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首页 > 热门关键词 > 韦尔电源管理芯片
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超低压差，500mA，CMOS低压差线性稳压器（LDO）
型号：WL2803E33-5/TR 编号：C192928
封装：SOT-23-5L
品牌：WILLSEMI(韦尔)
是超低压降、低静态电流、高电源抑制比 (PSRR) 的 CMOS 低压差线性稳压器 (LDO)。在 500mA 负载电流下，压差典型值为 130mV。采用 CMOS 结构，在整个输入电压范围内，静态电流典型值为 150uA，适用于需要高输出电流的消费和网络应用。输出电压范围为 1.2V 至 3.3V，步长为 0.1V。具备热关断 (OTP) 和限流功能，以确保芯片和电源系统在异常情况下的稳定性，并采用微调技术保证输出电压精度在 ±2% 以内。采用 SOT-23-5L 封装，标准产品无铅、无卤。
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    WL28631D28-4/TR
    型号：WL28631D28-4/TR 编号：C52993369
    封装：DFN-4L(1x1)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)

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    超低导通电阻P-MOSFET高侧开关
    型号：WS4601E-5/TR 编号：C213171
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS4601是一款采用超低导通电阻P沟道MOSFET的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流
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    低噪声、高PSRR、高速CMOS LDO
    型号：WL2836D25-4/TR 编号：C2931316
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。
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    低噪声、高PSRR、高速CMOS LDO
    型号：WL2836D28-4/TR 编号：C2931317
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。
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    低功耗，CMOS低压差线性稳压器（LDO）
    型号：WL2815D18-4/TR 编号：C506122
    封装：X2-DFN1010-4-EP
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间
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    低噪声、高PSRR、高速CMOS LDO
    型号：WL2836D30-4/TR 编号：C506138
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制功能既可以作为短路保护，也可以作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。
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    低噪声、高电源抑制比、高速CMOS LDO 停产
    型号：WL2820D18-4/TR 编号：C506109
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该产品在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压。因此，电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤。
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    低功耗，CMOS低压差线性稳压器（LDO）
    型号：WL2815D33-4/TR 编号：C506126
    封装：XDFN-4-EP(1x1)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间
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    输入5.5V 输出3V
    型号：WL2815D30-4/TR 编号：C411886
    封装：UDFN-4-EP(1x1)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是低压差线性稳压器，针对电池供电系统进行了优化，可提供低静态电流的高性能解决方案。适用于手机、笔记本电脑和其他便携式设备。采用低成本陶瓷电容器，确保输出电流的稳定性，提高效率，延长便携式设备的电池寿命。采用DFN1x1-4L封装，标准产品为无铅和无卤产品。
    数据手册

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    低噪声、高PSRR、高速CMOS LDO
    型号：WL2836D33-4/TR 编号：C2931318
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。
    数据手册

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      ￥0.2006
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    低噪声、高PSRR、高速CMOS LDO
    型号：WL2820D105-4/TR 编号：C2931313
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压。因此，电流限制功能既作为短路保护，也作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤。
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    • 5+

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      ￥0.2802
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    Over-Voltage-Protection Load Switch with Adjustable OVLO threshold
    型号：WS3222D-8/TR 编号：C239703
    封装：WDFN-8-EP(2x2)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS3222是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压
    数据手册

    • 5+

      ￥1.7134

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    带精密可调电流限制的过压保护IC
    型号：WS3235D-8/TR 编号：C2939858
    封装：DFN-8-EP(2x2)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS3235具备输入和电池过压保护功能，以及精确可调的输出电流限制功能。当输入电压超过输入过压保护（OVP）阈值时，WS3235将关闭内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接。电流限制阈值可通过外部电阻进行编程设置
    数据手册

    • 1+

      ￥1.89

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      ￥1.35
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    用于相机应用的7通道LDO PMIC
    型号：WL2868C-20/TR 编号：C2941884
    封装：CSP-20L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2868C是一款集成了7个低压差线性稳压器（LDO）的电源管理集成电路（PMIC），该PMIC有2个低压差LDO用于大电流数字电源（DVDD），还有5个高电源抑制比（PSRR）的LDO用于对噪声敏感的电源轨。这些LDO的输出电压和上电顺序可通过I2C接口进行设置。WL2868C还集成了带有中断指示的故障监测功能
    数据手册

    • 1+

      ￥4.62

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      ￥4.11

    • 30+

      ￥3.86

    • 100+

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      ￥3.46

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      ￥3.39
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    低噪声、高PSRR、高速CMOS LDO
    型号：WL2836D18-4/TR 编号：C506085
    封装：XDFN-4-EP(1x1)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制功能既可以作为短路保护，也可以作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。
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    • 10+

      ￥0.3664

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      ￥0.2488

    • 1000+

      ￥0.2194
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    适用于射频和模拟电路的超低噪声、高电源抑制比（PSRR）、250mA 线性低压差稳压器（LDO）
    型号：WL2863E28-5/TR 编号：C2931321
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2863E是一款线性稳压器，能够提供250 mA的输出电流。该器件专为满足射频和模拟电路的要求而设计，具备低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及出色的负载/线性瞬态响应特性。该器件设计为搭配1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容使用（无需单独的噪声抑制旁路电容）
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    • 5+

      ￥0.7051

    • 50+

      ￥0.5496

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    • 500+

      ￥0.4135
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    WS4612EBB-5/TR
    型号：WS4612EBB-5/TR 编号：C42404603
    封装：SOT-23-5
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是一款带有超低导通电阻 P-MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可以限制大电容负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。还集成了反向保护功能，可消除设备关闭时开关两端的任何反向电流。输出自动放电功能使设备关闭时输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。采用 SOT-23-5L 封装，标准产品无铅和无卤。

    • 5+

      ￥0.7099

    • 50+

      ￥0.5639

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      ￥0.4909

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      ￥0.4362
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    电源分配开关
    型号：WS4603E-5/TR 编号：C239793
    封装：TSOT-25
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS4603 是一款采用超低导通电阻 P 沟道 MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4603 还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7688

    • 50+

      ￥0.5944

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    • 500+

      ￥0.4418
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    1A、5.5V超低压差线性稳压器
    型号：WL2834CA-6/TR 编号：C2941882
    封装：WLCSP-6L(0.7x1.1)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2834CA是一款1 A的低压差线性稳压器（VLDO），配备NMOS通晶体管和独立的偏置电源电压（VBIAS）。该器件可提供非常稳定、精确的输出电压，且噪声低，适用于空间受限、对噪声敏感的应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能，WL2834CA具有低静态电流（IQ）消耗的特点
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6503

    • 50+

      ￥1.2725

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