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封装：UMLP-12(1.8x1.8)

FSA2275A 是一款高性能、双刀双掷 (DPDT) 模拟开关，具有负摆幅音频功能。FSA2275A 在 2.5 V VVC 下具有 0.5Ω（典型值）的超低音频 RON。FSA2275A 在 2.5 V 至 5.5 V 的 VCC 范围内运行，采用亚微米 CMOS 技术制造，可实现快速开关，适用于先开后合运行。为了最大程度减少运行期间的噪音，可以用外部电容器 (C_EXT) 选择开启斜坡时间。FSA2275A 具有 THD+N 规格，适用于实现 32 Ω 耳机和线路输出型负载 (>600 Ω) 的高保真音频质量。FSA2275A 去除了分路电阻，增强了抗干扰度。

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型号：FAN3122TMX 编号：C457747

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 结合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中没有使用过。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。

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型号：NCV57100DWR2G 编号：C5206711

封装：SOIC-16-W

品牌：onsemi(安森美)

NCx5710y是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路FAULT和READY输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护和DESAT诊断功能、DESAT时软关断、禁用输出功能，以及为方便系统设计而设置的独立高、低（OUTH和OUTL）驱动器输出（NCx57100）。NCx5710y兼容5 V和3.3V

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型号：NCV5173EDR2G 编号：C463165

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5173是一款高效率的280kHz/560kHz升压转换器,具有1.5 A的集成开关。其输入电压范围为2.7 V到30 V,适用于多种电源配置,包括升压、反激、正激、反相和SEPIC。该芯片采用电流模式架构,具有过流保护、热关断和同步功能。

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型号：NCP1565MNTXG 编号：C603603

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1565是一款高度集成的双模式有源钳位PWM控制器，适用于电信和数据通信行业的下一代高密度、高性能中小功率隔离式直流-直流转换器。它可以配置为带输入电压前馈的电压模式控制或峰值电流模式控制。峰值电流模式控制也可通过输入电压前馈实现。可调节的自适应重叠时间可根据输入电压和负载条件优化系统效率。该控制器集成了实现隔离式有源钳位正激或不对称半桥转换器所需的所有控制和保护功能。它集成了一个高压启动偏置稳压器。NCP1565具有线路欠压检测器、逐周期电流限制、与线路电压相关的最大占空比限制，以及使用外部热敏电阻的可编程过温保护功能。它还包括一个双功能FLT/SD引脚，用于指示故障的存在，也可用于关闭控制器。

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型号：LM2575TV-ADJG 编号：C70348

封装：TO-220-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2575系列稳压器是单片集成电路，非常适合轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能够驱动1.0 A的负载，且具有出色的线性和负载调节能力。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：FDMF8811 编号：C891032

封装：PQFN-36(6x7.5)

品牌：onsemi(安森美)

100 V 桥式功率级（BPS）模块是一款针对大电流 DC - DC 开关应用进行全面优化的紧凑型集成式 MOSFET 加驱动器功率级解决方案。FDMF8811 将一颗驱动器 IC、两颗功率 MOSFET 和一个自举二极管集成到热性能增强的紧凑型 6.0 mm×7.5 mm PQFN 封装中

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型号：LM431SBCMFX 编号：C232767

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

1% 允差并联稳压器

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型号：KA431SLMF2TF 编号：C891343

封装：SOT-23F-3

品牌：onsemi(安森美)

KA431S / KA431SA / KA431SL 是三端可调稳压器系列，在工作温度范围内具有有保证的热稳定性。通过两个外部电阻，输出电压可设置为 VREF（约 2.5 V）至 36 V 之间的任意值。这些器件的典型动态输出阻抗为 0.2 Ω。有源输出电路具有陡峭的导通特性，使其在许多应用中能出色替代齐纳二极管。

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型号：NLVASB3157DFT2G 编号：C145550

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

NLVASB3157 是一种先进的 CMOS 模拟开关，采用硅栅 CMOS 技术制造。它实现了非常低的传播延迟和导通电阻，同时保持了 CMOS 的低功耗特性。该设备是 NC7SB3157 的替代品。

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型号：SCV431BSN1T1G 编号：C464264

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低压精确可调分路稳压器

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型号：SC431AVSNT1G 编号：C97748

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

电压参比，低阴极电流，可编程，分路稳压器

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型号：NCV301LSN22T1G 编号：C892919

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP300 和 NCP301 系列是第二代超低电流电压检测器。这些器件专为在基于便携式微处理器的系统中用作复位控制器而设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都配备高精度欠压检测器，并带有迟滞功能，可防止超过比较器阈值时系统出现不稳定的复位操作。

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型号：NCV303LSN31T1G 编号：C464244

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP/NCV302 和 NCP/NCV303 系列是第二代超低电流电压检测器，包含了一个可编程时间延迟生成器。此类器件专门用作重置控制器，适用于较长电池寿命至关重要的、基于便携式微处理器的系统。每个系列均具有带有迟滞的高准确度欠电压检测器，以及外部可编程时间延迟生成器。这种功能组合可防止错误的系统重置运行。NCP/NCV302 系列由互补输出器件组成，并提供有效高电平或有效低电平重置。NCP/NCV303 系列具有开路漏极 N 沟道输出，且带有有效低电平重置输出。

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型号：MAX809TTRG 编号：C236052

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

是具有成本效益的系统监控电路，用于监控数字系统中的VCC，并在必要时向主处理器提供复位信号，无需外部组件。复位输出在VCC降至复位电压阈值以下10 μs内变为有效。复位在VCC升至复位阈值以上后的一段超时时间内保持有效。MAX810具有高电平有效的RESET输出，而MAX809具有低电平有效的RESET输出。两种器件均提供SOT-23和SC-70封装。优化设计可抑制VCC线路上的快速瞬态干扰。0.5 μA的低电源电流（VCC = 3.2V）使这些器件适用于电池供电的应用。

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型号：NCV303LSN42T1G 编号：C892937

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程时间延迟发生器。专为便携式微处理器系统中的复位控制器而设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都具有一个高精度的欠压检测器和一个外部可编程时间延迟发生器，这种特性组合可防止系统复位操作不稳定。

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型号：NLAS3899BMNTXG 编号：C604177

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一款双DPDT模拟开关，适用于低功耗音频和双SIM卡应用。低导通电阻3.0Ω（典型值），非常适合将音频信号路由到中等高阻抗负载或从中路由音频信号。此外，低导通电容20pF（典型值）使该开关具有280 MHz的高带宽，非常适合双SIM卡应用。

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型号：SMA3107-TL-E 编号：C894322

封装：SOT-363-6

品牌：onsemi(安森美)

ON Semiconductor的SMA3107是一款3V供电、6mA工作电流的宽带高增益RF放大器，适用于0.1至2.8GHz的频率范围。

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型号：NCV7357D13R2G 编号：C603987

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7357是一款高速CAN FD收发器，符合ISO 11898-2:2016标准，支持高达5 Mbps的数据速率。

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型号：MC74VHC4052DR2G 编号：C904187

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC4051、MC74VHC4052 和 MC74VHC4053 采用硅栅 CMOS 技术，以实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/解复用器可以控制在整个电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。通道选择输入通过模拟开关决定哪一个模拟输入/输出将连接到公共输出/输入。当使能引脚为高电平时，所有模拟开关都关闭。通道选择和使能输入与标准 CMOS 输出兼容；通过上拉电阻，它们与 LSTTL 输出兼容。这些器件的设计使得导通电阻 (Ron) 在输入电压范围内比金属栅极 CMOS 模拟开关更线性。主要特性包括：- 快速切换和传播速度- 开关间低串扰- 所有输入/输出上的二极管保护- 模拟电源范围 (VCC - VEE) = 2.0 至 12.0 V- 数字（控制）电源范围 (VCC - GND) = 2.0 至 6.0 V- 线性度更好且导通电阻低于金属栅极同类产品- 低噪声- 芯片复杂度：VHC4051 — 184 个 FET 或 46 个等效门，VHC4052 — 168 个 FET 或 42 个等效门，VHC4053 — 156 个 FET 或 39 个等效门- NLV 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q100 标准并具有 PPAP 能力- 无铅、无卤素/无 BFR，并符合 RoHS 标准

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型号：MC74HC4053ADG 编号：C906860

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC4051A、MC74HC4052A和MC74HC4053A采用硅栅CMOS技术，实现了快速的传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/解复用器可控制在整个电源电压范围（从VCC到VEE）内变化的模拟电压。HC4051A、HC4052A和HC4053A的引脚排列与金属栅极的MC14051AB、MC14052AB和MC14053AB相同

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型号：MC14053BDTR2G 编号：C233576

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14053B 是一种三重2通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

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型号：FSUSB43L10X 编号：C895428

封装：MicroPak-10(1.6x2.1)

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB43是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双极双掷(DPDT)开关，优化用于在两个高速(480 Mbps)源或一个高速和全速(12 Mbps)源之间切换。

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型号：FAN3100CMPX 编号：C890687

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供TTL（FAN3100T）或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。

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型号：FIN1027AMX 编号：C903669

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这款双驱动器设计用于高速互连，利用低电压差分信号 (LVDS) 技术。驱动器将 LVTTL 信号电平转换为 LVDS 电平，具有典型的 350mV 差分输出摆幅，提供低 EMI 和超低功耗，即使在高频下也是如此。

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型号：ADP3120AJRZ-RL 编号：C393363

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

ADP3120A是一款单相12 V MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。高端和低端驱动器能够驱动3000 pF负载，传播延迟为45 ns，转换时间为25 ns。凭借较宽的工作电压范围，可对高端或低端MOSFET栅极驱动电压进行优化，以实现最佳效率

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型号：NLV14551BDR2G 编号：C904812

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

是一款数字控制的模拟开关，实现了具有低导通阻抗和极低关断泄漏电流的4PDT固态开关，能够控制高达完整电源电压范围的模拟信号。

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型号：NCV7321D12R2G 编号：C464067

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7321 是一款全功能局部互联网 (LIN) 收发器，适用于 LIN 协议控制器和物理总线之间的接口。该收发器以 I3T 技术实施，可实现高电压模拟电路和数字功能在同一个芯片上的共存。NCV7321 LIN 器件属于车内联网 (IVN) 收发器系列。LIN 总线适用于以最低可能成本从控制设备发出低速数据，如门锁、镜子、车座和天窗。该总线适用于消除尽可能多的接线，在每个节点中使用一根线进行实施。每个节点均具有一个从属 MCU 状态机，可以识别并转换特定于该功能的指令。LIN 总线的主要优点在于，所有这些特性都不是时间关键功能，通常与乘客舒适度相关。

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型号：NCP1340B7D1R2G 编号：C603554

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1340 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1340 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。准谐振电流模式反激级功能具有专属的谷锁闭电路，确保了稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1340 进入静音跳过模式来管理功率传递。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1340 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：MC74HC4053ADTR2G 编号：C719817

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC4051A、MC74HC4052A 和 MC74HC4053A 使用硅门极 CMOS 技术来实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/信号分离器控制在整个电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。HC4051A、HC4052A 和 HC4053A 与金属门极 MC14051AB、MC14052AB 和 MC14053AB 的引脚输出相似。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出连接到公用输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关都关闭。沟道选择和启用输入与标准 CMOS 输出兼容；带上拉电阻，它们与 LSTTL 输出兼容。此类器件的设计使得基于输入电压的导通电阻 (Ron) 比金属门极 CMOS 模拟开关的 Ron 的线性更强。有关带注入电流保护的多路复用器/信号分离器，请参见 HC4851A 和 HC4852A。

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