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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器,其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽,为 3 V 至 15 V,采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平,甚至可支持 3.3 V 的微控制器。
数据手册
  • 1+

    ¥21.15
  • 10+

    ¥18.11
  • 30+

    ¥16.3
  • 有货
  • 特性:USB 2.0 认证,全速(12 Mbps)。支持通信驱动类(CDC)、个人医疗设备类(PHDC)和供应商设备类。电池充电器检测(BCD)符合 USB 电池充电规范第 1.2 版(仅外设检测)。集成 USB 终端电阻。两通道可配置 UART 接口。数据速率高达 3 Mbps。应用:医疗/保健设备。销售点(POS)终端
    • 1+

      ¥31.73
    • 10+

      ¥27.3
    • 30+

      ¥24.66
  • 有货
  • PSoC 5LP 是一种真正的可编程嵌入式系统芯片,集成了可配置的模拟和数字外设、存储器以及微控制器于单一芯片上。PSoC 5LP 架构通过以下特性提升性能:- 32位 Arm CorteX-M3 核心加上 DMA 控制器和数字滤波处理器,最高可达80 MHz- 超低功耗,具有业界最宽的工作电压范围- 可编程的数字和模拟外设支持自定义功能- 灵活地将任何模拟或数字外设功能路由到任意引脚PSoC 设备采用高度可配置的系统芯片架构用于嵌入式控制设计。它们集成了可配置的模拟和数字电路,并由片上微控制器控制。单个 PSoC 设备可以集成多达100种数字和模拟外设功能,从而减少了设计时间、板级空间、功耗和系统成本,同时提高了系统质量。
    • 1+

      ¥77.1
    • 10+

      ¥66.08
    • 30+

      ¥59.36
  • 有货
  • 特性:24 GHz收发器MMIC。 硅锗技术
    数据手册
    • 1+

      ¥83.44
    • 10+

      ¥76.02
    • 30+

      ¥69.19
  • 有货
  • 低插损天线开关 射频pin二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9551
    • 50+

      ¥0.7785
    • 150+

      ¥0.6902
    • 500+

      ¥0.624
  • 有货
  • 特性:高插入功率增益:19.6 dB。 带外输入三阶截点:-4dBm
    数据手册
    • 1+

      ¥4.11
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.45
    • 500+

      ¥2.2
  • 有货
  • 高性能CAN收发器,符合ISO 11898-2(2016)和SAE J2284-4/-5标准,支持高达5 MBit/s的数据速率。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.31
    • 10+

      ¥3.47
    • 30+

      ¥3.05
    • 100+

      ¥2.63
  • 有货
  • IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.41
    • 10+

      ¥3.67
    • 30+

      ¥3.35
    • 100+

      ¥2.95
    • 500+

      ¥2.77
  • 有货
  • TLE6250G是一款适用于12V和24V应用的高速CAN收发器,支持高达1Mbps的数据传输速率,并具有接收模式和待机模式。该器件提供优异的EMC性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.09
    • 10+

      ¥4.91
    • 30+

      ¥4.32
    • 100+

      ¥3.73
    • 500+

      ¥3.13
  • 有货
  • 1ED44173N01B是一款低压功率MOSFET同相栅极驱动器。采用专有的抗闩锁CMOS技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥6.87
    • 10+

      ¥5.66
    • 30+

      ¥5
    • 100+

      ¥4.05
  • 有货
  • IRS4426/IRS4427/IRS4428 是低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥9.45
    • 10+

      ¥7.74
    • 30+

      ¥6.8
    • 100+

      ¥5.74
  • 有货
  • 1ED314xMU12F栅极驱动IC是采用DSO - 8 150 mil封装的、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们可提供高达6.5 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围很宽,为3 V至6.5 V,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥10.44
    • 10+

      ¥8.79
    • 30+

      ¥7.75
    • 100+

      ¥6.69
  • 有货
  • 电信、数据中心和工业开关电源(SMPS)的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料,如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管(e-mode HEMT),有助于实现高性能拓扑结构,如连续导通模式(CCM)图腾柱功率因数校正(PFC)。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%,使系统整体效率达到98%,且每个开关周期都会出现硬开关换相
    数据手册
    • 1+

      ¥11.91
    • 10+

      ¥10.11
    • 30+

      ¥8.98
    • 100+

      ¥7.83
  • 有货
  • 1ED31xxMU12H(1ED-X3紧凑型)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作,采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥17.17
    • 10+

      ¥14.46
    • 30+

      ¥12.77
    • 100+

      ¥11.03
  • 有货
  • TLE8366 是一种 PWM 降压 DC/DC 转换器,内置 1.8 A 功率开关,采用带裸露焊盘的小型 PG-DSO-8 封装。有三个版本:两个固定电压版,分别为 5.0 V (TLE8366EV50) 和 3.3 V (TLE8366EV33),以及一个参考反馈电压仅为 600 mV 的可调电压版 TLE8366EV。4.75 至 45 V 的宽输入电压范围使得 TLE8366 适用于多种应用场合。设计用于恶劣的汽车环境。标称 370 kHz 的开关频率允许使用小型且经济实惠的电感器和电容器,从而实现低且可预测的输出纹波,并最大限度地减少电路板空间占用。如果需要,可以与 200 至 530 kHz 之间的外部频率源同步。TLE8366 包含安全特性,如逐周期电流限制、过温关断和输入欠压锁定。启用功能在关断模式下消耗电流小于 2 μA,便于电池供电系统中的电源管理。电压调节环路提供出色的线路和负载调节能力。可以通过使用外部补偿网络来调整环路的稳定性。此补偿网络结合电压模式调节和前馈控制路径确保了高效的线路瞬态抑制。启动期间,集成软启动限制了浪涌电流峰值并防止电压过冲。
    • 1+

      ¥17.87
    • 10+

      ¥15.19
    • 30+

      ¥13.59
  • 有货
  • IR3888是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。其内置的PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间(CoT)控制方案,简化了设计并实现了快速控制响应。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.06
    • 10+

      ¥19.05
    • 30+

      ¥18.46
    • 100+

      ¥17.85
  • 有货
  • IRSM005 - 301MH是一款通用半桥器件,集成了栅极驱动器,采用极具吸引力的7x8mm PQFN封装。它是一个通用构建模块,适用于各种对功率密度至关重要的低压应用。典型示例包括先进的电机驱动器、直流 - 交流和直流 - 直流转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥20.856 ¥34.76
    • 10+

      ¥17.964 ¥29.94
    • 30+

      ¥16.242 ¥27.07
    • 100+

      ¥14.502 ¥24.17
    • 500+

      ¥13.698 ¥22.83
    • 1300+

      ¥13.338 ¥22.23
  • 有货
  • 1ED31xxMU12H(1ED-X3紧凑型)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作,采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥23.9
    • 10+

      ¥20.29
    • 30+

      ¥18.13
  • 有货
  • 1ED31xxMC12H(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥25.47
    • 10+

      ¥21.58
    • 30+

      ¥19.27
  • 有货
  • 1ED34x1Mc12M系列(X3模拟)由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成,其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能,可简化高可靠性系统的设计
    • 1+

      ¥34.71
    • 10+

      ¥29.89
    • 30+

      ¥26.95
  • 有货
  • 中端+系统基础芯片家族,支持CAN FD和多个LIN收发器,具备高侧开关和高压唤醒输入。
    数据手册
    • 1+

      ¥110.01
    • 10+

      ¥108.56
    • 30+

      ¥106.06
  • 有货
  • PSoC 5LP 是一种真正的可编程嵌入式系统芯片,集成了可配置的模拟和数字外设、存储器以及微控制器于单一芯片上。PSoC 5LP 架构通过以下特性提升性能:- 32位 Arm CorteX-M3 核心加上 DMA 控制器和数字滤波处理器,最高可达80 MHz- 超低功耗,具有业界最宽的工作电压范围- 可编程的数字和模拟外设支持自定义功能- 灵活地将任何模拟或数字外设功能路由到任意引脚PSoC 设备采用高度可配置的系统芯片架构用于嵌入式控制设计。它们集成了可配置的模拟和数字电路,并由片上微控制器控制。单个 PSoC 设备可以集成多达100种数字和模拟外设功能,从而减少了设计时间、板级空间、功耗和系统成本,同时提高了系统质量。
    • 1+

      ¥136.02
    • 10+

      ¥129.63
    • 30+

      ¥118.55
  • 有货
  • PSoC 5LP 是一种真正的可编程嵌入式系统芯片,集成了可配置的模拟和数字外设、存储器以及微控制器于单一芯片上。PSoC 5LP 架构通过以下特性提升性能:- 32位 Arm CorteX-M3 核心加上 DMA 控制器和数字滤波处理器,最高可达80 MHz- 超低功耗,具有业界最宽的工作电压范围- 可编程的数字和模拟外设支持自定义功能- 灵活地将任何模拟或数字外设功能路由到任意引脚PSoC 设备采用高度可配置的系统芯片架构用于嵌入式控制设计。它们集成了可配置的模拟和数字电路,并由片上微控制器控制。单个 PSoC 设备可以集成多达100种数字和模拟外设功能,从而减少了设计时间、板级空间、功耗和系统成本,同时提高了系统质量。
    • 1+

      ¥202
    • 30+

      ¥191.99
  • 有货
  • BGA855N6是一款用于GPS L5和L2、伽利略E5a、E5b、E6、格洛纳斯G3、G2以及北斗B3和B2频段的前端低噪声放大器,频率范围为1164 MHz至1300 MHz。在第4章所述的应用配置中,该LNA在4.8 mA的电流消耗下可提供17.8 dB的增益和0.60 dB的噪声系数。它的供电电压范围为1.1 V至3.3 V(器件针对1.8 V工作进行了优化,也支持1.2 V和2.8 V工作)。可通过PON引脚启用关断状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥3.08
    • 100+

      ¥3.02
  • 有货
  • IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,最低可至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.48
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥1.95
  • 有货
  • IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.27
    • 10+

      ¥3.62
    • 30+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥2.98
  • 有货
  • IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.29
    • 10+

      ¥3.48
    • 30+

      ¥3.07
    • 100+

      ¥2.67
  • 有货
  • 1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET,支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和氮化镓(GaN)功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容(CMOS 3.3 V),输入电压范围为-5 V至+20 V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.57
    • 10+

      ¥4.1
    • 30+

      ¥3.84
    • 100+

      ¥3.54
  • 有货
  • EiceDRIVER 2EDN 系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小巧且通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力,再加上有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥5.31
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.69
    • 100+

      ¥3.15
  • 有货
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