DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SBR3U40S1FQ-7 编号：C4360673

封装：SOD-123F

品牌：DIODES(美台)

是一款采用SOD123F封装的单整流器，具有极低的正向压降 (VF) 和高温下较低的反向泄漏稳定性。

5+
￥1.5709
50+
￥1.2746
150+
￥1.1476
500+
￥0.9891

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型号：MJD32CQ-13 编号：C3033175

封装：TO-252-2

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

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￥1.6072 ￥2.87
10+
￥1.4112 ￥2.52
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￥1.3272 ￥2.37
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￥1.2264 ￥2.19
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￥1.176 ￥2.1
1000+
￥1.148 ￥2.05

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型号：AP7312-1233FM-7 编号：C460370

封装：DFN2018-6

品牌：DIODES(美台)

AP7312是一款输出电流为150mA的双路固定输出电压低压差线性稳压器。AP7312包含了调整管、误差放大器、带隙基准、限流和热关断电路，这些电路可在故障条件下保护IC不受损坏。AP7312有两个使能引脚（EN1和EN2），当施加逻辑高电平时，可分别独立开启相应通道

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1+
￥1.6093 ￥2.09
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￥1.2328 ￥1.84
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￥0.9918 ￥1.74
100+
￥0.912 ￥1.6
500+
￥0.8778 ￥1.54
1000+
￥0.8607 ￥1.51

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型号：AP7361C-33SP-13 编号：C4943338

封装：ESOP-8

品牌：DIODES(美台)

是一款 1A、可调且固定输出电压的超低压差线性稳压器，带有使能功能。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当 EN 引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流特性使其适用于中低功率应用，例如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为 60μA。内置电流限制和热关断功能可防止 IC 在故障条件下损坏。提供 U-DFN3030-8 (Type E)、SOT89-5、SOT223、TO252 (DPAK) 和 SO-8EP 封装。

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5+
￥1.6535
50+
￥1.4652
150+
￥1.3845
500+
￥1.23
2500+
￥1.1851

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型号：DXTN5840CFDB-7 编号：C5245596

封装：DFN-3(2x2)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 hFE指定高达3A以保持高电流增益。低轮廓0.6mm高封装，适用于薄型应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-DC转换器。充电电路

5+
￥1.663
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￥1.4637
150+
￥1.3783
500+
￥1.2717

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型号：ULN2003V12T16-13 编号：C2759903

封装：TSSOP-16

品牌：DIODES(美台)

多通道灌电流驱动器分别由7通道和4通道输出级组成。7通道灌电流驱动器具有7个低输出阻抗驱动器，可最大程度降低片上功耗，是实际应用中流行的ULN2003A系列的低功耗升级版。当驱动典型的12V继电器线圈时，与ULN2003A相比，功耗降低12倍。4通道灌电流驱动器是一种低功耗变体，得益于较少的通道集成，更适合仅需要4通道驱动器的应用，如驱动低压步进电机等

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5+
￥1.6957
50+
￥1.3321
150+
￥1.1763
500+
￥0.9818
2500+
￥0.8953

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型号：DFLS140LQ-7 编号：C526561

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作：极性保护二极管、再循环二极管、开关二极管

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5+
￥1.7544
50+
￥1.3974
150+
￥1.2444
500+
￥1.0535

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型号：PDS540-13 编号：C110513

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。低正向压降。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高正向浪涌电流能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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5+
￥1.7669
50+
￥1.4066
150+
￥1.2521

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型号：FMMT720QTA 编号：C177045

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

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5+
￥1.7763
50+
￥1.5839
150+
￥1.5014
500+
￥1.3985

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型号：SMBJ14CA-13-F 编号：C135044

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=15.6V VC=23.2V IPP=25.8A 双向

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5+
￥1.7795
50+
￥1.4382
150+
￥1.2919
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￥1.1094

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型号：ZXMP4A57E6QTA 编号：C397973

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。

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单价：
￥1.85 / 个

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型号：DMG3415UFY4Q-7 编号：C5124975

封装：X2-DFN2015-3

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。

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5+
￥1.8713
50+
￥1.494
150+
￥1.3322
500+
￥1.1305

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型号：LM4040D25FTA 编号：C107244

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

基准电压：2.5V ±1%

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5+
￥1.9017
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￥1.4742
150+
￥1.2909
500+
￥1.0623

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型号：ZXMP6A17E6QTA 编号：C460126

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-60V,-3A,125mΩ@-10V

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1+
￥1.96
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￥1.39
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￥1.1
100+
￥0.82
500+
￥0.65
1000+
￥0.56

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型号：LM4041DFTA 编号：C151008

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4041是一款带隙电路，旨在实现1.225V的精密微功耗电压基准。该器件提供小外形SOT23和SC70 - 5表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用。这两种封装均提供适用于精密应用的0.5% C级和1% D级产品。在60μA至12mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，因此能保持出色的稳定性。该器件在可调输出和1.225V输出两种变体中，均提供与LM4041电压基准引脚兼容的替代方案。

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5+
￥1.9739
50+
￥1.5435
150+
￥1.3591
500+
￥1.129

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型号：PI3C3126QEX 编号：C255578

封装：QSOP-16-150mil

品牌：DIODES(美台)

Pericom Semiconductor 的 PI3C3126 是一款 2.5 伏或 3.3 伏、4 位高带宽总线开关，设计有四个独立的 5 欧姆总线开关，并具有快速独立使能功能，采用行业标准 74XX125/126 引脚布局。当通过相关的总线使能引脚启用时，“A”引脚将直接连接到该特定门的“B”引脚。总线开关不会引入额外的传播延迟或额外的地弹噪声。PI3C3126 具有高电平有效使能。它在切换高带宽（>400 MHz）信号时非常有用。

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1+
￥2.0054 ￥2.71
10+
￥1.7908 ￥2.42
30+
￥1.702 ￥2.3
100+
￥1.5836 ￥2.14
500+
￥1.5096 ￥2.04
1000+
￥1.48 ￥2

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型号：DMN3135LVT-7 编号：C155326

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。

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5+
￥2.0134
50+
￥1.6447
150+
￥1.4867
500+
￥1.2895

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型号：ZXTN4004KTC 编号：C157603

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 hFE > 100（IC = 150mA，VCE = 0.25V）。 IC(cont) = 1A。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件。符合AEC-Q101高可靠性标准。应用：LED电视背光

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5+
￥2.0777
50+
￥1.6972
150+
￥1.5341
500+
￥1.3306

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型号：ULN2003V12S16-13 编号：C148113

封装：SOIC-16

品牌：DIODES(美台)

多通道灌电流驱动器分别由7通道和4通道输出级组成。7通道灌电流驱动器具有7个低输出阻抗驱动器，可最大程度降低片上功耗，是实际应用中流行的ULN2003A系列的低功耗升级版。当驱动典型的12V继电器线圈时，与ULN2003A相比，功耗降低12倍。4通道灌电流驱动器是一种低功耗变体，得益于较少的通道集成，更适合仅需要4通道驱动器的应用，如驱动低压步进电机等

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5+
￥2.0782
50+
￥1.6347
150+
￥1.4446
500+
￥1.2075

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型号：DMP3015LSSQ-13 编号：C780840

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

1+
￥2.106 ￥3.9
10+
￥1.5664 ￥3.56
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￥1.1492 ￥3.38
100+
￥1.0914 ￥3.21
500+
￥1.0574 ￥3.11
1000+
￥1.0404 ￥3.06

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型号：AP2192AMPG-13 编号：C507872

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

DIODES AP2182A和DIODES AP2192A是双通道、限流、集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入有两种极性可选。这些器件具有快速短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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