VISHAY威世电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：SIC461ED-T1-GE3 编号：C499531

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC46x 是一系列宽输入电压、高效同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5V 至 60V 的输入轨产生低至 0.8V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

数据手册

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￥19.4
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￥16.77
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￥15.12
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￥11.2

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型号：SIC462ED-T1-GE3 编号：C335617

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC462是一款宽输入电压范围的高效同步降压调节器,支持4.5 V到60 V的输入电压,最大输出电流为6 A。它具有可调输出电压、多种保护功能和高效率。适用于计算、消费电子、电信和工业应用。

数据手册

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￥28.06
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￥22.57

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型号：SIC438BED-T1-GE3 编号：C511430

封装：MLP44-24L(4x4)

品牌：VISHAY(威世)

SiC438是一款3 V至28 V输入电压范围的同步降压转换器,最大连续输出电流为8 A。该器件具有可调输出电压,最高效率可达97%,支持多种工作模式,包括超声波模式和节能模式。它还集成了全面的保护功能,如过流保护、过压保护、欠压保护和热关断保护。

数据手册

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型号：SIC431AED-T1-GE3 编号：C2071422

封装：MLP44-24L(4x4)

品牌：VISHAY(威世)

SiC431是一款同步降压稳压器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供24 A的连续电流。该稳压器可在3 V至24 V的输入轨下产生低至0.6 V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

数据手册

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型号：SIP32510DT-T1-GE3 编号：C145264

封装：TSOT-23-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32510是一款压摆率可控的负载开关，设计用于1.2 V至5.5 V的工作电压。开关元件为n沟道器件，在较宽的输入电压范围内，典型导通电阻（RON）低至44 mΩ。

数据手册

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型号：SIP32431DR3-T1GE3 编号：C141606

封装：SOT-363-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431是一款超低泄漏和静态电流、具备反向阻断能力的压摆率可控高端开关。该开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1 A的连续电流。SiP32431的输入电压范围为1.5 V至5.5 V

数据手册

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型号：SIP32429DN-T1-GE4 编号：C141605

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32419和SiP32429是负载开关，集成了多种控制功能，可简化设计并提高与该开关相连电路的可靠性。这两款器件均为56 mΩ开关，设计工作范围为6V至28V。内部产生的栅极驱动电压可确保在输入电压工作范围内实现良好的导通电阻（RON）线性度

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型号：SI3865DDV-T1-GE3 编号：C141534

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：VISHAY(威世)

Si3865DDV 在单个 TSOP - 6 封装中集成了一个 p 沟道和一个 n 沟道 MOSFET。低导通电阻的 p 沟道 TrenchFET 专为用作负载开关而设计。n 沟道搭配一个外部电阻，可作为电平转换器来驱动 p 沟道负载开关

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型号：SIC437AED-T1-GE3 编号：C2071432

封装：MLP44-24L(4x4)

品牌：VISHAY(威世)

是同步降压稳压器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供12 A和8 A的连续电流。该稳压器可从3 V至28 V的输入轨产生低至0.6 V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算、消费电子、电信和工业领域。架构可在最小输出电容的情况下实现超快瞬态响应，并在非常轻的负载下实现严格的纹波调节

数据手册

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型号：SIC463ED-T1-GE3 编号：C3191905

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC463是一款宽输入电压范围（4.5V至60V）、高效率的同步降压调节器,最大输出电流为4A。该调节器具有可调输出电压、多种保护功能和高灵活性配置选项,适用于计算、消费电子、电信和工业应用。

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型号：SIP32431DNP3-T1GE4 编号：C727398

封装：TDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431和SiP32432是具有极低泄漏电流和静态电流的斜率控制高侧开关，并具备反向阻断能力。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4A的连续电流。它们的工作输入电压范围为1.5V至5.5V。这些器件具有低输入逻辑电平，可以与来自微处理器的低控制电压接口。SiP32431采用高电平使能控制，而SiP32432采用低电平使能控制。两种器件都具有非常低的工作电流，在3.3V电源下通常为10pA。SiP32431和SiP32432提供无铅封装选项，包括6引脚SC-70-6和4引脚TDFN 4 1.2 mm x 1.6 mm DFN4封装。工作温度范围指定为-40°C至+85°C。紧凑的封装选项、工作电压范围以及低工作电流使其非常适合电池供电应用。

数据手册

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型号：SIC402ACD-T1-GE3 编号：C511100

封装：MLP55-32L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC402A/B 是一款先进的独立式同步降压调节器,集成了功率MOSFET、引导开关和可编程LDO。它采用节省空间的PowerPAK MLP55-32L封装,支持高达1MHz的开关频率。该器件具有10A连续输出电流能力,高效率超过95%,并具备多种保护功能。

数据手册

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型号：SIC453ED-T1-GE3 编号：C5334327

封装：PowerPAK-MLP34-57

品牌：VISHAY(威世)

SiC453是一款PMBus 1.3兼容的非隔离型DC/DC降压调节器,具有集成MOSFET。它可以提供高达15A的连续输出电流,输入电压范围为4.5V至20V,开关频率可达1.5MHz。该器件具有高度可配置性,支持多种PMBus命令,包括故障保护、输出电压调整和电源管理功能。

数据手册

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型号：SIC464ED-T1-GE3 编号：C499569

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC46x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 60 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

数据手册

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型号：SIC437BED-T1-GE3 编号：C2685654

封装：PowerPAK-MLP44-24L

品牌：VISHAY(威世)

SiC43x 是集成了高端和低端功率 MOSFET 的同步降压稳压器。其功率级能够在高达 1 MHz 的开关频率下提供 12 A（SiC437）和 8 A（SiC438）的连续电流。该稳压器可从 3 V 至 28 V 的输入轨产生低至 0.6 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

数据手册

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型号：SIC474ED-T1-GE3 编号：C2071324

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：SIP32408DNP-T1-GE4 编号：C145494

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32408 和 SiP32409 是设计用于1.1V至5.5V操作的 slew rate controlled 负载开关。这些设备保证在1.2V输入时具有低导通电阻。它们具有典型的2.5毫秒受控软启动 slew rate，限制了大电容负载设计中的浪涌电流，并最小化电源轨上的电压下降。SiP32408 和 SiP32409 具有低压控制逻辑接口（开/关接口），可以与低压控制信号接口而无需额外的电平转换电路。SiP32408 和 SiP32409 都具有极低的关断电流，并提供反向阻断以防止高电流流入电源。SiP32409 集成了输出放电电路，可实现快速关断。SiP32408 和 SiP32409 均采用1.2毫米 x 1.6毫米的TDFN4封装。

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型号：SIP32409DNP-T1-GE4 编号：C145277

封装：UDFN-5-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32408 和 SiP32409 是压摆率可控的负载开关，适用于 1.1 V 至 5.5 V 的工作电压。这些器件可确保在 1.2 V 输入时具有较低的导通电阻。它们具备典型 2.5 ms 的可控软启动压摆率，可限制大容性负载设计中的浪涌电流，并将电源轨上产生的电压降降至最低

数据手册

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型号：SIP32459DB-T2-GE1 编号：C727471

封装：WLCSP-6(1x1.5)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32458和SiP32459是压摆率可控的集成高端负载开关，工作输入电压范围为1.5 V至5.5 V。SiP32458和SiP32459采用P沟道MOSFET开关元件，并集成了栅极泵，可在较宽的输入电压范围内实现20 mΩ的导通电阻。

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￥5.84
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￥4.73
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￥4.17
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￥3.12

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型号：SIP32102DB-T1-GE1 编号：C506606

封装：UFBGA-12

品牌：VISHAY(威世)

SiP32101、SiP32102 和 SiP32103 双向开关具备反向阻断能力，可将电池与系统隔离开来。内部开关的导通电阻超低，仅为 6.5mΩ（3.3V 时的典型值），工作输入电压范围为 +2.3V 至 +5.5V，使其成为高容量电池应用中理想的电池断开开关。SiP32101、SiP32102 和 SiP32103 具备压摆率控制功能，使其非常适合大负载电容以及大电流负载开关应用

数据手册

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￥6.27
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