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带可编程延迟的电压检测器系列

型号：NCV303LSN29T1G 编号：C464061

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP302和NCP303系列是第二代超低电流电压检测器，内置可编程延时发生器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统中的复位控制器而设计，在这类系统中，延长电池使用寿命至关重要。每个系列均具备带迟滞功能的高精度欠压检测器和外部可编程延时发生器。这些特性的组合可防止系统复位操作出现异常。 NCP302系列包含互补输出器件，提供高电平有效或低电平有效的复位选项。NCP303系列具有漏极开路N沟道输出，复位输出为低电平有效。

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1+
￥3.3
10+
￥2.64
30+
￥2.31

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高性能固定频率电流模式控制器

型号：UC2842BDR2G 编号：C604829

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了一种经济高效的方案，并最大限度减少了外部部件。这些集成电路具有实现精确占空比控制的微调振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流感应比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。此外，此外还包含以下保护功能：都具有迟滞的输入和参考欠压锁定、逐周期电流限制、可编程输出停滞时间以及用于单脉冲计量的锁存。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有用于图腾柱输出级的单独电源和接地引脚。UCX842B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），非常适用于离线转换器。UCX843B 适用于 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的较低电压应用。

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1+
￥3.92
10+
￥3.82
30+
￥3.76

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电压检测器

型号：NCV300LSN36T1G 编号：C892916

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，专为便携式微处理器系统中的复位控制器而设计，适用于需要延长电池寿命的场景。每个系列都有一个带迟滞功能的高精度欠压检测器，可防止在比较器阈值被跨越时系统复位操作不稳定。有互补输出或开漏 N 沟道输出，复位输出有高电平有效或低电平有效两种选择。有标准欠压阈值，也可定制 0.9V 至 4.9V 以 100mV 为步长的额外阈值。

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1+
￥4.08
10+
￥3.35
30+
￥2.98

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MOSFET驱动器，兼容VR12，同步降压

型号：NCP5901BDR2G 编号：C603757

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5901B是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，专为驱动同步降压转换器中的高端和低端功率MOSFET的栅极而优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能操作电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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1+
￥4.16
10+
￥3.41
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￥3.03

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独立LIN收发器

型号：NCV7321D12R2G 编号：C464067

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7321 是一款全功能局部互联网 (LIN) 收发器，适用于 LIN 协议控制器和物理总线之间的接口。该收发器以 I3T 技术实施，可实现高电压模拟电路和数字功能在同一个芯片上的共存。NCV7321 LIN 器件属于车内联网 (IVN) 收发器系列。LIN 总线适用于以最低可能成本从控制设备发出低速数据，如门锁、镜子、车座和天窗。该总线适用于消除尽可能多的接线，在每个节点中使用一根线进行实施。每个节点均具有一个从属 MCU 状态机，可以识别并转换特定于该功能的指令。LIN 总线的主要优点在于，所有这些特性都不是时间关键功能，通常与乘客舒适度相关。

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1+
￥4.61
10+
￥4.51
30+
￥4.44
100+
￥4.37

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MC14053B 三重2通道模拟多路复用器/解复用器

型号：MC14053BDG 编号：C233575

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14053B 是三重2通道模拟多路复用器/解复用器，具有低导通阻抗和非常低的关断泄漏电流。

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1+
￥5.14
10+
￥4.1
48+
￥3.58

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并联 80ppm/℃

型号：LM285D-2.5G 编号：C480796

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

微功率电压参考二极管

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1+
￥5.33
10+
￥4.26
30+
￥3.73
98+
￥3.2

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高性能量子门CMOS模拟多路复用器/解复用器

型号：MC74HC4051ADG 编号：C233534

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

该系列模拟多路复用器/解复用器利用硅栅CMOS技术实现了快速传播延迟、低导通电阻和低关断泄漏电流。这些设备适用于控制在完整电源范围内的模拟电压。

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通用电压监测器

型号：NCV33161DR2G 编号：C463602

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34161/MC33161是通用电压监测器，适用于各种电压感应应用。这些器件为电路设计人员提供了一种经济的正电压和负电压检测解决方案。该电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54 V参考电压源以及两个能够吸收超过10 mA电流的开集电极输出组成。每个比较器通道可通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正电压和负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些器件要完全正常工作所需的最小电源电压为：正电压感应时为2.0 V，负电压感应时为4.0 V。

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1+
￥5.61
10+
￥5.47
30+
￥5.37

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停产带可编程延迟的电压检测器系列

型号：NCP302LSN27T1G 编号：C457642

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程延时发生器。专为基于便携式微处理器的系统中的复位控制器设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都具有一个带迟滞功能的高精度欠压检测器和一个外部可编程延时发生器，这种功能组合可防止系统复位操作出现异常。

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1+
￥5.72
10+
￥4.64
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双路2A高速低端栅极驱动器

型号：FAN3229TMX 编号：C903505

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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1+
￥5.87
10+
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并联 50ppm/℃

型号：NCV431AIDMR2G 编号：C184595

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

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1+
￥5.88
10+
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30+
￥4.26
100+
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单路2A高速低端栅极驱动器

型号：FAN3100CSX 编号：C184477

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2 A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的一个 N 沟道增强 MOSFET。此驱动器可以提供TTL(FAN3100T)或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。FAN3100提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度地提高效率。

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1+
￥5.88
10+
￥4.7
30+
￥4.11

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降压型 1.5A 3V~40V

型号：MC33063ADG 编号：C236255

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

是一种单片控制电路，包含直流到直流转换器所需的主要功能。这些器件由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和大电流输出开关组成。该系列专为在降压、升压和电压反转应用中使用最少数量的外部元件而设计。

1+
￥5.9
10+
￥4.81
30+
￥4.27

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半桥栅极驱动器

型号：NCV57201DR2G 编号：C2902041

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款高压栅极驱动器，具有一个非隔离低端栅极驱动器和一个电流隔离高端或低端栅极驱动器。它可以在半桥配置中直接驱动两个IGBT。隔离高端驱动器可以由隔离电源供电，也可以通过自举技术从低端电源供电。高端栅极驱动器的电流隔离保证了在高达800V、高dv/dt下工作的IGBT在高功率应用中的可靠开关。优化的输出级有助于降低IGBT损耗。其特性包括两个独立输入、精确的不对称欠压锁定和短且匹配的传播延迟。工作时VDD/VBS最高可达20V。

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1+
￥6.19
10+
￥6.04
30+
￥5.95
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MC14053B 三重2通道模拟多路复用器/多路分路器

型号：MC14053BDTR2G 编号：C233576

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14053B 是一种三重2通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

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1+
￥6.34
10+
￥5.13
30+
￥4.53
100+
￥3.93

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具备互锁和死区时间功能的汽车级130 V高低侧驱动器

型号：NCV51513ABMNTWG 编号：C5209111

封装：DFNW-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV51513是一款130 V半桥驱动器，具有高驱动电流能力，适用于DC - DC电源和逆变器。NCV51513在同类产品中具有出色的传播延迟，静态电流低，且在高频工作时开关电流小。该器件专为高频高效电源量身定制

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1+
￥6.47
10+
￥6.31
30+
￥6.21

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高性能量子栅CMOS模拟多路复用器/解复用器

型号：MC74HC4052ADG 编号：C233610

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 CMOS MC74HC4051A、MC74HC4052A 和 MC74HC4053A 使用硅门极 CMOS 技术，可实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/信号分离器控制在完整电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。HC4051A、HC4052A 和 HC4053A 的引脚输出与金属门极 MC14051AB、MC14052AB 和 MC14053AB 完全相同。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出连接公共输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关关闭。沟道选择和启用输入兼容标准的 CMOS 输出；带有上拉电阻器，可兼容 LSTTL 输出。这些器件设计比金属门极 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 基于输入电压的线性也更强。有关带有抑制电流保护的多路复用器/信号分离器，参见 HC4851A 和 HC4852A。

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1+
￥6.49
10+
￥5.31
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700V高性能高低侧栅极驱动器，3.5A源电流和3A灌电流

型号：NCP51530ADR2G 编号：C603750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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1+
￥6.6
10+
￥6.45
30+
￥6.35

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低静态电流、可编程延迟时间的监控电路

型号：NCP308MT330TBG 编号：C892417

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

该产品旨在当检测引脚电压降至VIT以下或手动复位输入 (MR) 被拉低时发出复位信号。在MR和检测电压都回到各自阈值以上后，复位输出会在可编程的延迟时间内保持有效。有广泛的电压阈值和复位延迟时间选项，可用于各种应用。复位阈值电压可以在工厂设置为0.82V至3.3V或4.4V至5.0V，而NCP308XXADJ可通过外部电阻分压器用于任何高于0.405V的电压。复位输出通常连接到微处理器的复位控制引脚。对于开漏输出版本，当复位未激活时，必须使用上拉电阻将该线路拉高

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1+
￥6.66
10+
￥6.5
30+
￥6.39

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IGBT和MOSFET交流相位调光控制器

型号：FL5150MX 编号：C903677

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

可选的接地或火线过零检测：符合 UL1472 2015 第二版关于增加漏地电流以减少闪烁的要求（北美）用户可编程前沿或后沿调光控制 ■ 动态过流和温度保护 ■ 由交流线路供电 ■ 对称交流电流控制 ■ IGBT 或 MOSFET 栅极驱动器 ■ 栅极脉冲宽度可在 0 至 100% tON 范围内编程 ■ 8 位 ADC 输入，可通过可调电阻或 0 至 10 V 直流电压进行调光控制 ■ 226 种调光脉冲宽度，分辨率为 25 μs，内置斜坡上升/下降控制，实现自动平滑调光最大栅极脉冲宽度控制（自动最大） ■ 最少的外部元件 ■ 600 μA 静态电流 ■ 精度为 2% 的温度补偿内部定时器 ■ 低功耗电子关断模式 ■ 节省空间的 SOIC 10 引脚封装 ■ 50 Hz 和 60 Hz 可选

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1+
￥7.06
10+
￥6.9
30+
￥6.78

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半桥栅极驱动器

型号：NCD57200DR2G 编号：C904341

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCD57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离型低端栅极驱动器和一个电流隔离型高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离型高端驱动器可采用隔离电源供电，也可借助自举技术由低端电源供电

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1+
￥7.29
10+
￥7.11
30+
￥6.99

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用于 LLC 谐振转换器的高级同步整流控制器

型号：NCP4318ALKDR2G 编号：C3688681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4318是一款适用于LLC谐振转换器的先进同步整流(SR)控制器，具有最少的外部组件。它有两个栅极驱动器用于驱动SR MOSFETs以整流二次变压器绕组的输出。这两个栅极驱动器有自己的漏极和源极感应引脚，并且独立运行。先进的自适应死区时间控制补偿寄生电感上的电压，以最小化体二极管导通并最大化系统效率。先进的关断控制算法允许在整个负载范围内稳定SR操作。NCP4318有两种引脚分配版本——NCP4318A和NCP4318B，以及两种封装类型——SOIC−8和SOIC−8 EP。

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1+
￥7.45
10+
￥6.1
30+
￥5.36

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高速低功耗CAN收发器

型号：NCV7349D13R2G 编号：C893047

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7349 CAN收发器是控制器局域网(CAN)协议控制器和物理总线之间的接口。该收发器提供差分传输能力到总线，并提供差分接收能力到CAN控制器。

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1+
￥8.08
10+
￥6.7
30+
￥5.94
100+
￥5.08

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2.5V~36V 并联 50ppm/℃

型号：TL431BCDR2G 编号：C233732

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

TL431A、B 集成电路是三端可编程并联稳压二极管。这些单片式 IC 电压基准源可作为低温系数齐纳二极管工作，通过两个外部电阻可将其从 Vref 编程至 36 V。这些器件的工作电流范围为 1.0 mA 至 100 mA，典型动态阻抗为 0.22 Ω。这些基准源的特性使其在许多应用中成为齐纳二极管的理想替代品，如数字电压表、电源和运算放大器电路。2.5 V 基准源便于从 5.0 V 逻辑电源获得稳定的基准电压，并且由于 TL431A、B 作为并联稳压器工作，它既可用作正电压基准，也可用作负电压基准。

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1+
￥8.51
10+
￥7.07
30+
￥6.27

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高速、低端、双路4A栅极驱动器

型号：FAN3225TMX 编号：C603199

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3223 提供两个反相驱动器，FAN3224 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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1+
￥9.3
10+
￥7.72
30+
￥6.86
100+
￥5.88
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￥4.87
1000+
￥4.68

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可编程USB Type-C控制器

型号：FUSB302B11MPX 编号：C891306

封装：MLP-14

品牌：onsemi(安森美)

FUSB302B 的目标用户为希望以较少的编程量实施 DRP/SRC/SNK USB Type-C 接头的系统设计人员。FUSB302B 实现了 USB Type-C 检测，包括连接和定向。FUSB302B 集成了 USB BMC 功率输送协议的物理层，可实现高达 100 W 的电源和角色互换。BMC PD 装置实现了对于符合 C 型规范的其他接口的完全支持。参考法规可用于 FUSB302B 在若干嵌入控制器平台之间轻松实施 C 型和 USB BMC 功率输送协议。单击下面的“软件”链接。

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1+
￥9.42
10+
￥9.21
30+
￥9.08

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集成LiN和电压调节器的系统基础芯片

型号：NCV7428D15R2G 编号：C893058

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7428是一款系统基础芯片，集成了汽车电子控制单元中常见的功能，包括低压电源供应、监控以及LIN收发器。

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1+
￥9.66
10+
￥8.72
30+
￥8.13

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NLAS3899B 双DPDT低导通电阻开关

型号：NLAS3899BMNTBG 编号：C153734

封装：UQFN-16(1.8x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关，设计用于低功耗音频和双SIM卡应用。其低导通电阻为3.0Ω（典型值），适用于中高阻抗负载。此外，低电容20 pF（典型值）使其带宽达到280 MHz。

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1+
￥9.74
10+
￥9.57
30+
￥9.45

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降压型 2A 2.5V~5.5V

型号：NCV6324CMTAAWTBG 编号：C893012

封装：WDFNW-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP/NCV6324是一款优化用于便携式设备的同步降压转换器,支持由单节锂离子或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件能够提供高达2 A的外部可调电压,工作频率为3MHz,允许使用小型电感和电容器。输入电压范围为2.5 V至5.5 V,具有同步整流和自动PWM/PFM节能模式,提高系统效率。采用WDFN8或WDFNW8湿侧引脚封装。

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￥7.91
30+
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