安森美电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：NCV59801CML330TCG 编号：C5209189

封装：DFNW-8

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FAN48695UC190X 编号：C890741

封装：WLCSP-9(1.3x1.4)

品牌：onsemi(安森美)

FAN48695 是一款低功耗升压调节器,设计用于从单节锂电池或 Li-Ion 电池提供稳定的输出电压。该设备在推荐的工作条件下保持输出电压调节。内置功率晶体管、同步整流和低供应电流使 FAN48695 成为电池供电应用的理想选择。FAN48695 采用 9 引脚 0.4 mm 间距的晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)。

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型号：LM317LBZRPG 编号：C903049

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

是一款可调的三端正电压调节器，能够在 1.2V 至 37V 的输出电压范围内提供超过 100mA 的电流。这款电压调节器非常易于使用，只需要两个外部电阻来设置输出电压。此外，它采用了内部电流限制、热关断和安全区域补偿，使其基本具备防击穿功能。可用于多种应用，包括本地、板载调节。该器件还可用于制作可编程输出调节器，或者通过在调节端和输出端之间连接一个固定电阻，可作为精密电流调节器使用。

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￥3.67
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型号：NCP431BVSNT1G 编号：C389628

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

电压参比，低阴极电流，可编程，分路稳压器

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￥2.64

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型号：NCP164AMT180TAG 编号：C892214

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCV303LSN44T1G 编号：C892939

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP340MUTBG 编号：C892439

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

是一款高端 N 沟道 MOSFET 功率分配开关，旨在将外部电压直接连接到系统。如果施加 Vin 电压，由于 Vin 和 EN 引脚之间连接了内部上拉电阻，高端 MOSFET 会自动开启。通过移除 Vin 可实现关闭。由于具有软启动电路，能够限制大电压浪涌

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型号：MC79L05ACPRAG 编号：C903153

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

MC79L00A 系列负电压稳压器价格实惠、易于使用，适用于众多需要高达 100 mA 电流的应用场景。与功率更高的 MC7900 系列负稳压器一样，该系列具备热关斷和限流功能，性能十分可靠。在大多数应用中，其运行无需外部元件

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型号：NCP164ASNADJT1G 编号：C2902124

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是一款300 mA的LDO，具有高电源抑制比（PSRR）、超低噪声和低压差特性，并带有电源良好（Power Good）开集电极输出。专为满足射频和敏感模拟电路的要求而设计，提供超低噪声、高PSRR和低静态电流，还具有出色的负载/线路瞬态响应。设计用于搭配1 μF的输入和输出陶瓷电容，有行业标准的TSOP-5和WDFN6 0.65P、2 mm×2 mm封装。

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型号：NCP502SQ33T2G 编号：C892512

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

固定输出线性稳压器专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。具有超低的40 μA静态电流。每个器件包含一个电压参考单元、一个误差放大器、一个PMOS功率晶体管、用于设置输出电压的电阻、电流限制和温度限制保护电路。该稳压器设计用于与低成本陶瓷电容器配合使用，采用微型SC70-5和TSOP-5表面贴装封装。标准电压版本为1.5V、1.8V、2.5V、2.7V、2.8V、3.0V、3.1V、3.3V、3.4V、3.5V、3.6V、3.7V和5.0V，其他电压以100mV为步长可选。

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型号：FPF1107 编号：C457754

封装：WLCSP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：TL431ILPRAG 编号：C903235

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

该集成电路是三端可编程并联稳压器二极管。这些单片IC电压基准可作为低温系数齐纳二极管工作，可通过两个外部电阻从Vref编程至36 V。这些器件的工作电流范围为1.0 mA至100 mA，典型动态阻抗为0.22 Ω。这些基准的特性使其成为许多应用（如数字电压表、电源和运算放大器电路）中齐纳二极管的理想替代品。2.5 V基准便于从5.0 V逻辑电源获得稳定的基准，并且由于该集成电路作为并联稳压器工作，因此可用作正电压或负电压基准。

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型号：NCV33269DTRK5.0G 编号：C463362

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout、中等电流、固定和可调的正电压调节器，专为低输入电压应用而设计。可为电路设计人员提供精确电压调节的经济解决方案，同时将功率损耗降至最低。调节器由 1.0V dropout 复合 PNP-NPN 传输晶体管、电流限制和热关断组成。

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型号：NCV380HMUAJAATBG 编号：C146723

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP81278TMNTXG 编号：C895014

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81278D/T是一款两相同步降压控制器，在QFN - 20封装中集成了栅极驱动器和PWM VID接口，为新一代计算处理器提供了小尺寸的电源管理解决方案。它从处理器接收节能输入（PSI），并在单相二极管仿真模式下运行，以在轻载条件下实现高效率。高达800 kHz的高开关频率运行允许使用小尺寸的电感器和电容器。多相电流模式RPM控制的引入实现了快速瞬态响应和良好的动态电流平衡。它能够支持全陶瓷电容应用。

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型号：MC78L05ABPREG 编号：C903130

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器是价格实惠、易于使用的设备，适用于多种需要高达100 mA稳压电源的应用。与功率更高的同类产品一样，这些调节器具有内部限流和热关断功能，非常耐用。在许多应用中，该设备不需要外部组件。与传统的齐纳二极管-电阻组合相比，这些设备具有显著的性能优势，因为输出阻抗和静态电流大幅降低。

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型号：MC79M15CTG 编号：C74673

封装：TO-220AB

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，提供 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。在有足够散热的情况下，可提供超过 0.5A 的输出电流。

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型号：LM385D-2.5G 编号：C152292

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下都能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差

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型号：NCP186AMX300TAG 编号：C463346

封装：XDFN8(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

超低漏高PSRR 带启用

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型号：NCV8537ML500R2G 编号：C893209

封装：DFN10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是高性能低压差线性稳压器，保留了高准确性、出色稳定性、低噪声性能和反向偏置保护等优点，还增加了电源正常输出信号以监测电源系统。有固定或可调输出，采用10引脚3x3mm DFN封装。

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型号：NCV78M12BDTRKG 编号：C415860

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

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型号：NCV459MNWTBG 编号：C892952

封装：DFNW-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV459 是高端 N 沟道 MOSFET 功率分配开关，旨在隔离连接到 LDO 或 DCDC 电源的 IC，以节省能源。该器件可在 0.75 V 至 5 V 的宽电源电压范围内使用。

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型号：NCP382HD10AAR2G 编号：C904493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单输入双输出高端功率分配开关，适用于可能遇到大电容负载和短路的应用。该器件集成了一个 80 mΩ 的 P 沟道 MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件通过切换到恒流模式将输出电流限制在所需水平。电流限制阈值是内部固定的。功率开关的上升和下降时间受到控制，以最大限度地减少开关期间的电流振铃。FLAG 逻辑输出在过流或过热条件下输出低电平。开关由逻辑使能输入控制，高电平或低电平有效。

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型号：NCP1611ADR2G 编号：C364883

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1611旨在优化PFC级在整个负载范围内的效率。此外，它还集成了保护功能，以确保稳定运行。更广泛地说，NCP1611非常适合那些对成本效益、可靠性、低待机功耗和高效率有严格要求的系统。电流控制频率折返：NCP1611设计用于驱动所谓的电流控制频率折返（CCFF）模式下的PFC升压级。在这种模式下，当电感电流超过可编程值时，电路通常工作在临界导通模式（CrM）。当电流低于预设水平时，NCP1611会线性降低频率，当电流为零时，频率可降至约20 kHz。CCFF可在标称负载和轻负载下实现效率最大化。

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￥4.81
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￥3.9
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￥3.45
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型号：FPF3380UCX 编号：C894838

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF3380UCX是一款集成超低导通电阻单通道开关的过压保护（OVP）器件。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在2.8 V至23 V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持5 A。当输入电压超过过压阈值时，内部FET会立即关断，以防止受保护的下游组件损坏。该器件集成了基于IEC61000 - 4 - 5标准的±110 V浪涌保护瞬态电压抑制器（TVS）。FPF3380采用小型12凸点晶圆级芯片规模封装（WLCSP），工作环境温度范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。

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￥4.83
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￥4.72
30+
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型号：NCV663SQ25T1G 编号：C463365

封装：SC-82AB

品牌：onsemi(安森美)

该系列固定输出低压差线性稳压器专为手持通信设备和需要低静态电流的便携式电池供电应用而设计。该系列的特点是超低静态电流，仅为2.5 μA。每个器件包含一个电压基准单元、一个误差放大器、一个PMOS功率晶体管、用于设置输出电压的电阻、限流电路和过热保护电路

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￥4.85
10+
￥4.72
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￥4.64

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型号：NCV8187AML180TAG 编号：C893184

封装：DFN-6(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是 1.2A LDO 线性稳压器。是非常稳定和精确的设备，具有低静态电流消耗（全温度范围内典型值为 30μA）、低压差、低输出噪声和良好的电源抑制比 (PSRR)。稳压器集成了多种保护功能，如热关断、软启动、限流，还提供电源正常输出信号，便于与 MCU 接口。

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1+
￥4.94
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￥4.83
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型号：NCV59800BMWADJTBG 编号：C892997

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV59800 是一系列 1 A 低压差线性稳压器 (LDO)，具有高电源纹波抑制比 (PSRR) 和超低输出噪声。该系列 LDO 采用先进的 BiCMOS 工艺，可实现出色的电气性能。它是电信设备中对噪声敏感的模拟射频前端的理想选择

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型号：NCV8154MW330330TBG 编号：C893106

封装：DFN10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是300mA双输出线性稳压器，提供两个独立输入引脚，可提供非常稳定和精确的电压，具有超低噪声和非常高的电源抑制比 (PSRR)，适用于射频应用。适用于为汽车信息娱乐系统的射频模块和其他功率敏感设备供电。由于功耗低，具有高效率和低热耗散。

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型号：NCV5500DT33RKG 编号：C603959

封装：DPAK-5

品牌：onsemi(安森美)

这些线性低压降稳压器可在用户可调的1.25V至5.0V输出范围内提供高达500 mA的电流，也可提供1.5V、3.3V或5.0V的固定输出电压，典型输出电压精度优于3%。内部PNP传输晶体管允许在最低输入电压下实现低压降和满载电流运行。NCV版本适用于要求扩展温度运行以及现场和变更控制的严苛汽车应用。NCP5500和NCV5500版本包括使能/关断功能，提供DPAK 5和SOIC 8封装

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