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封装：WDFNW-8-EP(2x2)

NCP/NCV6324是一系列优化用于便携式应用的同步降压转换器,支持单节锂离子电池或三节碱性/NiCd/NiMH电池供电。该器件能够提供高达2 A的外部可调电压,工作在3MHz的开关频率下,采用小型电感和电容器。同步整流和自动PWM/PFM模式提高了系统效率。

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型号：LV8548MC-AH 编号：C19950

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

电机驱动器，正向/反向，低饱和电压，12V

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型号：NCV7342MW3R2G 编号：C893042

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

该CAN收发器是控制器区域网络协议控制器与物理总线之间的接口，可用于12 V和24 V系统。

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型号：NCP6324BMTAATBG 编号：C603765

封装：WDFN-8(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP/NCV6324 是一系列同步降压转换器，针对由单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用的不同子系统供电进行了优化。这些器件能够在外部可调电压下提供高达 2 A 的电流。3 MHz 的开关频率工作特性允许使用小尺寸的电感器和电容器

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型号：FAN54120MP420X 编号：C890816

封装：DFN-6

品牌：onsemi(安森美)

FAN5120是一款小型、低成本、完全集成的单节电池充电器，支持死电池激活、预充电、快速充电和浮充状态。快速充电电流（IFAST）通过一个外部电阻设置。预充电电流（IPRE）和充电完成电流（ICHGEND）在出厂时分别设置为IFAST/5.2和ΔIFAST/10。 FAN54120专门设计为易于使用的独立充电器，无需用户干预或主动监控。一个开漏STAT引脚提供充电和/或故障状态指示。具备“电源回馈”功能，可从电池为附件供电。 FAN54120提供2x2 DFN封装或1.36x0.76 mm WLCSP封装。

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型号：NLAS7222BMUTBG 编号：C604181

封装：UQFN-10(1.4x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

NLAS7222B和NLAS7222C是高性能模拟开关电路，适用于高速差分信号传输。它们具有低导通电阻、低电容和高带宽。

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型号：NCP302LSN27T1G 编号：C457642

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程延时发生器。专为基于便携式微处理器的系统中的复位控制器设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都具有一个带迟滞功能的高精度欠压检测器和一个外部可编程延时发生器，这种功能组合可防止系统复位操作出现异常。

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型号：MC33063ADG 编号：C236255

封装：SOIC-8-150mil

品牌：onsemi(安森美)

是一种单片控制电路，包含直流到直流转换器所需的主要功能。这些器件由内部温度补偿基准、比较器、带有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和大电流输出开关组成。该系列专为在降压、升压和电压反转应用中使用最少数量的外部元件而设计。

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型号：FUSB302TMPX 编号：C891309

封装：WFQFN-14(2.5x2.5)

品牌：onsemi(安森美)

FUSB302T 针对力求实现 USB Type-C 壁式充电器或旅行充电器的系统设计人员而设计。除了默认的 SRC 功能，该器件还支持通过少量编程实现 DRP/SRC/SNK。

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型号：NCV57201DR2G 编号：C2902041

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款高压栅极驱动器，具有一个非隔离低端栅极驱动器和一个电流隔离高端或低端栅极驱动器。它可以在半桥配置中直接驱动两个IGBT。隔离高端驱动器可以由隔离电源供电，也可以通过自举技术从低端电源供电。高端栅极驱动器的电流隔离保证了在高达800V、高dv/dt下工作的IGBT在高功率应用中的可靠开关。优化的输出级有助于降低IGBT损耗。其特性包括两个独立输入、精确的不对称欠压锁定和短且匹配的传播延迟。工作时VDD/VBS最高可达20V。

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型号：FSUSB63UMX 编号：C895430

封装：UMLP-12(1.8x1.8x0.55)

品牌：onsemi(安森美)

FSUSB63 是一款双向、小功率、高速 (HS) USB 2.0 3:1 多路复用器 (MUX)。它适用于在一个 USB 2.0 接头的三个高速 (480Mbps) 源或高速和全速 (12Mbps) USB 源的任意组合之间进行切换。FSUSB63 具有先开后合时间，在不同的 HS USB 2.0 控制器之间切换时可强制由主机进行重新枚举，因此所需软件更改极少。FSUSB63 符合 USB 2.0 要求，具有极低的导通电容 (CON)。宽带宽超过了传递第三谐波所需的带宽，因此信号边缘和相失真都特别小。卓越的沟道-沟道串扰性能还最大程度减少了干扰。

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型号：CAT811LTBI-GT3 编号：C890462

封装：SOT-143-4

品牌：onsemi(安森美)

CAT811是一款用于监控电源的微处理器监控电路。在工业温度范围的应用中，CAT811可直接替代MAX811，且具备手动复位输入功能。这些器件会生成一个复位信号，当电源电压低于预设阈值时，该信号有效；在电源电压升至该阈值以上后，复位信号至少保持140 ms有效

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型号：NCV7321MW2R2G 编号：C893036

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCV7321是一款完全符合LIN协议的收发器，设计用于连接LIN协议控制器和物理总线。该收发器采用I3T技术，能够在同一芯片上实现高电压模拟电路和数字功能。

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型号：NCP308MT330TBG 编号：C892417

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

该产品旨在当检测引脚电压降至VIT以下或手动复位输入 (MR) 被拉低时发出复位信号。在MR和检测电压都回到各自阈值以上后，复位输出会在可编程的延迟时间内保持有效。有广泛的电压阈值和复位延迟时间选项，可用于各种应用。复位阈值电压可以在工厂设置为0.82V至3.3V或4.4V至5.0V，而NCP308XXADJ可通过外部电阻分压器用于任何高于0.405V的电压。复位输出通常连接到微处理器的复位控制引脚。对于开漏输出版本，当复位未激活时，必须使用上拉电阻将该线路拉高

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型号：MC33063AP1G 编号：C236256

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34063A系列是一款单片控制电路，包含直流-直流转换器所需的主要功能。这些器件包括一个内部温度补偿基准源、比较器、带有源电流限制电路的可控占空比振荡器、驱动器和大电流输出开关。该系列专门设计用于降压、升压和电压反转应用，所需外部元件数量极少

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型号：FAN53745UC00X 编号：C3189984

封装：WLCSP-6(1.38x0.94)

品牌：onsemi(安森美)

FAN53745是一款低静态电流降压DC/DC转换器,支持2.3 V至5.5 V输入电压范围,内置功率晶体管,采用同步整流技术,最大输出电流为1 A,开关频率为3.33MHz。该芯片具有PFM/PWM模式切换功能,以提高轻载效率,并具备I2C接口和多种保护功能。

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型号：NCP3135MNTXG 编号：C603697

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP3135是一款完全集成的同步降压转换器,适用于3.3V和5V降压应用。它可以提供高达5A的连续负载电流和6A的瞬时负载电流。支持高效率、快速瞬态响应,并提供电源良好指示。控制方案包括两种操作模式:FCCM和自动CCM/DCM。在自动CCM/DCM模式下,控制器可以在CCM和DCM之间平滑切换,以提高轻载时的效率。NCP3135采用3mm x 3mm QFN-16引脚封装。

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型号：NCD98011XMXTAG 编号：C895633

封装：X2-QFN-8(1.5x1.5)

品牌：onsemi(安森美)

NCD98010（无符号输出）和NCD98011（有符号输出）ADC产品提供了一种极低功耗的模拟到数字转换解决方案，采用基于电容器的OnSemi连续逼近架构。优化了低功耗和速度，NCD98010/1可以实现2MSPS的采样率，同时功耗低于1mW。该设备还具有1.65V至3.3V的大输入电压范围，适用于各种模拟和数字电源。SPI兼容接口提供了一种简单直接的数据采集方法。

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型号：NCP51530ADR2G 编号：C603750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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型号：NCD98010XMXTAG 编号：C895632

封装：X2-QFN-8(1.5x1.5)

品牌：onsemi(安森美)

NCD98010（无符号输出）和NCD98011（有符号输出）ADC产品提供了一种极低功耗的模拟到数字转换解决方案，采用基于电容器的OnSemi连续逼近架构。优化了低功耗和速度，NCD98010/1可以实现2MSPS的采样率，同时功耗低于1mW。该设备还具有1.65V至3.3V的大输入电压范围，适用于各种模拟和数字电源。SPI兼容接口提供了一种简单直接的数据采集方法。

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型号：FIN1001M5X 编号：C891148

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

该单个驱动器设计用于利用低电压差分信号技术进行高速互连。驱动器将LVTTL电平转换为LVDS电平，具有典型的350mV差分输出摆幅。

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型号：FSA2276UMX 编号：C895409

封装：UMLP-12(1.8x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

高保真音频开关，具有低导通电阻和低噪声特性，适用于耳机和线路输出负载。

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型号：FSA553UCX 编号：C605183

封装：WLCSP-9(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

高性能双单刀单掷(SPST x 2)音频开关。当VCC<0.2V时，开关默认关闭。该技术允许在没有Vcc的情况下导通信号，并在Vcc存在时隔离信号。

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型号：FAN7382M1X 编号：C457737

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7382 可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别会源/汲 350mA/650mA，适用于荧光灯镇流器、PDP 扫描驱动器、电机控制等。

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型号：USB1T11AMTC 编号：C463674

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

支持USB 1.1规范，能够传输和接收全速（12Mbit/s）和低速（1.5Mbit/s）数据。

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型号：FAD7191M1X 编号：C603189

封装：SOP-14

品牌：onsemi(安森美)

FAD7191 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。FAD7191 采用 14-SOP 封装,具有单独的信号和电源接地可用于在高功率应用中实现更高抗扰性，高电压应用中必要的充分间距和漏电距离，以及用于关断冗余目的的启用引脚。

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型号：LM2574N-5G 编号：C82331

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

LM2574 系列稳压器是单片集成电路，非常适合于简单便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能够驱动 0.5 A 的负载，且具有出色的线性和负载调节能力。这些器件提供 3.3 V、5.0 V、12 V、15 V 的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：MC33153PG 编号：C603253

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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型号：MC33152DG 编号：C897747

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：FAN3122TMPX 编号：C890692

封装：WDFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3121 和 FAN3122 MOSFET 驱动器适用于通过提供高峰值电流脉冲，在低压侧开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET。此类驱动器提供 TTL (FAN312xT) 或 CMOS (FAN312xC) 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。FAN312x 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极/ MOSFET 结合在 MOSFET 打开/关断过程的 Miller 稳定期提供最高峰值电流。FAN3121 和 FAN3122 驱动器在引脚 3 (EN) 上执行启用功能，以前在行业标准引脚输出中没有使用过。引脚内部上拉至 VDD，实现有效高电平逻辑，并且可以在标准运行中保持开路。 FAN3121/22 采用 3x3mm 8 引线耐热增强型 MLP 封装或 8 引线 SOIC 封装。

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