安森美电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCP170ASN180T2G 编号：C603668

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP170系列CMOS低压差稳压器专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。典型值为500 nA的超低功耗可确保电池长寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用中器件的瞬态响应。

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型号：NCP186AMX250TAG 编号：C892285

封装：XDFN-8-EP(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCV8152MX330180TCG 编号：C604023

封装：XDFN-6(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

NCV8152是150 mA双输出线性电压调节器，能提供非常稳定和准确的电压，具有超低噪声和非常高的电源抑制比（PSRR），适用于RF应用，也适用于为汽车信息娱乐系统的RF模块和其他功率敏感设备供电，且由于低功耗，具备高效率和低热耗散的特点。

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型号：NCP136AFCT120T2G 编号：C895648

封装：WLCSP-6(0.8x1.4)

品牌：onsemi(安森美)

超低漏偏置电源轨 1％精度快速瞬变响应

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型号：NCV8164ASN250T1G 编号：C2902280

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCV8164是一款300 mA的低压差线性稳压器（LDO），属于下一代高电源抑制比（PSRR）、超低噪声、低压差稳压器，具备电源正常开集电极输出功能。该器件专为满足射频（RF）和敏感模拟电路的需求而设计，可提供超低噪声、高电源抑制比和低静态电流。此外，它还具有出色的负载/线性瞬态响应特性

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型号：FAN54120UC435X 编号：C3681546

封装：DFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN5120是一款小型、低成本、完全集成的单节电池充电器，支持死电池激活、预充电、快速充电和浮充状态。快速充电电流（IFAST）通过一个外部电阻设置。预充电电流（IPRE）和充电完成电流（ICHGEND）在出厂时分别设置为IFAST/5.2和ΔIFAST/10。 FAN54120专门设计为易于使用的独立充电器，无需用户干预或主动监控。一个开漏STAT引脚提供充电和/或故障状态指示。具备“电源回馈”功能，可从电池为附件供电。 FAN54120提供2x2 DFN封装或1.36x0.76 mm WLCSP封装。

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型号：FAN54120UC425X 编号：C3681773

封装：DFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN5120是一款小型、低成本、完全集成的单节电池充电器，支持死电池激活、预充电、快速充电和浮充状态。快速充电电流（IFAST）通过一个外部电阻设置。预充电电流（IPRE）和充电完成电流（ICHGEND）在出厂时分别设置为IFAST/5.2和ΔIFAST/10。 FAN54120专门设计为易于使用的独立充电器，无需用户干预或主动监控。一个开漏STAT引脚提供充电和/或故障状态指示。具备“电源回馈”功能，可从电池为附件供电。 FAN54120提供2x2 DFN封装或1.36x0.76 mm WLCSP封装。

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型号：NCV8114ASN120T1G 编号：C604017

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

300 mA LDO 可为工程师提供非常稳定、准确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能，采用动态静态电流调整，在无负载时实现极低的 IQ 消耗。

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型号：LM317MBTG 编号：C480708

封装：TO-220-3

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

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型号：NCP110AFCT180T2G 编号：C603477

封装：WLCSP-4(0.64x0.64)

品牌：onsemi(安森美)

是一种线性稳压器，能够从 1.1V 输入电压提供 200mA 输出电流。该器件提供从 0.6V 到 4.0V 的宽输出范围，具有极低的噪声和高电源抑制比（PSRR）。由于静态电流低，适合用于智能手机和平板电脑等电池供电设备。该器件设计为与 1μF 输入和 1μF 输出陶瓷电容器配合使用。有超小型 0.35P、0.64mm×0.64mm 芯片级封装（CSP）和 XDFN4 0.65P、1mm×1mm 封装可供选择。

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型号：LM1117MPX-25NOPB 编号：C2902257

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是一种低压差电压调节器，在800mA负载电流下压差为1.2V。有可调版本，仅需两个外部电阻即可将输出电压设置为1.25至13.8V。此外，还有五种固定电压可选，分别为1.8V、2.5V、3.3V和5V。提供限流和热关断功能，其电路经过微调，可确保输出电压精度在±1%以内。

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型号：NCP600SN330T1G 编号：C892604

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP600可在固定电压选项下提供150 mA的输出电流，或提供5.0 V至1.25 V的可调输出电压。

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型号：FPF1048BUCX 编号：C479722

封装：WLCSP-6(1x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1048 高级负载管理开关针对需要高度集成解决方案的应用。它能够断开由直流电源轨（<6V）供电的负载，具有严格的关断状态电流目标和高负载电容（高达100 μF）。FPF1048 由 slew rate controlled 低阻抗 MOSFET 开关（典型值23 mΩ）和集成模拟特性组成。slew rate controlled 的开启特性可以防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压下降。FPF1048 具有真反向电流阻断 (TRCB) 功能，在 ON 和 OFF 状态下阻止从 Vout 到 VIN 的不需要的反向电流。极低的关断状态电流消耗（最大<1 μA）有助于满足待机功耗要求。输入电压范围为1.5 V至5.5 VDC，支持消费电子、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理中的广泛应用。开关控制通过逻辑输入（主动高电平）进行管理，可以直接与低压控制信号/通用输入/输出 (GPIO) 接口，无需外部下拉电阻。该器件采用先进的全“绿色”合规的1.0 mm x 1.5 mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP)，背面覆膜。

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型号：NCV8186BMN175TAG 编号：C893181

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP115AMX330TCG 编号：C603503

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

NCP115是一款300 mA的低压差线性稳压器（LDO），能为工程师提供非常稳定、精确且低噪声的电压，适用于空间受限、对噪声敏感的应用场景。为了优化电池供电便携式应用的性能，NCP115采用动态静态电流调整技术，在空载时实现极低的IO功耗。

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型号：NCP718BSN300T1G 编号：C892794

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

是一款 300 mA 的 LDO 线性稳压器，是非常稳定和精确的设备，具有超低静态电流消耗（全温度范围内典型值为 4 μA）和较宽的输入电压范围（最高可达 24 V）。该稳压器集成了多种保护功能，如热关断和限流。

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型号：NCP170ASN330T2G 编号：C513015

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

CMOS低压差稳压器专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。超低功耗（典型值500 nA）可确保长电池寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用的设备瞬态响应。该器件有小型1×1 mm XDFN4、SOT-563和TSOP-5封装。

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型号：NCV663SQ33T1G 编号：C464245

封装：SC-82AB

品牌：onsemi(安森美)

此系列低静态电流低漏 (LDO) 线性稳压器最初设计用于手持通信设备和便携式电池供电应用，也可用于需要超低静态电流的汽车应用。它应用作后级调节器件，因为该产品没有汽车电池运行内在的高输入瞬变电压保护。此系列具有 2.5?A 超低静态电流。每个器件都包含电压参考单元、误差放大器、PMOS 功率晶体管、用于设置输出电压的电阻，以及电流限值和温度限值电路等保护功能。NCV663 适用于低成本的陶瓷电容器，需要的最小输出电容为 0.1 ?F。该器件采用微型 SC82-AB 表面贴装封装。提供无铅电镀选件。标准电压版本为 1.5、1.8、2.5、2.7、2.8、3.0、3.3 和 5.0 V。

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型号：MC78M12ACDTRKG 编号：C904229

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

正电压稳压器与流行的 MC7800 系列器件相同，只是其输出电流仅为后者的一半。与 MC7800 器件一样，该三端稳压器适用于本地板载电压调节。内部限流、热关断电路和内部传输晶体管的安全区补偿，使这些器件在大多数工作条件下都非常耐用。在有足够散热的情况下，最大输出电流为 500 mA。

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型号：NCV361SNT1G 编号：C603913

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

当在输入端检测到错误的VBUS工作条件时，该产品会断开其输出端的系统。系统具有正向过压保护，最高可达+20V。由于集成了PMOS FET，无需外部设备，降低了系统成本和应用板的PCB面积。如果输入电压超过过压阈值（5.675V），该产品能够立即将输出与输入断开。由于具有过流保护功能，当充电电流超过电流限制时，集成的PMOS会关闭。该产品提供一个负向标志（FLAG）输出，用于提醒系统发生了电压、电流或过热故障。此外，当与1μF或更大的电容旁路时，该设备的输入具有ESD保护（15kV空气放电）。

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型号：NCP382HD15AAR2G 编号：C904494

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP382是一款单输入双输出高端功率分配开关，专为可能遇到重容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个80 mΩ的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP170BXV300T2G 编号：C894978

封装：SOT-563

品牌：onsemi(安森美)

CMOS低压差稳压器专为需要超低静态电流的便携式电池供电应用而设计。典型超低功耗500 nA可确保长电池寿命，动态瞬态增强功能可改善无线通信应用的设备瞬态响应。该器件有1×1 mm XDFN4、SOT-563和TSOP-5封装。

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型号：NCV78M08BDTRKG 编号：C904675

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

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型号：LM385D-1.2R2G 编号：C903808

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

微功率电压参考二极管

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型号：NCP12400BBHAA1DR2G 编号：C904410

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP12400 是一款新型固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 VCC 电容器的设计。此器件包含一个特殊的高压检测器，会检测从交流线路上拔下的应用，然后触发 X2 放电电流。此高电压结构还能进行欠电压检测。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。由于频率折回，该控制器在轻型负载条件下具有绝佳的能效，同时还能达到极低的待机功耗。内部频率抖动、斜坡补偿和多功能锁存输入使得此控制器成为坚固电源设计的绝佳备选。专门的关断模式可通过将整个器件置于“睡眠”达到极低的无负载输入功耗，因此最大程度降低控制电路的功耗。另外，NCP12400 具有安静跳过模式，会将跳过频率锁定在可听到范围以下。此功能达到降低了跳过模式下开关脉冲导致的噪声。

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型号：TL431ACDG 编号：C233727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

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型号：NCV303LSN20T1G 编号：C892930

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP302和NCP303系列是第二代超低电流电压检测器，内置可编程延时发生器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统设计，用作复位控制器，在这类系统中，延长电池使用寿命至关重要。每个系列均具备带迟滞功能的高精度欠压检测器和外部可编程延时发生器。这些特性的组合可防止系统复位操作出现异常。 NCP302系列包含互补输出器件，提供高电平有效或低电平有效的复位信号。NCP303系列具有漏极开路N沟道输出，复位输出为低电平有效。

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型号：NCP1623ADR2G 编号：C5209121

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1623极为紧凑，旨在优化整个负载范围内PFC级的效率。它还集成了保护功能，确保运行稳定。总体而言，NCP1623非常适合对成本效益、可靠性、高功率因数和效率比有严格要求的系统

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型号：TL431BIDG 编号：C184407

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

该集成电路是三端可编程并联稳压器二极管。这些单片IC电压基准可作为低温系数齐纳二极管工作，可通过两个外部电阻从Vref编程至36 V。这些器件的工作电流范围为1.0 mA至100 mA，典型动态阻抗为0.22 Ω。这些基准的特性使其成为许多应用（如数字电压表、电源和运算放大器电路）中齐纳二极管的理想替代品。2.5 V基准便于从5.0 V逻辑电源获得稳定的基准，并且由于该集成电路作为并联稳压器工作，因此可用作正电压或负电压基准。

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型号：NCV8164AMTW180TAG 编号：C893138

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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