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首页 > 热门关键词 > 芯朋微电源管理芯片
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PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。
数据手册
  • 5+

    ¥2.1442
  • 50+

    ¥1.6997
  • 150+

    ¥1.5092
  • 500+

    ¥1.2716
  • 2500+

    ¥1.1657
  • 4000+

    ¥1.1022
  • 有货
  • AP2900是一款高效率同步降压稳压器,在6V~40V宽输入电压范围内可提供0.7A输出电流。开关频率为100kHz,内置软启动电路和多种保护功能,适合单层PCB布局。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.449
    • 50+

      ¥1.1143
    • 150+

      ¥0.9708
    • 500+

      ¥0.7918
    • 3000+

      ¥0.7121
    • 6000+

      ¥0.6642
  • 有货
  • PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8015内置高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.799015 ¥1.8937
    • 50+

      ¥1.42804 ¥1.5032
    • 150+

      ¥1.26901 ¥1.3358
    • 500+

      ¥1.07065 ¥1.127
    • 2500+

      ¥0.9823 ¥1.034
    • 4000+

      ¥0.92929 ¥0.9782
  • 有货
  • 宽输出范围非隔离交直流转换芯片
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9745
    • 50+

      ¥1.5814
    • 150+

      ¥1.4129
    • 500+

      ¥1.2027
    • 2500+

      ¥1.0356
    • 4000+

      ¥0.9794
  • 有货
  • PN8034集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8034内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8034的降频调制技术有助于改善EMI特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8762
    • 50+

      ¥1.4427
    • 150+

      ¥1.257
    • 500+

      ¥1.0252
    • 2500+

      ¥0.922
    • 4000+

      ¥0.86
  • 有货
  • PN8680P集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680P为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于50mW。在恒压模式,采用多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2471
    • 50+

      ¥1.7784
    • 150+

      ¥1.5775
    • 500+

      ¥1.2432
    • 2500+

      ¥1.1316
  • 有货
  • AP2007是一款紧凑、高效的同步升压转换器,具有嵌入式功率MOSFET,适用于单节锂离子/聚合物电池。它使用70μA的典型静态电流,并在轻负载模式下按需切换,在重负载模式下使用1MHz的固定频率PWM技术。该器件具有内部软启动功能,可限制浪涌电流,并具有逐周期电流限制和过温保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7102
    • 50+

      ¥1.3524
    • 150+

      ¥1.199
    • 500+

      ¥1.0077
    • 2500+

      ¥0.9225
    • 4000+

      ¥0.8713
  • 有货
  • PN8275内部集成了电流模式控制器和高压启动模块,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。 该芯片通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证系统的良好EMI表现。
    数据手册
    • 1+

      ¥2
    • 10+

      ¥1.33
  • 有货
  • AP8012H芯片内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于改善EMI特性。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.24
    • 50+

      ¥1.73
    • 150+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.23
    • 2500+

      ¥1.11
    • 4000+

      ¥1.03
  • 有货
  • AP2004H是一个恒定频率峰值电流模式的异步PWM升压转换器,需要一个外部肖特基二极管。在轻负载时,AP2004H工作在轻负载模式。静态电流为100uA,关断电流小于1uA。内部NMOS管导通电阻为130mΩ,保证在整个输出负载范围内高效率。3A峰值电流使得AP2004H可以提供1.5A输出负载电流。非常适合用于MID和移动电源。输入电压范围2.5~5.5V。内部工作频率是设定在1.0MHz。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6389
    • 50+

      ¥0.494
    • 150+

      ¥0.4215
    • 500+

      ¥0.3672
    • 3000+

      ¥0.3237
    • 6000+

      ¥0.3019
  • 有货
  • AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET,适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗;抖频技术有助于改善功率离线式开关电源。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.05
    • 50+

      ¥1.53
    • 150+

      ¥1.31
    • 500+

      ¥1.03
  • 有货
  • 常用锂电池充电芯片,功能同TP4056
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6154
    • 50+

      ¥0.4954
    • 150+

      ¥0.4354
    • 500+

      ¥0.3904
    • 2500+

      ¥0.3544
    • 4000+

      ¥0.3364
  • 有货
  • PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1013
    • 50+

      ¥0.9543
    • 150+

      ¥0.8913
    • 500+

      ¥0.8127
  • 有货
  • AP2005是一款电流模式DC-DC升压转换器,内部集成0.05Ω,4.5A,12V功率MOSFET,具有固定的1MHz PWM频率,误差放大器的同相输入端连接到一个精准的0.6V基准电压,内置软启动功能和过温保护。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3708
    • 50+

      ¥1.0684
    • 150+

      ¥0.9387
    • 500+

      ¥0.777
    • 2500+

      ¥0.705
    • 4000+

      ¥0.6618
  • 有货
  • AP2953A是一款单片同步整流降压稳压器,集成了100mΩ的MOSFET,可在4.75V到18V的输入电压范围内提供3A的负载能力。具有可调的软启动时间和欠压保护功能,效率可达95%。封装为SOP8-PP。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1338
    • 50+

      ¥1.6408
    • 150+

      ¥1.4296
    • 500+

      ¥1.166
  • 有货
  • AP2104B 是一个具备低噪声、恒定开关频率(400kHz)的电容式电压倍增器。输入 2.7 至 5.5V,产生恒定的 5V 输出电压,最大输出电流能达到 250mA。较少的外部器件(仅有一只自举电容和 VIN 以及 VOUT 上的 2 只旁路电容)使得 AP2104B 很适合应用于电池供电的小型设备。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.60819 ¥0.6402
    • 50+

      ¥0.489535 ¥0.5153
    • 150+

      ¥0.430255 ¥0.4529
    • 500+

      ¥0.385795 ¥0.4061
    • 3000+

      ¥0.35017 ¥0.3686
    • 6000+

      ¥0.332405 ¥0.3499
  • 有货
  • AP2000A是一款1.0MHz固定开关频率,高效率的同步升压转换器,能够用于单节干电池产生3.3V电压并提供100mA以上的驱动能力。内部集成了NMOS主开关管和PMOS的同步整流管,1.0MHz的开关频率可以使用小型化的电感和陶瓷电容,减小了整体应用方案尺寸。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9117
    • 50+

      ¥0.7067
    • 150+

      ¥0.6189
    • 500+

      ¥0.5093
  • 有货
  • AP5056是一个完整的单片锂离子电池恒流/恒压线性电源管理芯片,其SOP/MSOP封装和极少的外围元件非常适合应用于便携式产品,而且AP5056专门设计适用于USB的供电规格。基于内部MOSFET结构,不需要外部感应电阻和隔离二极管,当外部环境温度过高或在大功率工作时,热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压被固定在4.2V,充电电流可通过外部电阻设置。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5096
    • 50+

      ¥0.4039
    • 150+

      ¥0.3511
    • 500+

      ¥0.3114
    • 2500+

      ¥0.2494
  • 有货
  • PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8307H集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1823
    • 50+

      ¥1.7136
    • 150+

      ¥1.5127
    • 500+

      ¥1.2621
  • 有货
  • PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(264VAC)小于50mW。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.71
    • 30+

      ¥2.37
    • 100+

      ¥2.04
    • 500+

      ¥1.83
  • 有货
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