3v基准电压芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ADR4525ARZ-R7 编号：C403698

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度2.5V基准电压源

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￥33.31
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￥29.58
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￥25.88
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￥23.58

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型号：ADR4525BRZ-R7 编号：C403914

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度2.5V基准电压源

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￥49.51
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￥44
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￥37.08

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型号：ADR4530ARZ-R7 编号：C404001

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度3.0V基准电压源

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￥44.78
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￥35.45
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￥32.49

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型号：ADR4525BRZ 编号：C395112

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度2.5V基准电压源

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￥58.72
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￥51.1
30+
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型号：ADR441BRZ-REEL7 编号：C57082

封装：SOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR44x系列是XFET系列基准电压源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。由于采用温度漂移曲线校正和XFET(外加离子注入结型场效应管)专利技术，ADR44x电压随温度变化非线性度得以大大降低。 XFET基准电压源的噪声性能优于掩埋齐纳二极管基准电压源，且所需的电源电压裕量较小(0.5V)。

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￥42.37
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型号：ADR3430ARJZ-R7 编号：C138535

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

ADR3412/ADR3420/ADR3425/ADR3430/ADR3433/ADR3440/ADR3450均为低成本、低功耗、高精度CMOS基准电压源，具有 ±0.1% 的初始精度、低工作电流和低输出噪声特性，采用SOT-23小型封装。为实现高精度，在最终组装阶段，对输出电压和温度系数进行了数字调整。低输出电压温度迟滞特性和低长期输出电压漂移进一步提高了这些器件的稳定性和系统可靠性。

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￥17.94
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型号：LM4040AIM3-3.0+T 编号：C143326

封装：SOT-23

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

LM4040是一款精密的两端并联模式带隙电压基准源，提供2.048V、2.500V、3.000V、3.3V、4.096V和5.000V的固定反向击穿电压。LM4040非常适合对空间要求严苛的应用，采用超小型3引脚SC70表面贴装封装（1.8mm × 1.8mm），比采用SOT23表面贴装封装的同类器件小50%（也提供SOT23版本）。激光微调电阻确保了精确的初始精度

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￥8.92
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￥7.45
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￥6.64
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型号：AD780BRZ 编号：C1575300

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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1+
￥145.34
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￥138.31
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￥113.41
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￥102.78

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型号：AD780BRZ-REEL7 编号：C459887

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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1+
￥114.69
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￥109.11
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￥95.35
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型号：ADR4525ARZ 编号：C579306

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550器件均为高精度、低功耗、低噪声基准电压源，最大初始误差为±0.02%，并具有出色的温度稳定性和低输出噪声。该系列基准电压源使用创新的内核拓扑结构来实现高精度，同时提供业界领先的温度稳定性和噪声性能。器件的低热致输出电压迟滞和低长期输出电压漂移也提高了时间和温度变化下的系统精度。

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￥38.04
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￥32.93
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型号：ADR440ARMZ-REEL7 编号：C659565

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、2.048V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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￥35.94
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￥34.53
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￥32.19
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￥31.46

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型号：ADR363BUJZ-REEL7 编号：C659517

封装：TSOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)

低功耗、低噪声基准电压源，具有吸电流和源电流能力，3.0 V输出VOUT

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￥36.57
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型号：GM7400ARZ-3-R7 编号：C22461370

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7400BRZ-3-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 10ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.04%的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。

1+
￥26.17
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￥22.04
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￥19.58
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型号：AD780ANZ 编号：C1575343

封装：PDIP-8

品牌：ADI(亚德诺)

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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￥50.66
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￥43.79
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￥36.84
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￥33.34

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型号：AD780BRZ-REEL 编号：C403863

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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￥129.03
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￥123.05
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￥109.37

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型号：GM7400BRZ-3-R7 编号：C41433520

封装：SO-8

品牌：GONGMOSEMI(共模半导体)

GM7400BRZ-3-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源，该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿，该带隙基准电压源可实现 10ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性，以及±0.1% 的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。

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￥17.2
10+
￥14.34
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￥12.54
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型号：REF191GSZ-REEL 编号：C691019

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

REF19x 系列精密带隙电压基准源采用专利温度漂移曲率校正电路，并对高稳定性薄膜电阻进行激光微调，以实现极低的温度系数和较高的初始精度。REF19x 系列由微功耗、低压差电压（LDV）器件组成，可在仅比输出电压高 100mV 的电源下提供稳定的输出电压，且电源电流消耗小于 45μA。在睡眠模式下（通过向 SLEEP 引脚施加低电平 TTL 或 CMOS 电平来启用），输出关闭，电源电流进一步降低至小于 15μA

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1+
￥25.53
10+
￥24.91
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￥24.5

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型号：ADR440ARMZ 编号：C579302

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一系列 XFET 电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。采用温度漂移曲率校正和额外植入结 FET (XFET) 技术，大大减小了电压随温度的非线性变化。比埋入式齐纳基准源具有更好的噪声性能，并且在低电源电压裕量 (500 mV) 下工作。能够提供高达 10 mA 的输出电流和吸收高达 -5 mA 的电流，还带有一个微调端子，可在 0.5% 的范围内调节输出电压而不影响性能。

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￥45.44
10+
￥39.44
30+
￥33.19

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型号：ADR4530BRZ 编号：C208042

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、高精度3.0V基准电压源

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￥71.89
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￥69.54

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型号：ADR433ARZ 编号：C659552

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一组采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性被降至最低。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800μA），所需的电源电压裕量也更低（2V）

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