5v基准电压芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ADR4550BRZ-R7 编号：C404005

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度5.0V基准电压源

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￥62.46
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￥53.06
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型号：ADR4550ARZ-R7 编号：C404004

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度5.0V基准电压源

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型号：ADR4550BRZ 编号：C579307

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热致输出电压迟滞和低长期输出电压漂移也提高了时间和温度变化下的系统精度。

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型号：GM7400ARZ-5-R7 编号：C22439310

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7400ARZ-5-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 3ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.04% 的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。

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型号：ADR395BUJZ-REEL7 编号：C579293

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)

ADR391/ADR392/ADR395分别为精密的2.5 V、4.096 V和5 V带隙电压基准源，具有低功耗、高精度且占位面积小的特点。采用专利温度漂移曲率校正技术，ADR39x系列基准源在TSOT封装中可实现低至9 ppm/°C的温度漂移。ADR39x系列微功耗、低压差电压基准源在比输出电压高300 mV的最小电源电压下即可提供稳定的输出电压

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型号：GM7400BRZ-5-R7 编号：C41433518

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7400BRZ-5-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 8ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.1% 的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。

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￥17.2
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型号：LM336Z-2.5 编号：C2987278

封装：TO-92

品牌：HGSEMI(华冠)

是精密2.5V稳压二极管。这些电压基准单片IC的工作原理类似于2.5V齐纳二极管，具有低温漂系数和0.2Ω的动态阻抗。第三个引脚可调节基准电压和温度系数。

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型号：ADR425ARMZ-REEL7 编号：C659537

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。

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型号：REF195GRUZ 编号：C691029

封装：TSSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

REF19x 系列精密带隙电压基准源采用专利温度漂移曲率校正电路，并对高稳定性薄膜电阻进行激光微调，以实现极低的温度系数和较高的初始精度。REF19x 系列由微功耗、低压差电压（LDV）器件组成，可在仅比输出电压高 100mV 的电源下提供稳定的输出电压，且电源电流消耗小于 45μA。在睡眠模式下（通过向 SLEEP 引脚施加低电平 TTL 或 CMOS 电平来启用），输出关闭，电源电流进一步降低至小于 15μA

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￥36.56
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型号：ADR02BRZ 编号：C579275

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR01、ADR02、ADR03 和 ADR06 分别为精密的 10.0 V、5.0 V、2.5 V 和 3.0 V 带隙电压基准源，具有高精度、高稳定性和低功耗的特点。这些器件采用小型 5 引脚 SC70 和 TSOT 封装，以及 4 引脚 SOIC 封装。

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型号：ADR433ARZ 编号：C659552

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一组采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性被降至最低。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800μA），所需的电源电压裕量也更低（2V）

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型号：AD586KRZ 编号：C650286

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

AD586代表了先进的单片电压基准源的重大进步。AD586采用专有的离子注入掩埋齐纳二极管，并对高稳定性薄膜电阻进行激光晶圆微调，以低成本提供了卓越的性能。与大多数其他5V基准源相比，AD586的性能要高得多

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型号：ADR4550CRZ 编号：C3679836

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550 器件是高精度、低功耗、低噪声的电压基准源，B、C 和 D 级的最大初始误差为±0.02%，具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列电压基准源采用创新的核心拓扑结构，在实现高精度的同时，还具备业界领先的温度稳定性和噪声性能。这些器件的热致输出电压滞后效应小、长期输出电压漂移低，可在温度变化和长时间使用的情况下提高系统精度