可调式电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

是一种低成本、两端（并联）精密带隙基准源。它为 60 μA 至 10 mA 的输入电流提供精确的 1.250 V 输出。芯片上组件的精确匹配和热跟踪使其具有卓越的精度和稳定性。采用了专有的曲率校正设计技术，以最大限度地减少电压输出温度特性中的非线性。可与任何电容负载稳定配合使用。低最小工作电流使其非常适合用于电池供电的 3 V 或 5 V 系统。宽工作电流范围意味着它极其通用，适用于各种大电流应用。有 A 和 B 两个等级，均采用 SOT-23 封装，两个等级均在-40°C 至 + 85°C 的工业温度范围内指定。

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型号：RS5045XK 编号：C19269225

封装：SOIC-8

RS50XX 系列是低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸入电流，也能输出电流，且具有出色的电源调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 2mA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（3 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：MAX6350ESA+T 编号：C443674

封装：SOIC-8

MAX6325/MAX6341/MAX6350是低噪声、高精度电压基准源，典型温度系数极低，仅为0.5ppm/°C，初始精度极佳，可达±0.02%。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标保证在最高15mA的源电流和灌电流条件下有效

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型号：MAX6126AASA50+T 编号：C2157518

封装：SOIC-8

这是一款超低噪声、高精度、低压差电压基准源。其具有曲率校正电路和高稳定性、激光微调的薄膜电阻，可实现3ppm/℃（最大值）的温度系数和±0.02%（最大值）的初始精度。其专有低噪声基准架构产生1.3μVₚ₋ₚ的低闪烁噪声，宽带噪声低至60nV/Hz（2.048V输出），且无需像通常低噪声基准源那样增加电源电流。通过在降噪引脚添加0.1μF电容，可将宽带噪声改善至35nV/Hz，并提高交流电源抑制能力

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型号：LT1009S8#TRPBF 编号：C661494

封装：SO-8

LT1009是一款经过精密微调的2.5V并联稳压二极管，最大初始容差仅为±5mV。低动态阻抗和宽工作电流范围增强了其通用性。通过片上微调可实现0.2%的基准容差，这不仅能将初始电压容差降至最低，还能减小温度漂移

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型号：LT1019CN8-5#PBF 编号：C661971

封装：PDIP-8

LT1019是一款第三代带隙电压基准源，采用了薄膜技术和大幅改进的曲率校正技术。晶圆级的基准电压和输出电压微调相结合，可实现极低的温度系数（TC）和严格的初始输出电压容差。LT1019能够吸入和输出高达10mA的电流，可在串联或并联模式下使用，无需外部元件即可使基准源在正或负输出电压下工作

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￥67.4244 / 个

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型号：LT6657AHMS8-2.5#PBF 编号：C673441

封装：MSOP-8

LT6657是一款精密基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现1.5ppm/°C的漂移和可预知的温度特性，以及0.1%的初始电压准确度。它还提供了0.5ppmₚ₋ₚ的噪声和非常低的温度循环迟滞。

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型号：LT1004CS8-1.2#TRPBF 编号：C661482

封装：SOIC-8

LT1004微功耗电压基准源是一款两端口带隙基准二极管，旨在以极低的工作电流提供高精度和出色的温度特性。通过对该器件设计、制造和测试过程中的关键参数进行优化，其精度指标达到了以往只有经过筛选的器件才能实现的水平。LT1004可与LM185/LM385系列基准源引脚兼容，且精度指标有所提升

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￥24.2892 / 个

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型号：LT1004CS8-1.2#PBF 编号：C661481

封装：SOIC-8

LT1004微功耗电压基准源是一款两端口带隙基准二极管，旨在以极低的工作电流提供高精度和出色的温度特性。通过对该器件设计、制造和测试过程中的关键参数进行优化，其精度指标达到了以往只有经过筛选的器件才能实现的水平。LT1004可与LM185/LM385系列基准源引脚兼容，且精度指标有所提升

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型号：LT1634BIS8-4.096#PBF 编号：C664461

封装：SO-8

LT1634是一款微功耗、精密并联电压基准源。该带隙基准源采用微调的精密薄膜电阻，可实现0.05%的初始电压精度。改进的曲率校正技术可确保最大温度漂移为10ppm/°C

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型号：LTC6655CHMS8-3#PBF 编号：C689443

封装：MSOP-8

是一个精密带隙电压基准系列，具有出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，该产品在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格测试，确保适用于严苛的汽车和工业应用。先进的曲率补偿使带隙基准能够实现低于 2ppm/°C 的漂移，具有可预测的温度特性，输出电压精度达到 ±0.025%，减少或消除了校准的需求

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型号：ZR431FTA 编号：C441835

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

ZR431是一款三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性，输出电流处理能力高达100mA。通过选择两个外部分压电阻，可将输出电压设置为2.5V至20V之间的任意选定电压。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，该器件可替代齐纳二极管

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型号：MAX6126AASA21+ 编号：C1575306

封装：SOIC-8

MAX6126是一款超低噪声、高精度的低压差电压基准源。该系列电压基准源采用了曲率校正电路和高稳定性、激光微调的薄膜电阻，可实现3ppm/°C（最大值）的温度系数和出色的±0.02%（最大值）初始精度。其专有的低噪声基准架构可产生1.3μVₚ₋ₚ的低闪烁噪声，以及低至60nV/√Hz（2.048V输出）的宽带噪声，且不会像常见的低噪声基准源那样增加电源电流

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型号：LM385B-ADJ 编号：C7463708

封装：TO-92

品牌：HTC

LM385系列是微功耗带隙电压基准二极管。 LM385 - 1.2/2.5是两端带隙电压基准二极管，工作电流范围为15μA至20mA。LM385 - ADJ是三端可调带隙电压基准二极管，工作电压范围为1.24V至5.3V，工作电流范围为13μA至20mA。它们具有极低的动态阻抗和良好的温度稳定性。片上微调用于提供严格的电压容差。LM385带隙基准源具有低噪声和良好的长期稳定性。 LM385经过精心设计，使其能够耐受容性负载，几乎可轻松用于任何基准应用。较宽的动态工作范围使其能够在变化较大的电源下使用，且稳压性能出色。 LM385极低的功耗使其适用于微功耗电路。该电压基准可用于制作便携式仪表、稳压器或通用模拟电路，电池寿命接近存放寿命。此外，较宽的工作电流范围使其能够用容差更严格的部件替代旧的基准源。 LM385的额定工作温度范围为 - 40°C至85°C。LM385提供TO - 92和SOP - 8封装。

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型号：RS3112-4.096XSF3-Q1 编号：C42459570

封装：SOT-23

RS3112-Q1 是一系列低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸收电流，也能提供电流，并且具有出色的线性调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 150μA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（20 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：RS3112-1.25XK 编号：C19269214

封装：SOP-8

RS3112 是一系列低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸收电流，也能提供电流，并且具有出色的线性调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 150μA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（20 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：LM4040CYM3-2.5 编号：C3679831

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

适用于对空间要求严格的应用，采用超小型 (3mm×1.3mm) SOT-23 表面贴装封装。有 2.500V、4.096V 和 5.000V 的固定反向击穿电压版本，也有 1.225V 的固定版本或可调反向击穿电压版本。最小工作电流范围为 LM4041-1.2 的 60μA 到 LM4040-5.0 的 74μA，LM4040 版本的最大工作电流为 15mA，LM4041 版本的最大工作电流为 12mA。具有带隙参考温度漂移曲率校正和低动态阻抗，可确保在较宽的工作温度和电流范围内实现稳定的反向击穿电压精度。

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型号：LM285D-1.2R2G 编号：C7930

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差。较大的动态工作范围使这些器件能在电源变化范围大的应用中实现出色的稳压效果。极低的工作电流使这些器件非常适合用于微功耗电路，如便携式仪器、稳压器和其他需要延长电池寿命的模拟电路。 LM285/LM385系列采用低成本TO - 226塑料封装，有1.235 V和2.500 V两种电压版本，由器件后缀表示。LM285的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C，而LM385的额定温度范围为0°C至 + 70°C。 LM385也有1.235 V和2.500 V电压的表面贴装塑料封装。

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型号：RS5033XK 编号：C19269223

封装：SOIC-8

RS50XX 系列是低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸入电流，也能输出电流，且具有出色的电源调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 2mA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（3 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：RS5020XK 编号：C19269220

封装：SOIC-8

RS50XX 系列是低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸入电流，也能输出电流，且具有出色的电源调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 2mA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（3 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：AD587KRZ 编号：C207733

封装：SOIC-8

使用专有的离子注入掩埋齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻的激光晶圆微调技术，以低成本提供出色的性能。比大多数其他10V基准源具有更高的性能。采用行业标准引脚排列，可立即升级许多系统。掩埋齐纳基准设计比带隙电压基准具有更低的噪声和漂移

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型号：LT1004IS8-1.2#PBF 编号：C661483

封装：SOIC-8

LT1004微功耗电压基准源是一款两端口带隙基准二极管，旨在以极低的工作电流提供高精度和出色的温度特性。通过对该器件设计、制造和测试过程中的关键参数进行优化，其精度指标达到了以往只有经过筛选的器件才能实现的水平。LT1004可与LM185/LM385系列基准源引脚兼容，且精度指标有所提升

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￥46.0944 / 个

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型号：LT6657AHMS8-3#PBF 编号：C673443

封装：MSOP-8

LT6657是一款精密电压基准源，它将稳健的工作特性与极低的漂移和噪声相结合。通过先进的曲率补偿，这款带隙基准源的漂移低至1.5ppm/°C，温度特性可预测，初始电压精度达0.1%。它还具备0.5ppmₚ₋ₚ的噪声和极低的温度循环滞后

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型号：ADR4540CRZ 编号：C659589

封装：SOIC-8

高精度、低功耗、低噪声基准电压源，具有 ±0.02% 的 B、C 和 D 级最大初始误差、出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列基准电压源采用创新的内核拓扑结构，可实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。这些器件的低热致输出电压迟滞和低长期输出电压漂移也提高了系统随时间和温度变化的精度。

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型号：AD584KNZ 编号：C650276

封装：PDIP-8

AD584是一款8引脚精密电压基准源，可通过引脚编程选择四种常用输出电压：10.000 V、7.500 V、5.000 V和2.500 V。通过添加外部电阻，还可获得高于、低于或介于这四种标准输出之间的其他输出电压。输入电压可在4.5 V至30 V之间变化。采用激光晶圆微调（LWT）技术来调整引脚可编程输出电平及温度系数，使其成为单片形式下最灵活的高精度电压基准源。除可编程输出电压外，AD584还设有独特的选通引脚，可开启或关闭该器件。当AD584用作电源基准时，可通过单个低功率信号关闭电源。关闭状态下，AD584的电流消耗降至约100 μA。开启状态下，包括输出缓冲放大器在内，总电源电流通常为750 μA。建议将AD584用作需要外部精密基准源的8位、10位或12位数模转换器（DAC）的基准源。此外，该器件非常适合精度高达14位的模数转换器（ADC），无论是逐次逼近型还是积分型设计，总体而言，其性能优于标准内置基准源。AD584J和AD584K的工作温度范围为0℃至+70℃，AD584S和AD584T的工作温度范围为 -55℃至+125℃。所有等级产品均采用密封的8引脚TO - 99金属罐封装，AD584J和AD584K也提供8引脚PDIP封装。

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￥220
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型号：ZXRE250BSA-7 编号：C460634

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXRE250和ZXRE252是三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性，输出电流处理能力高达100mA。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为2.5V至36V之间的任意选定电压。 ZXRE250的电气规格与行业标准“431”相同，但其调节所需的最小阴极电流极低。典型值为40μA，使该器件非常适合低功耗应用。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，该器件可替代齐纳二极管。ZXRE250/2有两个等级可供选择，A和B级的初始公差分别为1%和0.5%。

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型号：LM4040DYM3-2.5-TR 编号：C145748

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

LM4040和LM4041精密电压基准源非常适合对空间要求严苛的应用，采用超小型SOT - 23表面贴装封装。 LM4040提供2.500V、4.096V和5.000V的固定反向击穿电压。LM4041提供1.225V的固定反向击穿电压或可调反向击穿电压。最小工作电流范围为：LM4041 - 1.2为60μA，LM4040 - 5.0为74μA。LM4040版本的最大工作电流为15mA，LM4041版本的最大工作电流为12mA。 LM4040和LM4041具备带隙基准温度漂移曲率校正和低动态阻抗特性，可确保在较宽的工作温度和电流范围内实现稳定的反向击穿电压精度。

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￥6.758441
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￥5.519394
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型号：LM4040C41QFTA 编号：C5246092

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

是一系列带隙电路，旨在实现 2.5V、3.0V、3.3V、4.096V 和 5.0V 的精密微功耗电压基准。器件有 0.2% B 级、0.5% C 级和 1% D 级的初始容差。器件采用小外形 SOT23 表面贴装封装，非常适合空间有限的应用。在 30μA 至 15mA 的工作电流范围内保持出色的性能，典型温度系数仅为 20ppm/°C。该器件设计为对电容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。该器件为汽车应用中的行业标准 LM4040 电压基准提供了引脚对引脚兼容的替代方案。

单价：
￥1.961455 / 个

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型号：MAX6106EUR+T 编号：C2156528

封装：SOT-23-3