

有货

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N沟道耐压:40V 电流:7A

型号：ZXMN4A06GTA 编号：C155253

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥5.05
10+
￥4.22
30+
￥3.8
100+
￥3.39
500+
￥2.95

有货

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2个N沟道+2个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：ZXMHC3F381N8TC 编号：C87356

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥，具有低栅极驱动下可实现低导通电阻的特点。

数据手册

1+
￥5.51
10+
￥4.69
30+
￥4.29
100+
￥3.88
500+
￥3.64

有货

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