安森美电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LM317MBTG 编号：C480708

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

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型号：LM1117MPX-25NOPB 编号：C2902257

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是一种低压差电压调节器，在800mA负载电流下压差为1.2V。有可调版本，仅需两个外部电阻即可将输出电压设置为1.25至13.8V。此外，还有五种固定电压可选，分别为1.8V、2.5V、3.3V和5V。提供限流和热关断功能，其电路经过微调，可确保输出电压精度在±1%以内。

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型号：MC33275D-3.3R2G 编号：C179578

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是微功率低压差稳压器，有多种输出电压和封装形式，如SOT-223、SOP-8、DPAK和DFN 4x4表面贴装封装。这些器件静态电流非常低，能够提供高达300 mA的输出电流。输出端存在短路时，内部设有电流和热限制保护以及内部热关断电路。由于其低输入输出电压差和偏置电流规格，非常适合用于需要延长电池使用寿命的电池供电的计算机、消费和工业设备。

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型号：NCP301LSN31T1G 编号：C892324

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP300和NCP301系列是第二代超低电流电压检测器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统中的复位控制器而设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都具有一个带迟滞功能的高精度欠压检测器，可防止在比较器阈值被跨越时出现系统复位操作不稳定的情况。 NCP300系列由互补输出器件组成，提供高电平有效或低电平有效的复位输出。NCP301系列具有一个漏极开路N沟道输出，提供高电平有效或低电平有效的复位输出。 NCP300和NCP301器件系列采用Thin TSOP - 5封装，具有标准欠压阈值。还可提供额外的阈值，范围从0.9 V到4.9 V，以100 mV为步进。

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型号：NCV8186BMN175TAG 编号：C893181

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：MC79L05ABPRAG 编号：C184431

封装：TO-92-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP115AMX330TCG 编号：C603503

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

NCP115是一款300 mA的低压差线性稳压器（LDO），能为工程师提供非常稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为了优化电池供电便携式应用的性能，NCP115采用动态静态电流调整技术，在空载时实现极低的IO功耗。

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型号：LM1117MPX-18NOPB 编号：C2902256

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

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型号：MC78M12ACDTRKG 编号：C904229

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

正电压稳压器与流行的 MC7800 系列器件相同，只是其输出电流仅为后者的一半。与 MC7800 器件一样，该三端稳压器适用于本地板载电压调节。内部限流、热关断电路和内部传输晶体管的安全区补偿，使这些器件在大多数工作条件下都非常耐用。在有足够散热的情况下，最大输出电流为 500 mA。

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型号：NCP382HD15AAR2G 编号：C904494

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP382是一款单输入双输出高端功率分配开关，专为可能遇到重容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个80 mΩ的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP12400BBHAA1DR2G 编号：C904410

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP12400 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。此器件包含一个特殊的高压检测器，会检测从交流线路上拔下的应用，然后触发 X2 放电电流。此高电压结构还能进行欠电压检测。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入使得此控制器成为坚固电源设计的绝佳备选。专门的关断模式可通过将整个器件置于“睡眠”达到极低的无负载输入功耗，因此最大程度降低控制电路的功耗。另外，NCP12400 具有安静跳过模式，会将跳过频率锁定在可听到范围以下。此功能达到降低了跳过模式下开关脉冲导致的噪声。

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型号：NCV303LSN20T1G 编号：C892930

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP302和NCP303系列是第二代超低电流电压检测器，内置可编程延时发生器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统设计，用作复位控制器，在这类系统中，延长电池使用寿命至关重要。每个系列均具备带迟滞功能的高精度欠压检测器和外部可编程延时发生器。这些特性的组合可防止系统复位操作出现异常。 NCP302系列包含互补输出器件，提供高电平有效或低电平有效的复位信号。NCP303系列具有漏极开路N沟道输出，复位输出为低电平有效。

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型号：NCV8711ASN500T1G 编号：C893284

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP187AMT120TAG 编号：C892298

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP187是一款1.2 A的低压差（LDO）线性稳压器。它是一款非常稳定且精确的器件，静态电流消耗低（典型值）。

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型号：TL431BIDG 编号：C184407

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该集成电路是三端可编程并联稳压器二极管。这些单片IC电压基准可作为低温系数齐纳二极管工作，可通过两个外部电阻从Vref编程至36 V。这些器件的工作电流范围为1.0 mA至100 mA，典型动态阻抗为0.22 Ω。这些基准的特性使其成为许多应用（如数字电压表、电源和运算放大器电路）中齐纳二极管的理想替代品。2.5 V基准便于从5.0 V逻辑电源获得稳定的基准，并且由于该集成电路作为并联稳压器工作，因此可用作正电压或负电压基准。

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型号：NCP12510ASN100T1G 编号：C603528

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP12510是一款高度集成的PWM控制器,能够提供坚固且高性能的离线电源供应。该控制器支持峰值电流模式控制,具有频率折返和跳周期功能,以适应轻载条件。还集成了过功率保护（OPP）、过电压保护（OVP）和短路保护功能。

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型号：NCV8164AMTW180TAG 编号：C893138

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP1239AD65R2G 编号：C904395

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1239 是一款固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 Vcc 电容器的设计。该控制器供电范围高达 35 V，具有带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关电路，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该控制器将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。当功率进一步下降时，该零部件进入跳过周期，同时对峰值电流进行限制，确保轻型负载条件下的卓越能效。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。

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型号：LM385D-1.2R2G 编号：C903808

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

微功率电压参考二极管

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型号：NCV303LSN44T1G 编号：C892939

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP716BCSN330T1G 编号：C2902126

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

是 150 mA LDO 线性稳压器。它是一种非常稳定和精确的器件，具有超低接地电流消耗（在整个输出负载范围内为 4.7 μA）和较宽的输入电压范围（最高可达 24 V）。该稳压器集成了多种保护功能，如热关断和限流。

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型号：NCV303LSN25T1G 编号：C892934

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP302和NCP303系列是第二代超低电流电压检测器，包含可编程延时发生器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统中的复位控制器而设计，在这些系统中，延长电池使用寿命至关重要。每个系列都具有带迟滞功能的高精度欠压检测器和外部可编程延时发生器。这些特性的组合可防止系统复位操作出现异常。 NCP302系列由互补输出器件组成，可提供高电平有效或低电平有效的复位信号。NCP303系列具有漏极开路N沟道输出，复位输出为低电平有效。

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型号：NCP340MUTBG 编号：C892439

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

是一款高端 N 沟道 MOSFET 功率分配开关，旨在将外部电压直接连接到系统。如果施加 Vin 电压，由于 Vin 和 EN 引脚之间连接了内部上拉电阻，高端 MOSFET 会自动开启。通过移除 Vin 可实现关闭。由于具有软启动电路，能够限制大电压浪涌

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型号：NCP164ASNADJT1G 编号：C2902124

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是一款300 mA的LDO，具有高电源抑制比（PSRR）、超低噪声和低压差特性，并带有电源良好（Power Good）开集电极输出。专为满足射频和敏感模拟电路的要求而设计，提供超低噪声、高PSRR和低静态电流，还具有出色的负载/线路瞬态响应。设计用于搭配1 μF的输入和输出陶瓷电容，有行业标准的TSOP-5和WDFN6 0.65P、2 mm×2 mm封装。

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型号：NCP59800BMNADJTAG 编号：C603763

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

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￥4.07
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型号：FPF1107 编号：C457754

封装：WLCSP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

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￥4.26
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￥4.17
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￥4.11

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型号：TL431ILPRAG 编号：C903235

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

该集成电路是三端可编程并联稳压器二极管。这些单片IC电压基准可作为低温系数齐纳二极管工作，可通过两个外部电阻从Vref编程至36 V。这些器件的工作电流范围为1.0 mA至100 mA，典型动态阻抗为0.22 Ω。这些基准的特性使其成为许多应用（如数字电压表、电源和运算放大器电路）中齐纳二极管的理想替代品。2.5 V基准便于从5.0 V逻辑电源获得稳定的基准，并且由于该集成电路作为并联稳压器工作，因此可用作正电压或负电压基准。

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1+
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￥3.53
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型号：NCV8187AMLE180TCG 编号：C2902003

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一款稳定、精确的设备，具有低静态电流消耗（全温度范围内典型值为 30μA）、低压差、低输出噪声和良好的电源抑制比。该稳压器集成了多种保护功能，如热关断、软启动、限流，还有用于方便与 MCU 接口的电源良好输出信号。

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型号：NCP1239LD65R2G 编号：C904403

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1239 是一款固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 Vcc 电容器的设计。该控制器供电范围高达 35 V，具有带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关电路，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该控制器将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。当功率进一步下降时，该零部件进入跳过周期，同时对峰值电流进行限制，确保轻型负载条件下的卓越能效。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。

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￥4.42
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￥4.34
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￥4.29

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型号：LM285D-2.5R2G 编号：C7931

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差。较大的动态工作范围使这些器件能在电源变化范围大的应用中实现出色的稳压效果。极低的工作电流使这些器件非常适合用于微功耗电路，如便携式仪器、稳压器和其他需要延长电池寿命的模拟电路。 LM285/LM385系列采用低成本TO - 226塑料封装，有1.235 V和2.500 V两种电压版本，由器件后缀表示。LM285的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C，而LM385的额定温度范围为0°C至 + 70°C。 LM385也有1.235 V和2.500 V电压的表面贴装塑料封装。

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