安森美dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：KA431SAMFTF 编号：C132218

封装：SOT-23F-3L

品牌：onsemi(安森美)

1% 允差并联稳压器

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型号：NCP303LSN25T1G 编号：C892355

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程延时发生器。专为便携式微处理器系统中的复位控制器设计，适用于需要延长电池寿命的场景。每个系列都有一个高精度的欠压检测器和一个外部可编程延时发生器，可防止系统复位操作不稳定。NCP302 系列是互补输出器件，有高电平或低电平有效复位；NCP303 系列有一个开漏 N 沟道输出，复位输出为低电平有效。

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型号：FSUSB31L8X 编号：C895426

封装：MicroPak-8

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB31是一款低功耗、单端口、高速USB 2.0开关，配置为双极单掷开关，优化用于切换或隔离高速（480Mbps）或全速（12Mbps）源。

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型号：NCV303LSN42T1G 编号：C892937

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程时间延迟发生器。专为便携式微处理器系统中的复位控制器而设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都具有一个高精度的欠压检测器和一个外部可编程时间延迟发生器，这种特性组合可防止系统复位操作不稳定。

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型号：NCP81161MNTBG 编号：C603811

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81161是一款高性能双MOSFET栅极驱动器，针对同步降压转换器中高端和低端功率MOSFET的栅极驱动进行了优化。它能够驱动高达3 nF的负载，传播延迟为25 ns，转换时间为20 ns。自适应抗交叉导通和节能运行电路可为笔记本电脑和台式机系统提供低开关损耗和高效率的解决方案

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型号：NCP803SN160T1G 编号：C603795

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

是一款经济高效的系统监控电路，用于监控数字系统中的VCC，并在必要时向主处理器提供复位信号，无需外部组件。复位输出在VCC降至复位电压阈值以下10μs内驱动为有效。复位在VCC升至复位阈值以上后的一段时间内保持有效，该时间由工厂调整。具有开漏低电平有效复位输出，有SOT-23和SC-70封装。优化设计以抑制VCC线上的快速瞬态干扰。低电源电流（VCC = 3.2V时为0.5μA），适用于电池供电应用。

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型号：NLAS3899BMNTXG 编号：C604177

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一款双DPDT模拟开关，适用于低功耗音频和双SIM卡应用。低导通电阻3.0Ω（典型值），非常适合将音频信号路由到中等高阻抗负载或从中路由音频信号。此外，低导通电容20pF（典型值）使该开关具有280 MHz的高带宽，非常适合双SIM卡应用。

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型号：FSA5157L6X 编号：C124470

封装：UFDFN-6

品牌：onsemi(安森美)

该产品具有低导通电阻、低功耗，适用于电池供电应用。广泛用于手机和便携式媒体播放器等音频信号切换。

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型号：MC33164P-5G 编号：C903124

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

MC34164系列是欠压检测电路，专为在需要延长电池使用寿命的基于便携式微处理器的系统中用作复位控制器而设计。这些器件为设计人员提供了一种经济的解决方案，可通过单个外部电阻实现低电压检测。MC34164系列具有带隙基准、具有精确阈值和内置迟滞功能的比较器（用于防止复位操作不稳定）以及一个集电极开路复位输出，其灌电流能力超过6

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型号：FUSB303TMX 编号：C603072

封装：X2-QFN-12(1.6x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB303 是一个完全自主的 USB Type-C 控制器，优化用于 15 W 或更低的应用。支持 CC 逻辑检测、源端口角色、接收端口角色、DRP 和附件检测支持，以及死电池支持。提供可配置地址 I2C 访问以支持多个系统端口或通过引脚配置自主运行。

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型号：TL494CDR2G 编号：C889954

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

TL494是一个固定频率的脉冲宽度调制控制电路,主要用于开关电源控制。它包括内部线性锯齿波振荡器,可以通过两个外部组件（RT和CT）编程其频率。该电路还具有内部5.0V参考电压源,能够提供高达10mA的负载电流。

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型号：MC74VHC4053DR2G 编号：C904189

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC4051、MC74VHC4052和MC74VHC4053采用硅栅CMOS技术，以实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断泄漏电流。这些模拟多路复用器/解复用器可控制在整个电源电压范围（从VCC到VEE）内变化的模拟电压。VHC4051、VHC4052和VHC4053的引脚排列与高速HC4051A、HC4052A和HC4053A，以及金属栅极MC14051B、MC14052B和MC14053B相同

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型号：NCV7428MW3R2G 编号：C603989

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7428是一款系统基础芯片（SBC），集成了通常在汽车电子控制单元（ECU）中找到的功能。它提供并监控应用微控制器和其他负载的低压电源，并包括一个LIN收发器。

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型号：NCV7342MW3R2G 编号：C893042

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

该CAN收发器是控制器区域网络协议控制器与物理总线之间的接口，可用于12 V和24 V系统。

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型号：MC33064D-5G 编号：C897746

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款欠压感应电路，专为基于微处理器的系统中的复位控制器而设计。它为低电压检测提供了一种经济的解决方案，只需一个外部电阻。该电路具有一个内置微调的带隙基准和一个具有精确阈值和内置迟滞的比较器，可防止复位操作不稳定。集电极开路复位输出能够吸收超过10 mA的电流，并且在低至1.0 V的输入电压下仍能保证正常工作，待机电流低。MC器件采用3引脚TO-92、微型TSOP-5、8引脚SOIC-8和Micro8表面贴装封装。NCV器件采用SOIC-8和TO-92封装。

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型号：MC33164D-3G 编号：C897748

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34164系列是欠压感应电路，专为需要延长电池寿命的便携式微处理器系统中的复位控制器而设计。这些器件为设计人员提供了一种经济的解决方案，可通过单个外部电阻实现低电压检测。MC34164系列具有带隙基准、具有精确阈值和内置迟滞功能的比较器（可防止复位操作不稳定）、能够吸收超过6.0 mA电流的集电极开路复位输出，并且在低至1.0 V的输入电压下仍能保证正常工作，待机电流极低。MC器件采用3引脚TO - 92（TO - 226AA）、微型TSOP - 5、8引脚SOIC - 8和Micro8表面贴装封装。NCV器件采用SOIC - 8封装。

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型号：FIN1027AMX 编号：C903669

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

这款双驱动器设计用于高速互连，利用低电压差分信号 (LVDS) 技术。驱动器将 LVTTL 信号电平转换为 LVDS 电平，具有典型的 350mV 差分输出摆幅，提供低 EMI 和超低功耗，即使在高频下也是如此。

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型号：NCV7351D13R2G 编号：C893048

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV7351 CAN收发器是控制器区域网络(CAN)协议控制器与物理总线之间的接口，可用于12 V和24 V系统。该收发器提供差分传输能力和接收能力。

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型号：LB1909MC-BH 编号：C903793

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

LB1909MC是一款电机驱动IC，可在较宽的电源电压范围（2.5V至16V）内工作。该IC非常适合用于通用两相双极步进电机的两相励磁驱动，包括冰箱用阻尼器。

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型号：MC34161DG 编号：C233655

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

通用电压监测器适用于各种电压感应应用。这些设备为电路设计人员提供了一种经济的正负电压检测解决方案。电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54V参考电压和两个能够吸收超过10mA电流的集电极开路输出组成。每个比较器通道可以通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些设备完全正常工作所需的最小电源电压为正电压检测2.0V，负电压检测4.0V。

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型号：FSA2276UMX 编号：C895409

封装：UMLP-12(1.8x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

高保真音频开关，具有低导通电阻和低噪声特性，适用于耳机和线路输出负载。

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型号：NCP1239BD65R2G 编号：C603519

封装：SOIC-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1239 是一款固定频率电流模式控制器，具有动态自供电功能。此功能可激活内部启动电流源使其在启动期间、瞬变、锁存、待机等期间为控制器供电，大大简化了辅助电源和 Vcc 电容器的设计。该控制器供电范围高达 35 V，具有带抖动的 65 kHz 或 100 kHz 开关电路，在峰值电流模式控制下运行。当辅助侧功率开始降低时，该控制器将其开关频率自动折回至最低 26 kHz 的水平。当功率进一步下降时，该零部件进入跳过周期，同时对峰值电流进行限制，确保轻型负载条件下的卓越能效。它具有基于计时器的故障检测可确保过载检测，还具有可调节补偿，有助于保持最大功率，而无论输入电压如何。

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型号：LM285Z-1.2G 编号：C58400

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

微功率电压参考二极管

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型号：FSA2269L10X 编号：C895405

封装：MicroPak-10(1.6x2.1)

品牌：onsemi(安森美)

FSA2269是一款高性能、双单刀双掷（SPDT）模拟开关，具备负摆音频能力。FSA2269在3.0V VCC时具有0.4Ω（典型值）的超低导通电阻。FSA2269工作在1.65V至4.5V的宽VCC范围内，采用亚微米CMOS技术制造，以实现快速开关速度，并设计为先断后通操作。选择输入与TTL电平兼容。FSA2269即使在控制电压低于VCC电源时，也具有非常低的静态电流。该特性适用于移动手机应用，可以通过与基带处理器通用I/O的直接接口，实现最小的电池消耗。FSA2269TS包括端接电阻，可提高过冲、关断隔离耦合或“爆音最小化”过程中的抗噪能力。

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型号：NCD98010XMXTAG 编号：C895632

封装：X2-QFN-8(1.5x1.5)

品牌：onsemi(安森美)

NCD98010（无符号输出）和NCD98011（有符号输出）ADC产品提供了一种极低功耗的模拟到数字转换解决方案，采用基于电容器的OnSemi连续逼近架构。优化了低功耗和速度，NCD98010/1可以实现2MSPS的采样率，同时功耗低于1mW。该设备还具有1.65V至3.3V的大输入电压范围，适用于各种模拟和数字电源。SPI兼容接口提供了一种简单直接的数据采集方法。

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型号：FAN3122TMX 编号：C457747

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 结合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中没有使用过。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。

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型号：FAN3227TMPX 编号：C890701

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3226 提供两个反向驱动器，FAN3227 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：FAN53611AUC12X 编号：C890793

封装：WLCSP-6(0.9x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

是一款6 MHz的降压开关稳压器，提供600 mA或1 A选项，可从2.3V至5.5V的输入电压提供固定输出。采用具有同步整流的专有架构，能够提供高达92%的峰值效率，同时在低至1 mA的负载电流下保持80%以上的效率。该稳压器以6 MHz的标称固定频率运行，这将外部组件的值降低至输出电感低至470 nH，输出电容低至4.7 μF。此外，脉冲宽度调制（PWM）调制器可以与外部频率源同步

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型号：FL73282MX 编号：C903681

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动集成电路 FL73282可驱动最高在 +900 V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350 mA / 650 mA，适用于所有类型的半桥和全桥逆变器。

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型号：MC33153PG 编号：C603253

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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