Infineon英飞凌dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：2EDL05N06PF 编号：C533066

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED05 是一款 600V 半桥栅极驱动器系列产品。其英飞凌薄膜绝缘体上硅（thin-film-SOI）技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容

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型号：CYPD3175-24LQXQT 编号：C2952419

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CCG3PA提供额外的功能和BOM集成优势。使用Cypress专有的MoS8技术，支持USB PD3.0 Version 1.1 Spec，包括可编程电源模式。

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型号：TLE6250GV33XUMA1 编号：C2652852

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高速CAN收发器，支持高达1 Mbps的数据传输速率，适用于12V和24V应用，具有良好的EMC性能。

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型号：1ED3123MC12HXUMA1 编号：C5311592

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：SLB9670VQ20FW785XTMA1 编号：C1012863

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

符合TPM Main Specification Family 2.0，硬件和固件通过FIPS140-2 Level 2验证。支持SPI接口，满足Intel TXT、Microsoft Windows和Google Chromebook认证标准。具有随机数生成器，支持SHA-1或SHA-256哈希算法。优化电池供电设备，低待机电流（典型值110uA）。内置Linux内核支持。

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型号：IR2214SSTRPBF 编号：C537614

封装：SSOP-24-208mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力（2 A 源电流、3 A 灌电流），且静态电流需求低，这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护，并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障，从而防止过电压并减少电磁辐射

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型号：IR3840MTRPBF 编号：C537713

封装：QFN-14(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3840 SupIRBuckTM 是一款易于使用、高度集成且高效的 DC/DC 同步降压稳压器。与片上 PWM 控制器共封装的 MOSFET 使 IR3840 成为节省空间的解决方案，可为低输出电压应用提供精确的功率传输。IR3840 是一款多功能稳压器，可在宽输入和输出电压范围内工作，同时提供启动时间、开关频率和电流限制的可编程性。开关频率可在 250kHz 至 1.5MHz 范围内编程，以实现最佳解决方案。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、打嗝式电流限制和热关断，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

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型号：BGS12SN6E6327XTSA1 编号：C114953

封装：DFN-6(0.7x1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

RF MOS开关专为WLAN和蓝牙应用而设计。任意2个端口都可作为分集天线的终端，可处理高达30 dBm的功率。这款单电源芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过开关的...

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型号：2EDN7524F 编号：C533081

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。

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型号：IRS2103STRPBF 编号：C2958

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：IR2109STRPBF 编号：C2966

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：1EDI60N12AF 编号：C454268

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式MOSFET驱动器。输入到输出隔离电压高达1200 V。适用于高压功率MOSFET。轨到轨输出的典型峰值电流高达10 A。独立的源极和漏极输出。电流隔离核心

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型号：IR21094STRPBF 编号：C19559

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：1EDC20H12AH 编号：C530940

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：IR21844STRPBF 编号：C415702

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：TLE9263-3BQX 编号：C540140

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

中档+系统基础芯片家族，集成低降压电压调节器、高速CAN收发器、LIN收发器、高侧开关等功能。

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型号：PXE1610CDN-G003 编号：C538651

封装：VQFN-48-EP(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

企业级数字控制器为英特尔VR13和VR12.5应用提供电源。通过支持5mV/步和10mV/步VID表、动态电压识别（DVID）、电源状态（PS）和VR数据与配置寄存器要求的SVID接口来控制命令和监控功能。先进的控制回路特性，如主动瞬态响应（ATR）调制和快速DVID响应，能够对高di/dt负载瞬变和大电压阶跃实现最佳响应。对电流检测进行可编程温度补偿，使设计人员能够针对不同温度调整响应，以实现最佳负载线精度。通过高过采样率和数字电流估计实现了一流的抗噪能力。除了电感DCR电流检测外，企业级控制器还支持具有集成电流检测和集成温度检测的英飞凌集成功率级

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型号：1ED3122MC12HXUMA1 编号：C17379449

封装：SOIC-8-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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型号：SAE800G 编号：C538664

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

SAE 800 是一款单音、双音或三音锣声集成电路，专为极宽的电源电压范围而设计。例如，如果将振荡器设置为 f₀ = 13.2 kHz，该集成电路在三音模式下将发出小三度和大三度音 Θ² - 升 C - a，对应频率为 660 Hz - 550 Hz - 440 Hz；在双音模式下发出小三度音 Θ² - 升 C；在单音模式下发出音 Θ²（由基频 f₀ 推导得出；f₁ = f₀ / 20，f₂ = f₀ / 24，f₃ = f₀ / 30）。未触发时，该集成电路处于待机状态，仅消耗几 μA 电流

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型号：TLE7258SJ 编号：C540019

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

单线LIN收发器，传输速率高达20kbps。符合ISO17987-4、LIN规范2.2A和SAEJ2602标准。睡眠模式下电流消耗极低，具有唤醒功能。与3.3V和5V微控制器兼容。

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型号：IR21271STRPBF 编号：C440505

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

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型号：TLE94108ELXUMA1 编号：C2680272

封装：SSOP-24-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94108EL是一款带保护功能的八路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

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型号：1EDI60I12AF 编号：C533025

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：2ED020I12-FI 编号：C533039

封装：DSO-18

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。

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