可调式电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：CM5415-SOPTA 编号：C20606820

封装：SOP-8

5V，3ppm基准 CM5415是一款精密基准源，它在7.2V~40V的宽电源电压范围内，提供几乎不受输入电压变化的5V输出，且可支持双向高达10mA的负载电流。 CM5415采用专利电路设计，保证了优异的噪声性能以及极低的温度漂移，是任何高精度应用中电压基准的理想选择。 CM5415可提供SOP8型封装，其工作温度范围最大为 -40°C~125°C。

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￥22.17
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￥18.95
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￥17.04
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￥13.81

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型号：ADR3525WBRMZ-R7 编号：C659507

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR3525W、ADR3530W、ADR3533W、ADR3540W 和 ADR3550W 是低成本、低功耗、高精度的 CMOS 电压基准源，其最大温度系数（TC）为 5 ppm/°C（B 级）、8 ppm/°C（A 级），工作电流低，采用 8 引脚 MSOP 封装，输出噪声低。为实现高精度，在最终组装过程中使用专有 DigiTrim 技术对输出电压和温度系数进行数字微调。低输出电压滞后和低长期输出电压漂移可提高系统的长期精度

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￥44.65
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￥42.82

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型号：LT1009S8#PBF 编号：C579595

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1009是一款经过精密微调的2.5V并联稳压二极管，最大初始容差仅为±5mV。低动态阻抗和宽工作电流范围增强了其通用性。通过片上微调可实现0.2%的基准容差，这不仅能将初始电压容差降至最低，还能减小温度漂移

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￥49.72
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型号：LT6654BHS6-3#WTRMPBF 编号：C3680732

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

是一系列小型精密电压基准源，提供高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。工作电压高达36V，工作温度范围为 -55℃至125℃。缓冲输出可确保±10mA的输出驱动能力，具有低输出阻抗和精确的负载调节能力。这些特性使其非常适合便携式设备、工业传感和控制以及汽车应用

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￥56.05
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￥53.96

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型号：LTC6652AHMS8-3#PBF 编号：C689394

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6652系列精密、低漂移、低噪声基准源在-40°C至125°C的温度范围内进行了全面的性能指标测试。高阶曲率补偿使这些基准源能够实现低于5ppm/°C的低漂移，具备可预测的温度特性，输出电压精度达到±0.05%。这种出色的温度性能适用于汽车、高性能工业及其他高温应用场景

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￥65.36

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型号：LTC6652AHMS8-1.25#PBF 编号：C580992

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6652系列精密、低漂移、低噪声基准源在-40°C至125°C的温度范围内进行了全面的性能指标测试。高阶曲率补偿使这些基准源能够实现低于5ppm/°C的低漂移，具备可预测的温度特性，输出电压精度达到±0.05%。这种出色的温度性能适用于汽车、高性能工业及其他高温应用场景

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￥69.7
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￥67.26

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型号：LT1634BIS8-2.5#PBF 编号：C664459

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1634是一款微功耗、精密并联电压基准源。该带隙基准源采用微调的精密薄膜电阻，可实现0.05%的初始电压精度。改进的曲率校正技术可确保最大温度漂移为10ppm/°C

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￥75.99
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￥73.02

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型号：LT6657BHMS8-3#PBF 编号：C673453

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT6657是一款精密电压基准源，它将稳健的工作特性与极低的漂移和噪声相结合。通过先进的曲率补偿，这款带隙基准源的漂移低至1.5ppm/°C，温度特性可预测，初始电压精度达0.1%。它还具备0.5ppmₚ₋ₚ的噪声和极低的温度循环滞后

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￥77.68
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￥75.1

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型号：LTC6652AHMS8-1.25#TRPBF 编号：C689390

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

精密、低漂移、低噪声基准源在 -40°C 至 125°C 的温度范围内完全符合规格要求。高阶曲率补偿使这些基准源能够实现低于 5ppm/°C 的低漂移，并具有可预测的温度特性和 ±0.05% 的输出电压精度。其在温度范围内的性能适用于汽车、高性能工业和其他高温应用。电压基准源可由高达 13.2V 的电源电压供电

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￥115.23
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型号：LT1019IS8-2.5#PBF 编号：C661531

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1019是一款第三代带隙电压基准源，采用了薄膜技术和大幅改进的曲率校正技术。晶圆级的基准电压和输出电压微调相结合，可实现极低的温度系数（TC）和严格的初始输出电压容差。LT1019能够吸入和输出高达10mA的电流，可在串联或并联模式下使用，无需外部元件即可使基准源在正或负输出电压下工作

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￥150.2
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￥144.59

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型号：LM385B-1.2 编号：C7463707

封装：TO-92

品牌：HTC

LM385系列是微功耗带隙电压基准二极管。 LM385 - 1.2/2.5是两端带隙电压基准二极管，工作电流范围为15μA至20mA。LM385 - ADJ是三端可调带隙电压基准二极管，工作电压范围为1.24V至5.3V，工作电流范围为13μA至20mA。它们具有极低的动态阻抗和良好的温度稳定性。片上微调用于提供严格的电压容差。LM385带隙基准源具有低噪声和良好的长期稳定性。 LM385经过精心设计，使其能够耐受容性负载，几乎可轻松用于任何基准应用。较宽的动态工作范围使其能够在变化较大的电源下使用，且稳压性能出色。 LM385极低的功耗使其适用于微功耗电路。该电压基准可用于制作便携式仪表、稳压器或通用模拟电路，电池寿命接近存放寿命。此外，较宽的工作电流范围使其能够用容差更严格的部件替代旧的基准源。 LM385的额定工作温度范围为 - 40°C至85°C。LM385提供TO - 92和SOP - 8封装。

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￥1.8
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￥1.76
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￥1.74

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型号：LM385D-2.5G 编号：C152292

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下都能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差

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￥4.54
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￥3.65
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￥3.21

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型号：LM4041DYM3-1.2-TR 编号：C625117

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

适用于对空间要求严苛的应用，采用超小型SOT-23表面贴装封装。有固定反向击穿电压2.500V、4.096V和5.000V可选，也有固定1.225V或可调反向击穿电压可选。最小工作电流范围从60μA到74μA，LM4040版本最大工作电流为15mA，LM4041版本最大工作电流为12mA。具有带隙参考温度漂移曲率校正和低动态阻抗，可确保在宽工作温度和电流范围内实现稳定的反向击穿电压精度。

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￥5.57
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￥4.6
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￥4.11

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型号：LM385BD-1.2R2G 编号：C7952

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差。较大的动态工作范围使这些器件能在电源变化范围大的应用中实现出色的稳压效果。极低的工作电流使这些器件非常适合用于微功耗电路，如便携式仪器、稳压器和其他需要延长电池寿命的模拟电路。 LM285/LM385系列采用低成本TO - 226塑料封装，有1.235 V和2.500 V两种电压版本，由器件后缀表示。LM285的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C，而LM385的额定温度范围为0°C至 + 70°C。 LM385也有1.235 V和2.500 V电压的表面贴装塑料封装。

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￥12.06
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￥10.26
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￥9.28

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型号：MAX6061BEUR+T 编号：C2157023

封装：SOT-23-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是精密、低压差、微功耗电压基准。这些三端器件提供1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V和5V的输出电压选项。它们采用专有的曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，可实现极低的20ppm/°C（最大值）温度系数和±0.2%（最大值）的初始精度。规格适用于-40°C至+85°C的扩展温度范围

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￥40.91
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￥39.99
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￥39.38

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型号：MAX6241BESA+ 编号：C1575313

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6225/MAX6241/MAX6250是低噪声、高精度电压基准源，具有极低的1ppm/°C温度系数和出色的±0.02%初始精度。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标在高达15mA的源电流和灌电流条件下得到保证

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￥41.46
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￥40.53
30+
￥39.9

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型号：MAX6068AEUR+T 编号：C2157156

封装：SOT-23

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是精密、低压差、微功耗电压基准。这些三端器件提供1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V和5V的输出电压选项。它们采用专有的曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，可实现极低的20ppm/°C（最大值）温度系数和±0.2%（最大值）的初始精度。规格适用于-40°C至+85°C的扩展温度范围

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￥70.6
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￥68.2

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型号：MAX6241BCSA+ 编号：C1575286

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6225/MAX6241/MAX6250是低噪声、高精度电压基准源，具有极低的1ppm/°C温度系数和出色的±0.02%初始精度。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标在高达15mA的源电流和灌电流条件下得到保证

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￥74.82
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￥64.35
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￥57.97

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型号：MAX6143BASA50+ 编号：C1575417

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是一款低噪声、高精度电压基准器件。该器件具有专有的温度系数曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，可实现极低的3ppm/°C温度系数和出色的±0.06%初始精度。提供一个TEMP输出，其输出电压与芯片温度成正比，适用于各种温度传感应用。还提供一个TRIM输入，允许通过电阻分压器网络对输出电压进行微调

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单价：
￥92.46 / 个

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型号：MAX6241ACSA+ 编号：C1575337

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6225/MAX6241/MAX6250是低噪声、高精度电压基准源，具有极低的1ppm/°C温度系数和出色的±0.02%初始精度。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标在高达15mA的源电流和灌电流条件下得到保证

单价：
￥128.73 / 个

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型号：ZR431LF02TA 编号：C155296

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

ZR431L是一款三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性，输出电流处理能力高达25mA。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为1.24V至10V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，该器件可替代齐纳二极管。 ZR431L特别适用于开关模式电源的反馈控制回路。在此应用中，该器件的1.24V基准电压可实现低压电源的生成，通常为3.3V或3V。

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￥2.15
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￥2.1
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￥2.07

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型号：ZXRE125EFTA 编号：C445502

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXRE125是一款带隙电路，旨在实现1.22伏的精密微功耗电压基准。该器件采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对节省空间要求较高的应用。对于精密应用，SOT23封装的容差可达0.5%。在8μA至20mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，因此能保持出色的稳定性。该器件可引脚对引脚兼容替代ZRA124和ZRA125系列电压基准。

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1+
￥3.84
10+
￥3.76
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￥3.7

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型号：LM385Z-2.5G 编号：C513141

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差。较大的动态工作范围使这些器件能够在电源变化范围较大的应用中实现出色的稳压效果。极低的工作电流使这些器件非常适合用于微功耗电路，如便携式仪器、稳压器和其他需要延长电池寿命的模拟电路。 LM285/LM385系列采用低成本TO - 226塑料封装，有1.235 V和2.500 V两种电压版本，由器件后缀表示。LM285的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C，而LM385的额定温度范围为0°C至 + 70°C。 LM385也有1.235 V和2.500 V电压的表面贴装塑料封装版本。

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￥5.44
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￥4.44
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￥3.94

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型号：MAX6065AEUR+T 编号：C2682670

封装：SOT-23-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是精密、低压差、微功耗电压基准。这些三端器件提供1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V和5V的输出电压选项。它们采用专有的曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，可实现极低的20ppm/°C（最大值）温度系数和±0.2%（最大值）的初始精度。规格适用于-40°C至+85°C的扩展温度范围

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￥7.42
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￥7.25
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￥7.14

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型号：X60003DIG3Z-50T1 编号：C2157559

封装：SOT-23

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

X60003 FGA™ 电压基准源是一款采用英特矽尔（Intersil）专有浮栅模拟（Floating Gate Analog）技术制造的高精度模拟电压基准源。与传统的带隙、埋入式齐纳或 X(FET)rm 技术相比，该技术可实现更卓越的性能水平。FGA™ 电压基准源具有极高的初始精度、极低的温度系数、出色的长期稳定性、低噪声以及优异的线性和负载调整率，且功耗为目前同类产品中最低

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