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电流感应单通道驱动器

型号：IR21271STRPBF 编号：C440505

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

1+
￥4.64
10+
￥3.85
30+
￥3.45
100+
￥3.06
500+
￥2.51

有货

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高速CAN收发器

型号：TLE9251VSJ 编号：C189937

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高性能CAN收发器，符合ISO 11898-2(2016)和SAE J2284-4/-5标准，支持高达5 MBit/s的数据速率。

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥3.94
30+
￥3.53
100+
￥3.12

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200V 高端 TDI 栅极驱动 IC，适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET

型号：1EDN7116UXTSA1 编号：C6368849

封装：PG-TSNP-7-11

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

1+
￥5.28
10+
￥4.26
30+
￥3.75
100+
￥3.25
500+
￥2.95

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单通道IGBT栅极驱动IC输出，带适用于IGBT的钳位型

型号：1EDI20I12MF 编号：C533016

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离IGBT驱动器。适用于600 V/1200 V IGBT。轨到轨输出典型峰值电流高达6 A。有源米勒钳位。电流隔离无芯变压器驱动器

数据手册

1+
￥7.97
10+
￥6.67
30+
￥5.95
100+
￥5.15

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半桥驱动器

型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥12.19
10+
￥10.21
30+
￥8.96
100+
￥7.69

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CapSense Express 控制器，具备 SmartSense 自动调谐功能，支持 16 个按钮、2 个滑块和接近传感器

型号：CY8CMBR3102-SX1IT 编号：C2759924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY8CMBR3xxx CapSense® Express™ 控制器可实现先进且易于实施的电容式触摸感应用户界面解决方案。该系列控制器可通过寄存器进行配置，最多支持 16 个电容感应输入，无需进行耗时的固件开发。这些控制器非常适合在最短的开发周期内实现电容式按键、滑块和接近感应解决方案

数据手册

1+
￥13.03
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￥11.04
30+
￥9.79
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￥8.52

有货

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具备过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示功能及集成自举二极管（BSD）的200 V和600 V三相栅极驱动器

型号：6EDL04N06PT 编号：C533115

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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￥14.0635 ￥25.57
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￥9.909 ￥22.02
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￥6.9685 ￥19.91
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￥6.223 ￥17.78
500+
￥5.88 ￥16.8
1000+
￥5.7225 ￥16.35

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单通道5.7 kV（rms）隔离式栅极驱动器IC，带有源米勒钳位或独立输出

型号：1ED3122MU12HXUMA1 编号：C17390271

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

1+
￥17.6
10+
￥14.88
30+
￥13.18
100+
￥11.44

有货

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降压型 25A 4.3V~5.5V

型号：IR3888MTRPBFAUMA1 编号：C1854990

封装：IQFN-22

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3888是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。其内置的PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化了设计并实现了快速控制响应。

数据手册

1+
￥19.12
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￥18.11
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￥17.51
100+
￥16.91

有货

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宽体封装单通道 IGBT 栅极驱动 IC

型号：1EDC60H12AH 编号：C530945

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

数据手册

1+
￥21.5
10+
￥18.35
30+
￥16.48
100+
￥13.88

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高端和低端驱动器

型号：IR2110SPBF 编号：C537554

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥23.21
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￥19.73
45+
￥17.66
90+
￥15.56

有货

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降压型 90A 4.25V~16V

型号：TDA21590AUMA1 编号：C3191591

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21590是一款高频率、低剖面的DC-DC转换器,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节。它集成了驱动器、活性二极管、控制MOSFET Q1和同步MOSFET Q2,具有多种保护功能,包括温度报告、过温保护、逐周期过流保护等。

1+
￥25.46
10+
￥21.8
30+
￥19.62

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系统基础芯片 TLE9263BQX

型号：TLE9263BQXXUMA1 编号：C2652923

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

中端+系统基础芯片家族，支持CAN FD和多个LIN收发器，具备高侧开关和高压唤醒输入。

数据手册

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￥74.8068 ￥110.01
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￥62.9648 ￥108.56
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￥50.9088 ￥106.06
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￥49.8576 ￥103.87

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用于全球导航卫星系统（GNSS）的硅锗低噪声放大器

型号：BGA524N6E6329XTSA1 编号：C6752883

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA524N6是一款用于全球导航卫星系统（GNSS）的前端低噪声放大器，适用于1550 MHz到1615 MHz的频率范围，如GPS、GLONASS、Beidou、Galileo等。该放大器提供19.6 dB的增益和0.55 dB的噪声系数，基于英飞凌科技的B7HF硅锗技术。工作电源电压为1.5 V至3.3 V。

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￥3.375
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￥3.25
200+
￥3
1000+
￥2.875
2000+
￥2.8

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半桥驱动器

型号：IR2304STRPBF 编号：C78065

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

1+
￥3.48
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￥2.81
30+
￥2.47
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￥1.95

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单通道低端栅极驱动IC，输出级源电流4 A、灌电流8 A

型号：1EDN8511B 编号：C3655509

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 栅极驱动 IC 系列采用 SOT23-5、SOT23-6 和 WSON-6 封装，其中 SOT23-5 和 SOT23-6 分别有 5 引脚和 6 引脚。引脚排列符合行业实际标准。这些产品用于驱动逻辑电平和普通电平的 MOSFET，如 OptiMOS™ 和 CoolMOS™，以及 GaN HEMT 器件

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￥3.92
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￥3.18
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￥2.81
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￥2.44
500+
￥2.22

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高端和低端驱动器

型号：IRS2301STRPBF 编号：C520632

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥6.74
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￥5.56
30+
￥4.97

有货

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硅锗宽带MMIC放大器

型号：BGA616H6327 编号：C3191605

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BGA616 是一款宽带匹配通用MMIC放大器，采用达林顿配置。它针对60 mA的典型供电电流进行了优化。BGA616基于英飞凌科技的B7HF硅锗技术。

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￥8.55
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￥7.1
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￥6.31
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￥5.41

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PSoC 4 可编程系统芯片

型号：CY8C4025AZI-S413 编号：C466854

封装：TQFP-48(7x7)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

PSoC 4000S 是一个可扩展和可重新配置的平台架构，适用于一系列基于ARM CorteX-M0+ CPU的可编程嵌入式系统控制器。它结合了可编程和可重新配置的模拟与数字模块以及灵活的自动布线功能。PSoC 4000S产品系列将微控制器与标准通信和定时外设、具有最佳性能的电容触摸感应系统（CapSense）、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性集于一体。PSoC 4000S产品将与PSoC 4平台的其他成员向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

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1+
￥9.18
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￥7.63
30+
￥6.78

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IR半桥驱动器

型号：IR2183STRPBF 编号：C2653806

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

数据手册

1+
￥9.73
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￥8.07
30+
￥7.15
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￥6.12
500+
￥5.66

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高速CAN收发器

型号：TLE9250XLEXUMA1 编号：C1882544

封装：TSON-8-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

完全符合ISO 11898-2 (2016)和SAE J2284-4/-5标准，支持CAN FD数据帧高达5 MBit/s。

数据手册

1+
￥10.11
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￥8.33
30+
￥7.35
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￥6.24

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半桥驱动器

型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥10.46
10+
￥8.66
30+
￥7.67

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集成自举二极管的650 V半桥栅极驱动器

型号：2ED21084S06JXUMA1 编号：C3655642

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力，在 VS 引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V 的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

1+
￥10.95
10+
￥9.3
30+
￥8.26

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双低侧驱动器

型号：IR4426STRPBF 编号：C537737

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容

数据手册

1+
￥11.41
10+
￥9.7
30+
￥8.63
100+
￥7.53

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降压型 1.8A 4.75V~45V

型号：IFX91041EJV50 编号：C3187145

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IFX91041系列是单片集成电路，可为降压（buck）开关稳压器提供所有有源功能，能够驱动高达1.8A的负载电流，并具备出色的线性和负载调节能力。这些器件适用于工业应用，具备诸如电流限制和过温关断等保护功能。

1+
￥11.98
10+
￥10.17
30+
￥9.03
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￥7.87

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单通道3.0 kV（有效值）隔离式栅极驱动IC，具备有源密勒钳位或独立输出

型号：1ED3127MU12FXUMA1 编号：C17649548

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

1+
￥14.06
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￥11.95
30+
￥10.63
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￥9.28

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2.5 A半桥，集成驱动器和电平转换器

型号：TLF11251EPXUMA1 编号：C1518701

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款带有集成驱动器和电平转换器的2.5A半桥。它在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成，以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑，并确保其在指定范围内的电源电压下工作。

1+
￥16.1
10+
￥13.66
30+
￥12.13

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双通道隔离栅极驱动IC

型号：2EDR7259XXUMA1 编号：C17373399

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

1+
￥18.2
10+
￥15.46
30+
￥13.82
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￥12.17

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单通道隔离式SiC-MOSFET驱动器

型号：1EDI3031ASXUMA1 编号：C17668389

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER栅极驱动器1EDI3031AS是一款高压SiC-MOSFET驱动器，专为5 kW以上的汽车电机驱动而设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。它支持400 V、600 V和1200 V的SiC-MOSFET技术

1+
￥22.32
10+
￥21.79
30+
￥21.43

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1ED020I12B2XUMA1

型号：1ED020I12B2XUMA1 编号：C7431136

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥34.98
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￥29.73
30+
￥26.61

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