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型号：LM2931AT-5.0G 编号：C907006

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

由正固定和可调输出电压调节器组成，专为在极低的输入输出电压差下保持适当的调节而设计。这些器件能够提供超过100 mA的输出电流，在10 mA输出时具有0.4 mA的低偏置电流。主要设计用于在恶劣的汽车环境中生存，这些器件将保护所有外部负载电路免受因反接电池、两次电池启动和负载突降期间的过度线路瞬变引起的输入故障条件的影响。该系列还包括内部限流、热关断，此外，还能够承受镜像插入时的临时上电。由于其低压差电压和偏置电流规格，该系列非常适合需要延长电池使用寿命的电池供电工业和消费设备。带°C'后缀的可调输出调节器具有输出抑制引脚，这在基于微处理器的系统中非常有用。

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型号：MC33164D-5R2G 编号：C903941

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34164系列是欠压检测电路，专为在需要延长电池使用寿命的基于便携式微处理器的系统中用作复位控制器而设计。这些器件为设计人员提供了一种经济的解决方案，可通过单个外部电阻实现低电压检测。MC34164系列具有带隙基准、具有精确阈值和内置迟滞功能的比较器（用于防止复位操作不稳定）以及一个集电极开路复位输出，其灌电流能力超过6

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型号：NCP1337DR2G 编号：C29892

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1337集成了一个真正的电流模式调制器和一个去磁检测器，可确保在任何负载/线路条件下实现完全的边界/临界导通模式，同时实现最小的漏极电压开关（准谐振操作）。由于采用无辅助绕组（Soxyless）概念，变压器铁芯复位检测在内部完成，无需使用任何外部信号。内部将频率限制在130 kHz，防止控制器工作在150 kHz的CISPR - 22 EMI起始限制以上。通过监测反馈引脚的活动，一旦功率需求降至预定水平以下，控制器便进入跳周期模式。由于每次重启都通过内部软跳周期进行缓冲，且频率不会低于25 kHz，因此不会产生可听见的噪声。NCP1337还具备高效的保护电路，在出现过流情况时，该电路会禁用输出脉冲并进入安全的间歇模式，尝试重启。一旦故障消除，设备将自动恢复。此外，还包括一个母线电压监测功能（即欠压保护）、可调过功率补偿和一个vCC ΔOVP。除非故障定时器超时，否则在任何这些情况发生后，控制器会立即重启。最后，内部4.0 ms软启动可消除传统启动时的应力。NCP1337采用标准的电流模式架构，其中关断时间由峰值电流设定点决定，而铁芯复位检测触发导通事件。该组件是对元件数量要求较低的应用的理想选择，尤其适用于低成本AC - DC适配器、消费电子产品、辅助电源等。由于采用高性能、高压技术，NCP1337集成了构建坚固可靠的开关模式电源（SMPS）所需的所有必要特性。

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型号：LP2950ACZ-3.0G 编号：C903059

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

是微功耗电压调节器，专门设计用于在极低的输入输出电压差下保持适当的调节。这些器件的静态偏置电流非常低，为 75 μA，能够提供超过 100 mA 的输出电流。提供内部电流和热限制保护。LP2951 有三个附加功能

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型号：NCP189CMTWADJTBG 编号：C42316023

封装：WDFNW-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是一款0.5A的LDO，具有高PSRR、低噪声和低压差的特点，带有Power Good开集电极输出。旨在满足RF和敏感模拟电路的要求，提供低噪声、高PSRR和低静态电流，同时能够将输出电压调节至0.6V。还具有出色的负载/线路瞬态响应。设计用于与4.7μF的输入和输出陶瓷电容器配合使用。采用行业标准的WDFNW6 0.65P, 2mm×2mm封装。

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型号：FR015L3EZ 编号：C891259

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

反向偏置是一种日益常见的故障事件，可能由用户操作失误、电池安装不当、汽车环境、与第三方充电器错误连接、负“热插拔”瞬态、电感瞬态以及容易获取的负偏置劣质 USB 充电器等因素引发。FR 器件是低电阻串联开关，在出现反向偏置情况时，会切断电源并阻断负电压，以帮助保护下游电路。FR 器件针对应用进行了优化，在提供同类最佳的反向偏置保护和电压能力的同时，将尺寸、串联电压降和正常工作功耗降至最低。在反向偏置应用中，FR015L3EZ 器件能有效实现全电压阻断，可轻松保护额定电压为 -0.3V 的硅器件。从功率角度来看，在正常偏置下，一个 15mΩ 的 FR 器件在 0.1A 的应用中仅会产生 1.5mV 的电压降或 0.15mW 的功率损耗。在反向偏置时，FR 器件在 3V 反向偏置事件中的功耗低于 10μW。这种性能是二极管解决方案无法实现的。其优势不仅体现在器件本身。由于功耗低，不仅器件尺寸小，而且散热要求和成本也能降至最低。

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型号：FAN53526UC224X 编号：C2902207

封装：WLCSP-15(1.3x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN53526 是一款数字可编程降压开关电压调节器,输入电压范围为 2.5 V 至 5.5 V,输出电压可通过 I2C 接口编程,最高支持 3.4MHz。该调节器采用同步整流技术,可在轻载条件下保持高效率,最大输出电流为 3.0 A,开关频率为 2.4MHz。

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型号：NCV8535MNADJR2G 编号：C893205

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是高性能、低压差稳压器。在线路和负载上精度为±0.9%，具有超低静态电流和噪声，无需最小负载电流即可保证稳定，使用低至1.0 μF的任何类型电容器都能保持稳定。还配备了检测和降噪引脚，提供反向偏置保护。

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型号：NCP731ADNADJR2G 编号：C5209182

封装：MSOP-8-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCP731器件具备独特的特性组合——极低噪声、低静态电流、快速瞬态响应以及较宽的输入和输出电压范围。NCP731是一款CMOS低压差（LDO）稳压器，其输入电压最高可达38 V，输出电流可达150 mA。极低的噪声（<8 μV_RMS）使该器件成为对系统性能而言纯净电压轨至关重要的应用的理想解决方案（为运算放大器、模数/数模转换器和其他精密模拟电路供电）

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型号：NCV887104D1R2G 编号：C604106

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8871 是一款可调节输出非同步升压控制器，驱动外部 N 沟道 MOSFET。该器件使用峰值电流模式控制，带有内部斜率补偿。该集成电路结合了为门极驱动器提供电荷的内部稳压器。保护功能包括内部设置软启动、欠压锁定、按周期电流限制、间歇模式短路保护和高温关断。其他功能包括低静止电流睡眠模式和外部可同步开关频率。

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型号：NCP1076P100G 编号：C603462

封装：DIP-7

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP51403MNTXG 编号：C603748

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51403是一款源/灌双数据速率（DDR）端接稳压器，专为低输入电压和低噪声系统而设计，尤其适用于对空间要求较高的场景。NCP51403可保持快速瞬态响应，仅需最小20 μF的输出电容。它支持远程感应功能，能满足DDR VTT总线端接的所有电源需求。NCP51403还可用于需要动态调节输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。NCP51403采用散热高效的DFN10外露焊盘封装，符合环保和无铅标准。NCP51403是一款灌/源跟踪端接稳压器，专为低输入电压和低外部元件数量的系统而设计，其中空间是关键应用参数。NCP51403集成了高性能、低压差（LDO）线性稳压器，能够进行源电流和灌电流操作。LDO稳压器采用快速反馈环路，因此可使用小型陶瓷电容来支持快速负载瞬态响应。为了在最小化走线电阻影响的情况下实现精确调节，应将远程感应端子VTTS作为与VTT高电流路径分开的走线连接到输出电容的正极端子。输出电压VTT被调节至VRO。当VRI配置用于标准DDR端接应用时，可通过连接到内存电源总线（VDDQ）的外部等效比例分压器来设置VRI。NCP51403支持0.5 V至1.8 V的VRI电压，使其具有通用性，非常适合多种类型的低功耗LDO应用。当配置用于DDR端接应用时，VRO为内存应用生成DDR VTT参考电压。它能够支持10 mA的源负载和灌负载。当VRI电压升至435 mV且VCC高于欠压锁定（UVLO）阈值时，ΔVRO激活。当VRO低于360 mV时，它将被禁用，并通过内部10 kΩ MOSFET放电至地。ΔVRO与EN引脚状态无关。当EN引脚置高时，NCP51403的VTT稳压器开始正常工作。当EN引脚置低时，VTT通过内部18 Ω MOSFET放电至地。当EN引脚置低时，VREF保持开启状态。

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型号：NCP700BSN33T1G 编号：C892685

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

诸如手机功率放大器和精密仪器等对噪声敏感的射频应用需要非常纯净的电源。NCP700B 是一款 200 mA 的低压差线性稳压器（LDO），可为工程师提供非常稳定、精确的电压，具有超低噪声和非常高的电源抑制比（PSRR），适用于射频应用。为了优化电池供电便携式应用的性能，NCP700B 采用先进的 BiCMOS 工艺，将双极元件的低噪声和卓越动态性能优势与 CMOS 在满载时极低的接地电流消耗相结合

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型号：NCV8161ASN300T1G 编号：C604033

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCV8161 是一款线性稳压器，能够提供 450 mA 输出电流。NCV8161 器件专用于满足射频和模拟电路要求，提供了低噪音、高 PSRR、低静止电流和非常好的负载/线路瞬变。该器件设计使用 1?F 输入和 1?F 输出陶瓷电容器。它采用 TSOP-5 和 XDFN?4 0.65P，1 mm x 1 mm 封装。

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型号：NCP3064BMNTXG 编号：C894982

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP3064是一款单片式功率开关稳压器，专为直流到直流转换器应用而优化。其特性组合使系统设计人员能够使用最少数量的外部元件直接实现升压、降压和电压反相转换器。潜在应用包括对成本敏感的消费产品以及工业市场设备

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型号：NCP1117IDTAT4G 编号：C2902117

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

NCP1117系列是低压差正电压稳压器，能够提供超过1.0 A的输出电流，在800 mA和全温度范围内的最大压差为1.2 V。该系列包含九种固定输出电压，分别为1.5 V、1.8 V、1.9 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V和12 V，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一款可调输出版本，可通过两个外部电阻将输出电压设置在1.25 V至18.8 V之间。片上微调可将基准/输出电压的精度控制在±1.0%以内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。NCP1117系列可在最高20 V的输入电压下工作。器件提供SOT−223和DPAK封装。

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型号：NCV4274AST33T3G 编号：C457654

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV4274 和 NCV4274A 是精度微功率稳压器，输出电流能力为 400 mA，采用 SOT-223、DPAK 和 D2PAK 封装。根据版本不同，8.5V、5.0V、3.3V 或 2.5V 输出电压准确度为 ±2% 或 ±4% 以内，最大漏电压 0.5V，输入最高 40 V。低静止电流功能在 1 mA 负载下仅获取 150 ?A。此零件适用于汽车和所有电池运行的微处理器设备。该稳压器针对逆向电池、短路、热过载情况进行了保护，可承受负载瞬变负载转储，因此适用于汽车环境。

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型号：NCV887711D1R2G 编号：C5209144

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8877是一款非同步升压控制器，旨在车辆启停操作期间电池电压下降时提供最低输出电压。该控制器驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制。IC集成了一个内部稳压器，为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括逐周期电流限制和热关断。其他特性包括低静态电流睡眠模式操作。当电源电压降至唤醒阈值以下时，NCV8877启用。当电源电压降至调节设定点以下时，启动升压操作。

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型号：NCV5500DTADJRKG 编号：C904644

封装：DPAK-5

品牌：onsemi(安森美)

线性低压降稳压器可在1.25V至5.0V的用户可调输出范围内提供高达500mA的电流，或在1.5V、3.3V或5.0V的固定输出电压下工作，典型输出电压精度优于3%。内部PNP传输晶体管允许在最低输入电压下实现低压降和满载电流运行。NCV版本适用于要求扩展温度运行以及场地和变更控制的汽车应用。NCP5500和NCV5500版本具有使能/关断功能，采用DPAK 5和SOIC 8封装

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型号：NCV47722PAAJR2G 编号：C904634

封装：TSSOP-14-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV47722 高压侧开关 (HSS) 的每个沟道为 250 mA，适用于严酷的汽车环境。该器件具有高峰值输入耐压，以及逆向输入电压、反向偏置、过电流和超温保护。集成的电流感应功能（对于每个沟道可通过与 CSO 引脚联接的电阻进行调节）提供了诊断和系统保护功能。CSO 引脚输出电流会在 CSO 电阻上产生电压降，该压降与每个沟道的输出电流成比例。还提供关断状态下扩展的诊断功能，通过专门的输入和输出引脚控制。

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型号：NCP10671BD060R2G 编号：C904372

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FAN48619UC50X 编号：C890719

封装：BGA-9

品牌：onsemi(安森美)

FAN48619是一款低功耗PWM升压调节器,设计用于从标准单节锂离子电池和高级电池化学物质提供最小电压调节轨。即使系统电池电压低于最低值,该器件仍能维持1000mA负载电流的输出电压调节。内置功率晶体管、同步整流和低供电电流使其适用于电池供电应用。

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型号：MC78M09CDTG 编号：C897469

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

与流行的MC7800系列器件相同，只是输出电流仅为其一半。与MC7800器件一样，三端稳压器适用于本地板载电压调节。内部限流、热关断电路和内部传输晶体管的安全区补偿相结合，使这些器件在大多数工作条件下都非常耐用。在有足够散热的情况下，最大输出电流为500 mA。

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型号：MC33375ST-1.8T3G 编号：C603257

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

MC33375系列是微功耗低压差稳压器，有多种输出电压可供选择，封装形式包括SOT−223和SOP−8。这些器件的静态电流极低，能够提供高达300 mA的输出电流。输出端的短路保护和内部热关断电路提供了内部电流和热限制保护

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型号：NCP45521IMNTWG-L 编号：C892467

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP502SN36T1G 编号：C892503

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP502系列固定输出线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。NCP502系列的特点是具有40 μA的超低静态电流。每个器件包含一个电压基准单元、一个误差放大器、一个PMOS功率晶体管、用于设置输出电压的电阻、电流限制和温度限制保护电路

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型号：NCP1366AABAYDR2G 编号：C513011

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1366 提供了一个新型方案，目的是在通用电源反激式应用中实现从几瓦到 20 W 的输出功率水平。由于采用新方法，该新型控制器不再需要用于恒定电流调节的辅助反馈电路，同时使用传统的光耦合器和 TL431 电压参考实现了出色的线路和负载调节。NCP1366 在高负载时以谷锁闭准谐振峰值电流控制模式运行，以提供高能效。当辅助侧功率开始消失时，该控制器将自动调节占空比，然后在更低负载下，该控制器通过谷开关检测，以固定峰值电流进入脉冲频率调制。这种技术允许在微小的虚拟负载下保持输出调节。前 4 个谷中的谷锁闭可防止谷跳跃运行，然后在更低负载下的谷开关可提供高能效。

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型号：NCP1589AMNTWG 编号：C463125

封装：DFN-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1589A 或 NCP1589B 是一款低成本 PWM 控制器，运行电压为 5V 到 12V。此器件能够产生低至 0.8V 的输出电压。此器件能够从低至 2.5V 的电压进行转换。此 10 引脚器件提供了最佳集成水平，减小了电源尺寸，降低了成本。

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型号：LM2575D2T-3.3R4G 编号：C70337

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2575系列稳压器是单片集成电路，非常适合轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能够驱动1.0 A的负载，且具有出色的线性和负载调节能力。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：FPF2223 编号：C457797

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2223 - FPF2225 是具有高精度限流值的低 RDS(ON) P 沟道 MOSFET 负载开关。输入电压范围为 1.8V 至 5.5V，可满足当今超便携式设备的供电要求。开关控制通过逻辑输入 (ON) 实现，能够直接与低电压控制信号接口。当开关关闭时，片上下拉功能可实现输出快速放电。FPF2223、FPF2224 和 FPF2225 是先进的可调高精度限流开关，可保护可能因大电流应用而损坏或中断的系统和负载。每个器件的核心是一个 0.16 的 P 沟道 MOSFET 和一个能够在 1.8 - 5.5V 输入工作范围内运行的控制器。该控制器提供限流、欠压锁定 (UVLO) 和热关断保护功能。通过选择外部电阻，限流值可在 250mA 至 625mA 之间调节。

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