可调式电压基准芯片_厂家_价格_品牌_库存

RS34XX-Q1 是一系列低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸收电流，也能提供电流，并且具有出色的线性调整率和负载调整率。采用专有设计技术，在静态电流为 150μA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（10 ppm/°C）和高精度（0.05%）

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型号：RS3112-3.0XK 编号：C5372521

封装：SOP-8

RS3112 是一系列低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸收电流，也能提供电流，并且具有出色的线性调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 150μA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（20 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：ADR1581BRTZ-REEL7 编号：C659479

封装：SOT-23-3

是一种低成本、两端（并联）精密带隙基准源。它为 60 μA 至 10 mA 的输入电流提供精确的 1.250 V 输出。芯片上组件的精确匹配和热跟踪使其具有卓越的精度和稳定性。采用了专有的曲率校正设计技术，以最大限度地减少电压输出温度特性中的非线性。可与任何电容负载稳定配合使用。低最小工作电流使其非常适合用于电池供电的 3 V 或 5 V 系统。宽工作电流范围意味着它极其通用，适用于各种大电流应用。有 A 和 B 两个等级，均采用 SOT-23 封装，两个等级均在-40°C 至 + 85°C 的工业温度范围内指定。

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型号：RS5030XK 编号：C19269222

封装：SOIC-8

RS50XX 系列是低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸入电流，也能输出电流，且具有出色的电源调整率和负载调整率。通过采用专有设计技术，在静态电流为 2mA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（3 ppm/°C）和高精度（0.1%）

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型号：GM7401BRZ-2.048-R7 编号：C41433522

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7401 是一款精密基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 3ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及 ±0.04% 的初始电压准确度。它还提供了 10μVₚ₋ₚ 的噪声和非常低的温度循环迟滞。

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型号：ADR392AUJZ-REEL7 编号：C659524

封装：TSOT-23-5

ADR391/ADR392/ADR395分别为精密的2.5 V、4.096 V和5 V带隙电压基准源，具有低功耗、高精度且占位面积小的特点。采用专利温度漂移曲率校正技术，ADR39x系列基准源在TSOT封装中可实现低至9 ppm/°C的温度漂移。ADR39x系列微功耗、低压差电压基准源在比输出电压高300 mV的最小电源电压下即可提供稳定的输出电压

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型号：LT6654AHS6-3.3#TRMPBF 编号：C580254

封装：TSOT-23-6L

是一系列小型精密电压基准源，提供高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。工作电压高达36V，工作温度范围为 -55℃至125℃。缓冲输出可确保±10mA的输出驱动能力，具有低输出阻抗和精确的负载调节能力。这些特性使其非常适合便携式设备、工业传感和控制以及汽车应用

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型号：LT6654AHS6-1.25#TRMPBF 编号：C580251

封装：TSOT-23-6L

是一系列小型精密电压基准源，提供高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。工作电压高达36V，工作温度范围为 -55℃至125℃。缓冲输出可确保±10mA的输出驱动能力，具有低输出阻抗和精确的负载调节能力。这些特性使其非常适合便携式设备、工业传感和控制以及汽车应用

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型号：ADR420ARZ-REEL7 编号：C659527

封装：SOIC-8

ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管（XFET）电压基准源，采用 SOIC 和 MSOP 封装，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比，XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞

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型号：LT1019IN8-2.5#PBF 编号：C661973

封装：PDIP-8

LT1019是一款第三代带隙电压基准源，采用了薄膜技术和大幅改进的曲率校正技术。晶圆级的基准电压和输出电压微调相结合，可实现极低的温度系数（TC）和严格的初始输出电压容差。LT1019能够吸入和输出高达10mA的电流，可在串联或并联模式下使用，无需外部元件即可使基准源在正或负输出电压下工作

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型号：TLV431AE5TA 编号：C445018

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

TLV431是一款三端可调并联稳压器，具有出色的温度稳定性，可处理高达20mA的输出电流。通过选择两个外部分压电阻，输出电压可设置为1.24V至18V之间的任意选定值。在许多需要改善齐纳二极管性能的应用中，TLV431可用作齐纳二极管的替代品

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型号：RS3413XH6-Q1 编号：C42459591

封装：SOT-23-6

RS34XX-Q1 是一系列低噪声、低漂移、超高精度的电压基准源。这些基准源既能吸收电流，也能提供电流，并且具有出色的线性调整率和负载调整率。采用专有设计技术，在静态电流为 150μA（典型值）的情况下，可实现出色的温度漂移（10 ppm/°C）和高精度（0.05%）

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型号：MAX6103EUR+T 编号：C143534

封装：SOT-23

MAX6100 - MAX6107是低成本、低压差（LDO）、微功耗电压基准源。这些三端基准源提供1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V和5V的输出电压选项。它们采用了专有的曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，可实现75ppm/°C（最大值）的低温漂系数和±0.4%（最大值）的初始精度

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型号：GM7400BRZ-2.5-R7 编号：C22461369

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7400BRZ-2.5-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 10ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.04%的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。

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型号：CM5415-SOPTA 编号：C20606820

封装：SOP-8

品牌：CIMO(士模微)

5V，3ppm基准 CM5415是一款精密基准源，它在7.2V~40V的宽电源电压范围内，提供几乎不受输入电压变化的5V输出，且可支持双向高达10mA的负载电流。 CM5415采用专利电路设计，保证了优异的噪声性能以及极低的温度漂移，是任何高精度应用中电压基准的理想选择。 CM5415可提供SOP8型封装，其工作温度范围最大为 -40°C~125°C。

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型号：ADR421ARM 编号：C3679985

封装：MSOP-8

ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管（XFET）电压基准源，采用 SOIC 和 MSOP 封装，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比，XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞

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型号：MAX6126AASA50+T 编号：C2157518

封装：SOIC-8

这是一款超低噪声、高精度、低压差电压基准源。其具有曲率校正电路和高稳定性、激光微调的薄膜电阻，可实现3ppm/℃（最大值）的温度系数和±0.02%（最大值）的初始精度。其专有低噪声基准架构产生1.3μVₚ₋ₚ的低闪烁噪声，宽带噪声低至60nV/Hz（2.048V输出），且无需像通常低噪声基准源那样增加电源电流。通过在降噪引脚添加0.1μF电容，可将宽带噪声改善至35nV/Hz，并提高交流电源抑制能力

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型号：LT1004CZ-1.2#PBF 编号：C661098

封装：TO-92

LT1004微功耗电压基准源是一款两端口带隙基准二极管，旨在以极低的工作电流提供高精度和出色的温度特性。通过对该器件设计、制造和测试过程中的关键参数进行优化，其精度指标达到了以往只有经过筛选的器件才能实现的水平。LT1004可与LM185/LM385系列基准源引脚兼容，且精度指标有所提升

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型号：LT1461CCS8-3.3#PBF 编号：C663890

封装：SO-8

LT1461 是一系列低压差微功耗带隙基准源，它将极高的精度和低漂移特性与低电源电流和高输出驱动能力相结合。这些系列基准源采用先进的曲率补偿技术来实现低温度系数，并使用经过微调的精密薄膜电阻以达到高输出精度。LT1461 系列仅消耗 35µA 的电源电流，使其非常适合低功耗和便携式应用；然而，其高达 50mA 的输出驱动能力使其也适用于更高功率需求的应用，如精密稳压器。在低功耗应用中，低于 300mV 的压差可确保电池使用寿命达到最长，同时保持基准源的完整性能。线性调整率几乎无法测量，出色的负载和热调整率不会显著增加系统误差预算。关断功能可用于切换满载电流，也可用于系统电源关闭。热关断功能可保护器件免受过载情况的影响。LT1461 提供 2.5V、3V、3.3V、4.096V 和 5V 可选输出电压。

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型号：ADR3533WBRMZ-R7 编号：C659511

封装：MSOP-8

ADR3525W、ADR3530W、ADR3533W、ADR3540W 和 ADR3550W 是低成本、低功耗、高精度的 CMOS 电压基准源，其最大温度系数（TC）为 5 ppm/°C（B 级）、8 ppm/°C（A 级），工作电流低，采用 8 引脚 MSOP 封装，输出噪声低。为实现高精度，在最终组装过程中使用专有 DigiTrim 技术对输出电压和温度系数进行数字微调。低输出电压滞后和低长期输出电压漂移可提高系统的长期精度

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型号：LT1009S8#TRPBF 编号：C661494

封装：SO-8

LT1009是一款经过精密微调的2.5V并联稳压二极管，最大初始容差仅为±5mV。低动态阻抗和宽工作电流范围增强了其通用性。通过片上微调可实现0.2%的基准容差，这不仅能将初始电压容差降至最低，还能减小温度漂移

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型号：LT6654BHS6-5#TRMPBF 编号：C580260

封装：TSOT-23-6L

是一系列小型精密电压基准源，提供高精度、低噪声、低漂移、低压差和低功耗。工作电压高达36V，工作温度范围为 -55℃至125℃。缓冲输出可确保±10mA的输出驱动能力，具有低输出阻抗和精确的负载调节能力。这些特性使其非常适合便携式设备、工业传感和控制以及汽车应用

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型号：MAX6164AESA+ 编号：C3680885

封装：SOIC-8

MAX6161–MAX6168是精密、低压差、微功耗电压基准源。这些三端器件的输入电压范围为(VOUT + 200mV)至12.6V，输出电压可选1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V和5V。它们采用了专有的曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，因此具有极低的温度系数（最大5ppm/°C）和初始精度（最大±2mV）。这些规格适用于扩展温度范围（-40°C至+85°C）。 MAX6161–MAX6168通常仅消耗100μA的电源电流，能够提供5mA（MAX6161为4mA）的源电流或吸收2mA的负载电流。与传统的并联模式（两端）基准源不同，传统基准源会浪费电源电流且需要外部电阻，而这些器件的电源电流几乎不受电源电压变化的影响，并且不需要外部电阻。此外，这些内部补偿器件不需要外部补偿电容。在对空间要求苛刻的应用中，省去外部补偿电容可节省宝贵的电路板空间。低压差电压和与电源无关的超低电源电流使这些器件非常适合电池供电的高性能低压系统。 MAX6161–MAX6168采用8引脚SO封装。

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型号：MAX6241BCSA+ 编号：C1575286

封装：SOIC-8

MAX6225/MAX6241/MAX6250是低噪声、高精度电压基准源，具有极低的1ppm/°C温度系数和出色的±0.02%初始精度。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标在高达15mA的源电流和灌电流条件下得到保证

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型号：MAX6126B21+ 编号：C1575486

封装：MSOP-8