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首页 > 热门关键词 > Infineon英飞凌dcdc芯片
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特性:高插入功率增益:20.0 dB。 带外输入三阶截点:-2 dBm
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    ¥5.99
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    ¥4.77
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    ¥4.16
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    ¥3
  • 有货
  • IR3599/IR3599A 是一种相位倍增器,设计用于将单个PWM输入信号加倍或四倍,从而实现高相位计数的电压调节器。支持多种配置模式,包括双倍和四倍逻辑,适用于服务器和台式计算机等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.53
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      ¥5.93
    • 30+

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      ¥4.98
  • 有货
  • TDA21590是一款高频率、低剖面的DC-DC转换器,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节。它集成了驱动器、活性二极管、控制MOSFET Q1和同步MOSFET Q2,具有多种保护功能,包括温度报告、过温保护、逐周期过流保护等。
    • 1+

      ¥25.46
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      ¥21.8
    • 30+

      ¥19.62
  • 有货
  • IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
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      ¥2.48
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      ¥1.93
    • 30+

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      ¥1.39
  • 有货
  • IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配,便于HVIC在高频应用中使用。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.6125
    • 50+

      ¥2.0251
    • 150+

      ¥1.7734
  • 有货
  • 1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET,支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和氮化镓(GaN)功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容(CMOS 3.3 V),输入电压范围为-5 V至+20 V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
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      ¥2.3
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      ¥2.02
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      ¥1.67
  • 有货
  • 半桥驱动集成电路,可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。
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    • 1+

      ¥5.56
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      ¥4.43
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      ¥3.86
    • 100+

      ¥3.3
  • 有货
  • 特性:单通道隔离IGBT驱动器。 适用于600 V/1200 V IGBT。 轨到轨输出典型峰值电流高达6 A。 有源米勒钳位。 电流隔离无芯变压器驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.15
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      ¥5.86
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      ¥5.14
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      ¥4.34
    • 500+

      ¥3.98
  • 有货
  • IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.18
    • 10+

      ¥6.03
    • 30+

      ¥5.39
    • 100+

      ¥4.68
  • 有货
  • PSoC 4000S 是一个可扩展和可重新配置的平台架构,适用于一系列基于ARM CorteX-M0+ CPU的可编程嵌入式系统控制器。它结合了可编程和可重新配置的模拟与数字模块以及灵活的自动布线功能。PSoC 4000S产品系列将微控制器与标准通信和定时外设、具有最佳性能的电容触摸感应系统(CapSense)、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性集于一体。PSoC 4000S产品将与PSoC 4平台的其他成员向上兼容,以满足新的应用和设计需求。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.54
    • 10+

      ¥7.1
    • 30+

      ¥6.31
  • 有货
  • TLE94106ES是一款具备保护功能的六路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风与空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载
    数据手册
    • 1+

      ¥9.04
    • 10+

      ¥8.22
    • 30+

      ¥7.71
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      ¥7.19
    • 500+

      ¥6.95
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥10.84
    • 10+

      ¥9.13
    • 30+

      ¥8.06
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  • IFX91041系列是单片集成电路,可为降压(buck)开关稳压器提供所有有源功能,能够驱动高达1.8A的负载电流,并具备出色的线性和负载调节能力。这些器件适用于工业应用,具备诸如电流限制和过温关断等保护功能。
    • 1+

      ¥11.98
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      ¥10.17
    • 30+

      ¥9.03
    • 100+

      ¥7.87
  • 有货
  • TLE75602 - ESH是一款采用PG - TSDSO - 24 - 21封装的八通道低边和高边功率开关,具备嵌入式保护功能。它专为控制汽车和工业应用中的继电器和LED而设计。该器件利用串行外设接口(SPI)对负载以及器件本身进行控制和诊断
    数据手册
    • 1+

      ¥17.26
    • 10+

      ¥14.55
    • 30+

      ¥12.86
  • 有货
  • 是通用的6A H桥,用于控制直流电机或其他感性负载。输出可进行频率高达20kHz的脉冲宽度调制,PWM/DIR控制可减少微控制器端所需的PWM引脚数量。当负载电流超过电流限制阈值(典型值8A)时,H桥进入斩波电流限制模式。具备短路和过温保护功能,可通过SPI进行全面诊断或通过错误标志提供基本反馈。可在桥禁用或感性负载PWM运行期间检测开路负载。坚固的PG-DSO-12-17封装,由于厚铜散热片,具有出色的热性能。散热片的突出边缘使封装适合自动光学焊接检测。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.51
    • 10+

      ¥23.62
    • 30+

      ¥20.59
  • 有货
  • BTM7740G 是 TrilithIC 系列产品的一员,该系列产品在一个封装中集成了三个芯片:一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚,因此 BTM7740G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTM7740G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造,该技术将低导通电阻(RDSON)的垂直 DMOS 功率级与用于控制、保护和诊断的 CMOS 电路相结合。
    • 1+

      ¥29.46
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      ¥28.13
    • 30+

      ¥27.33
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      ¥26.65
  • 有货
  • 是一款先进的栅极驱动IC,用于控制6个外部N沟道MOSFET,形成用于汽车领域大电流三相电机驱动应用的逆变器。一款精密的高压技术使TLE9183QK能够支持12V电池系统的应用,即使在恶劣的汽车环境中,结合高电机电流。因此,桥接、电机和电源相关引脚可以承受高达40V的电压。电机相关引脚甚至可以承受低至-15V的负电压瞬变而不会损坏。所有低侧和高侧输出级均基于浮动概念,其驱动强度允许驱动市场上常见的最低RDSON MOSFET。集成的SPI接口用于在上电后为应用配置TLE9183QK
    • 1+

      ¥35.69
    • 10+

      ¥30.48
    • 30+

      ¥27.3
  • 有货
  • IRS44273L是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。采用专有的抗闭锁CMOS技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6
    • 10+

      ¥2.02
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      ¥1.77
    • 100+

      ¥1.46
  • 有货
  • BGA5H1BN6 是一款适用于LTE的前端低噪声放大器,覆盖从2300 MHz到2690 MHz的宽频率范围。在第4章描述的应用配置中,LNA提供18.1 dB增益和0.7 dB噪声系数,电流消耗为8.5 mA。在旁路模式下,LNA提供5.2 dB的插入损耗。BGA5H1BN6基于英飞凌科技公司的B9HF硅锗技术。它的工作电源电压范围是从1.5V到3.6V。该器件具有单线两状态控制(旁路模式和高增益模式)。通过断开VCC供电可以启用关闭状态。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.11
    • 100+

      ¥1.76
    • 500+

      ¥1.6
  • 有货
  • 2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器,适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET,支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和GaN功率器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥1.94
    • 500+

      ¥1.68
  • 有货
  • EiceDRIVER™ 栅极驱动 IC 系列采用 SOT23-5、SOT23-6 和 WSON-6 封装,其中 SOT23-5 和 SOT23-6 分别有 5 引脚和 6 引脚。引脚排列符合行业实际标准。这些产品用于驱动逻辑电平和普通电平的 MOSFET,如 OptiMOS™ 和 CoolMOS™,以及 GaN HEMT 器件
    • 1+

      ¥3.9384 ¥5.47
    • 10+

      ¥3.2688 ¥4.54
    • 30+

      ¥2.9304 ¥4.07
    • 100+

      ¥2.5992 ¥3.61
    • 500+

      ¥2.0952 ¥2.91
    • 1000+

      ¥1.9944 ¥2.77
  • 有货
  • EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路,逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制,完全独立于驱动器的参考(接地)电位。这消除了误触发的风险,因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势,这是采用 4 引脚封装(开尔文源极连接)、高寄生 PCB 电感(长距离、单层 PCB)、双极栅极驱动的系统常见的问题
    数据手册
    • 1+

      ¥4.16
    • 10+

      ¥3.31
    • 30+

      ¥2.89
    • 100+

      ¥2.48
    • 500+

      ¥2.23
  • 有货
  • 单线LIN收发器,传输速率高达20 kbps,符合ISO17987-4和LIN规范2.2A,睡眠模式下功耗极低,具有唤醒功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.91
    • 10+

      ¥3.81
    • 30+

      ¥3.27
    • 100+

      ¥2.72
  • 有货
  • 是单通道栅极驱动IC,针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性,可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计,包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。
    • 1+

      ¥5.07
    • 10+

      ¥4.06
    • 30+

      ¥3.55
  • 有货
  • 特性:单通道隔离式IGBT驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200V。 适用于高压功率IGBT。 典型值高达10A
    数据手册
    • 1+

      ¥7.43
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥6.32
    • 100+

      ¥5.89
  • 有货
  • 6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器,用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件,最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术,该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
    数据手册
    • 1+

      ¥10.4
    • 10+

      ¥8.42
    • 30+

      ¥7.18
    • 100+

      ¥5.52
  • 有货
  • 1EDL8011栅极驱动IC凭借其强大的栅极电流能力,可实现高端N沟道MOSFET的快速导通和关断。它包含一个集成式电荷泵和一个外部电容器,以提供强劲的启动能力。当工作输入电压较低时,内部电荷泵可为MOSFET提供栅极电压
    • 1+

      ¥10.41
    • 10+

      ¥8.76
    • 30+

      ¥7.74
    • 100+

      ¥6.68
    • 500+

      ¥6.21
    • 1000+

      ¥6
  • 订货
  • 是高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200V的N沟道功率MOSFET或IGBT。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术,实现坚固的单片结构。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.59
    • 10+

      ¥8.94
    • 30+

      ¥7.91
    • 100+

      ¥6.48
    • 500+

      ¥6
    • 1000+

      ¥5.8
  • 有货
  • 是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列,通过无芯变压器(CT)技术提供功能(2EDFx)或增强(2EDSx)输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快,特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET(CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC)。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计,针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计,提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强(安全)和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度:4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET,1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变(EMI)。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器(如1EDNx 4A/8A)结合用作PWM数据耦合器,该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置
    数据手册
    • 1+

      ¥10.95
    • 10+

      ¥9.29
    • 30+

      ¥8.24
    • 100+

      ¥7.18
  • 有货
  • 600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.26
    • 10+

      ¥9.64
    • 30+

      ¥8.75
    • 100+

      ¥7.75
  • 有货
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