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双路2A高速低端栅极驱动器

型号：FAN3217TMX 编号：C903481

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN3216/17 驱动器结合了用于最终输出级的 MillerDriveH 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3216 提供了两个反向驱动器，FAN3217 提供两个非反向驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。

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1+
￥10.32
10+
￥8.8
30+
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3半桥栅极驱动IC

型号：FAN7388MX 编号：C124451

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN7388 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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1+
￥10.41
10+
￥8.87
30+
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单通道2A高速低边栅极驱动器

型号：FAN3100TMPX 编号：C890688

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2A栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供TTL（FAN3100T）或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。

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1+
￥10.66
10+
￥8.94
30+
￥7.86

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高侧和低侧栅极驱动器

型号：FAN7382M1X 编号：C457737

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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1+
￥10.82
10+
￥9.13
30+
￥8.08

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通用电压监测器

型号：MC34161DR2G 编号：C233656

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

通用电压监测器适用于各种电压感应应用。这些设备为电路设计人员提供了一种经济的正负电压检测解决方案。电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54V参考电压和两个能够吸收超过10mA电流的集电极开路输出组成。每个比较器通道可以通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些设备完全正常工作所需的最小电源电压为正电压检测2.0V，负电压检测4.0V。

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1+
￥11.09
10+
￥9.37
30+
￥8.43

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单线CAN收发器

型号：NCV7356D2R2G 编号：C457637

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7356是一款单线数据链路物理层设备，支持多种载波侦听多路访问/冲突解决 (CSMA/CR) 协议。

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￥11.78
10+
￥11.49
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NB7VPQ904MMUTWG

型号：NB7VPQ904MMUTWG 编号：C891919

封装：X2QFN-32(2.8x4.5)

品牌：onsemi(安森美)

NB7VPQ904M 是一款 1.8 V USB Type?C DisplayPort 交替模式线性再驱动器，完全支持 DisplayPort 1.4 (8.1 Gbps) 和 USB 3.1 Gen 1/Gen 2 (5/10 Gbps) 协议。信号完整性由于 PCB 跟踪、传输线缆和内部符号干扰 (ISI) 而降级。NB7VPQ904M 通过结合多种用户可选择的扁平增益和均衡水平，针对传出数据信号产生最佳眼张开，对这些损耗进行补偿。

1+
￥12.51
10+
￥12.22
30+
￥12.03

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FAN7393AMX

型号：FAN7393AMX 编号：C890854

封装：SO-14

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥12.69
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￥12.39
30+
￥12.19

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半桥栅极驱动IC

型号：FAN73933MX 编号：C606094

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAN73933 是一款具有关断和可编程死区控制功能的半桥栅极驱动 IC，可驱动工作电压高达 +600 V 的高速 MOSFET 和隔离栅极桥晶体管 (IGBT)。它具有缓冲输出级，且所有 NMOS 晶体管设计为具有高脉冲电流驱动能力和最低交叉传导。

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￥13.99
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￥11.73
30+
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高电流IGBT栅极驱动器

型号：NCV5703ADR2G 编号：C603971

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是用于高功率应用的高电流、高性能独立 IGBT 驱动器。该器件通过消除外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定 (UVLO)、去饱和保护 (DESAT) 和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的 5.0V 输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性和双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位、用于系统设计方便的单独高低 VOH 和 VOL 驱动器输出，以及用于通过外部信号控制驱动器输出的使能功能。

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1+
￥14.82
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￥14.47
30+
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升压型 1.5A 2.7V~30V

型号：NCV5173EDR2G 编号：C463165

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5173是一款高效率的280kHz/560kHz升压转换器,具有1.5 A的集成开关。其输入电压范围为2.7 V到30 V,适用于多种电源配置,包括升压、反激、正激、反相和SEPIC。该芯片采用电流模式架构,具有过流保护、热关断和同步功能。

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￥17.64
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￥14.79
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FSA3000 — 双端口，高速，MHL开关

型号：FSA3000L10X 编号：C895412

封装：MicroPak-10(1.6x2.1)

品牌：onsemi(安森美)

FSA3000是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0和视频数据开关，支持Mobile High-Definition Link (MHL) 规格Rev. 2.0。

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￥17.91
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￥15.19
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￥13.48
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降压型 1A 4.75V~40V

型号：LM2575T-5G 编号：C74123

封装：TO-220-5

品牌：onsemi(安森美)

5.0V

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1+
￥18.95
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￥16.05
50+
￥13.27
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降压型 3A 7V~40V

型号：LM2576T-005G 编号：C70355

封装：TO-220-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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1+
￥20.79
10+
￥18.03
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大电流、高端与低端栅极驱动IC

型号：FAN73912AMX 编号：C2902008

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912A是一款单片式高端和低端栅极驱动IC，专为最高可在+1200 V电压下工作的MOSFET和IGBT进行高压、高速驱动而设计。HIN的先进输入滤波器可防止因噪声产生的短脉冲输入信号。

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1+
￥21.3
10+
￥20.2
30+
￥18.56
100+
￥17.9

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集成驱动器、MOSFET和电流监测器

型号：NCP303150MNTWG 编号：C892344

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

集成式驱动器和 MOSFET，带集成式电流监控器

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1+
￥27.63
10+
￥26.99
30+
￥26.57

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降压型 4.75V~5.25V

型号：NCP81247MNTXG 编号：C603818

封装：WQFN-52L-EP(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81247双输出四加二相降压解决方案针对英特尔的IMVP8 CPU进行了优化。该控制器结合了真差分电压感测、差分电感DCR电流感测、输入电压前馈和自适应电压定位功能，可为笔记本应用提供精确调节的电源。控制系统基于双边缘脉冲宽度调制（PWM），并结合DCR电流感测，能对动态负载事件提供超快速的初始响应，同时降低系统成本。NCP81247具备在轻载运行时减相的机制，并且在轻载条件下可自动进行频率缩放，同时保持出色的瞬态性能。提供双高性能运算误差放大器，以简化整个系统的补偿。专利的动态参考注入技术通过消除在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折中的需求，进一步简化了环路补偿。专利的总电流求和技术为下垂和数字电流监测提供了高精度的电流监测。

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1+
￥28.3
10+
￥27.64
30+
￥27.2

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NCD57100: Isolated High Current IGBT Gate Driver

型号：NCV57101DWR2G 编号：C5206712

封装：SOIC-16-W

品牌：onsemi(安森美)

是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特点包括互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定、去饱和保护和去饱和诊断功能、去饱和时软关断。为方便系统设计，具备禁用输出功能和独立的高低（OUTH和OUTL）驱动器输出（NCx57100）。NCx5710y在输入侧支持5V和3.3V信号，在驱动器侧支持宽偏置电压范围，包括负电压能力

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1+
￥35.21
10+
￥29.96
30+
￥26.84

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降压型 8A 4.5V~65V

型号：FAN65005A 编号：C890844

封装：PQFN-35(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

FAN65005A 是一款高效率同步降压调节器,具有集成的高侧和低侧功率MOSFET。该设备支持从4.5 V到65 V的宽电压范围,并能处理高达8 A的连续电流。内部参考电压为0.6 V,精度为0.67%,开关频率可在100kHz至1MHz之间编程。轻载条件下,设备可以通过脉冲跳跃操作进入非连续导通模式以提高效率。该单相降压调节器提供完整的保护功能,包括过流保护、热关断、欠压锁定、过压保护和短路保护。

1+
￥42.11
10+
￥36.46
30+
￥33.01

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2.495V~36V 并联 50ppm/℃

型号：LM431SBCMFX 编号：C232767

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

1% 允差并联稳压器

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50+
￥0.9585
500+
￥0.8875
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￥0.852
5000+
￥0.8165
10000+
￥0.7952

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电压检测器

型号：NCV300LSN28T1G 编号：C892914

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP300和NCP301系列是第二代超低电流电压检测器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统中的复位控制器而设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都具有带迟滞功能的高精度欠压检测器，可防止在比较器阈值被跨越时系统复位操作出现不稳定。 NCP300系列由互补输出器件组成，提供高电平有效或低电平有效的复位输出。NCP301系列具有开漏N沟道输出，提供高电平有效或低电平有效的复位输出。 NCP300和NCP301器件系列采用Thin TSOP - 5封装，具有标准欠压阈值。还可生产阈值范围从0.9 V到4.9 V、以100 mV为步长的其他阈值产品。

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5+
￥1.0548
50+
￥1.0309
150+
￥1.0149

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MC74VHC1GT66 SPST (NO) 常开模拟开关

型号：M74VHC1GT66DTT1G 编号：C457740

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1GT66是一个单刀单掷（SPST）常开模拟开关，具有高传输延迟和低导通电阻的特点，同时保持低功耗。该双工开关可以控制从Vcc到GND的模拟和数字电压。

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5+
￥1.0971
50+
￥1.0733
150+
￥1.0575

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1.24V~16V 并联

型号：SCV431BSN1T1G 编号：C464264

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低压精确可调分路稳压器

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1+
￥1.81
10+
￥1.78
30+
￥1.75

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带可编程延迟的电压检测器系列

型号：NCV303LSN40T1G 编号：C603893

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP302和NCP303系列是第二代超低电流电压检测器，内置可编程延时发生器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统设计，用作复位控制器，在这类系统中，延长电池使用寿命至关重要。每个系列均具备带迟滞功能的高精度欠压检测器和外部可编程延时发生器

数据手册

1+
￥1.95
10+
￥1.91
30+
￥1.88

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2.5V~36V 并联 50ppm/℃

型号：TL431CDR2G 编号：C146775

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

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1+
￥1.99
10+
￥1.95
30+
￥1.92

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8.3V~30V

型号：NCP1256BSN65T1G 编号：C603533

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP1256 包括构建几瓦到几十瓦成本高效开关模式电源所需的一切功能。该零件采用微型 TSOP-6 封装，供电范围高达 30 V，具有带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关电路，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该控制器将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。当功率进一步下降时，该零部件进入跳过周期，同时对峰值电流进行限制。 NCP1256 带有若干保护功能，如基于计时器的短路保护、无损耗 OPP 和易于调节的欠电压 (BO) 引脚。提供了两个输入，以可行方式锁存关断该零件，例如使用 OVP 和 OTP 事件。有若干选项用来选择锁存或自动恢复。

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1+
￥2.1
10+
￥2.05
30+
￥2.02

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带可编程延迟的电压检测器

型号：NCV303LSN31T1G 编号：C464244

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP/NCV302 和 NCP/NCV303 系列是第二代超低电流电压检测器，包含了一个可编程时间延迟生成器。此类器件专门用作重置控制器，适用于较长电池寿命至关重要的、基于便携式微处理器的系统。每个系列均具有带有迟滞的高准确度欠电压检测器，以及外部可编程时间延迟生成器。这种功能组合可防止错误的系统重置运行。NCP/NCV302 系列由互补输出器件组成，并提供有效高电平或有效低电平重置。NCP/NCV303 系列具有开路漏极 N 沟道输出，且带有有效低电平重置输出。

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1+
￥2.16
10+
￥2.11
30+
￥2.07

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带可编程延迟的电压检测器

型号：NCV303LSN34T1G 编号：C892936

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程延时发生器。专为便携式微处理器系统中的复位控制器而设计，在延长电池寿命方面至关重要。每个系列都具有带滞后功能的高精度欠压检测器和外部可编程延时发生器，这种功能组合可防止系统复位操作出现不稳定情况。

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1+
￥2.19
10+
￥2.14
30+
￥2.11

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高性能电流模式控制器

型号：NCV3843BVD1R2G 编号：C606042

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

高性能电流模式控制器

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1+
￥2.5
10+
￥2.44
30+
￥2.4

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带注入电流效应控制的模拟多路复用器/解复用器

型号：MC74HC4852ADR2G 编号：C904052

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

汽车定制此类器件与标准的 HC405x 和 MC1405xB 模拟多工器/信号分离器器件可实现引脚兼容，但具有注入电流效应控制。因此此类器件尤其适用于汽车应用，其中超过正常逻辑电压的电源非常普遍。注入电流效应控制允许已禁用模拟输入沟道处的信号超过电源电压范围，而不会影响已启用模拟沟道的信号。因此无需外部二极管/电阻网络即可将模拟沟道信号保持在电源电压范围内。此类器件使用低功耗硅门极 CMOS 工艺。沟道选择和启用输入与标准 CMOS 输出兼容。

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1+
￥2.73
10+
￥2.67
30+
￥2.63

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