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封装：SOIC-20-300mil

FAN7388 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：FAN3217TMX 编号：C903481

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。它们均提供 TTL 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN3216/17 驱动器结合了用于最终输出级的 MillerDriveH 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3216 提供了两个反向驱动器，FAN3217 提供两个非反向驱动器。两者均采用标准 8 引脚 SOIC 封装。

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型号：MC34151DG 编号：C71908

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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型号：FL5150MX 编号：C903677

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

可选的接地或火线过零检测：符合 UL1472 2015 第二版关于增加漏地电流以减少闪烁的要求（北美）用户可编程前沿或后沿调光控制 ■ 动态过流和温度保护 ■ 由交流线路供电 ■ 对称交流电流控制 ■ IGBT 或 MOSFET 栅极驱动器 ■ 栅极脉冲宽度可在 0 至 100% tON 范围内编程 ■ 8 位 ADC 输入，可通过可调电阻或 0 至 10 V 直流电压进行调光控制 ■ 226 种调光脉冲宽度，分辨率为 25 μs，内置斜坡上升/下降控制，实现自动平滑调光最大栅极脉冲宽度控制（自动最大） ■ 最少的外部元件 ■ 600 μA 静态电流 ■ 精度为 2% 的温度补偿内部定时器 ■ 低功耗电子关断模式 ■ 节省空间的 SOIC 10 引脚封装 ■ 50 Hz 和 60 Hz 可选

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型号：FIN1104MTCX 编号：C457744

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

该4端口中继器设计用于利用低电压差分信号(LVDS)技术进行高速互连。FIN1104接受和输出LVDS电平，具有330mV的典型差分输出摆幅，在高频下提供低EMI和超低功耗。

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型号：FAN3224TMPX 编号：C603198

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。 FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：NCP51530BMNTWG 编号：C603752

封装：DFN-10-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

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型号：NCP3064MNTXG 编号：C894983

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FAN3224TUMX-F085 编号：C903491

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3223-25 系列双 4 A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠电压锁闭功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这还可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流功能能够有效加倍。FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极 MOSFET 组合在 MOSFET 打开/关闭过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流功能。FAN3223 提供两个反向驱动器，FAN3224 提供两个非反向驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3225 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反向或反向。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：LM2576TV-015G 编号：C70360

封装：TO-220-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：LM2596TVADJG 编号：C92133

封装：TO-220-5H

品牌：onsemi(安森美)

适用于简单便捷的降压开关稳压器（降压转换器）设计。能够驱动3.0A负载，具有出色的线路和负载调节能力。有可调输出版本，内部补偿可减少外部组件数量，简化电源设计。作为开关模式电源，与流行的三端线性稳压器相比，效率显著提高，特别是在较高输入电压下。工作在150kHz的开关频率，允许使用更小尺寸的滤波组件。有标准5引脚TO-220封装和几种不同的引脚弯曲选项，以及D²PAK表面贴装封装。在指定的输入电压和输出负载条件下，输出电压保证有±4%的公差，振荡器频率有±15%的公差。具备外部关断功能，典型待机电流为80μA。自保护功能包括输出开关的逐周期电流限制以及故障条件下的热关断保护。

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型号：LM2576D2TR4-5G 编号：C70354

封装：D2PAK-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2576系列稳压器是单片集成电路，非常适合用于轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能驱动3.0 A负载，且具有出色的线性和负载调节特性。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：FUSB3301MPX 编号：C606137

封装：WFDFN-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

自主源端Type-C控制器，优化用于移动充电器和电源适配器。它通过CC1/CC2广播可用的充电电流，并在验证有效连接之前防止VBUS被激活。

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型号：NBA3N012CSNT1G 编号：C603404

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功耗和高数据速率汽车应用的单LVCMOS输出差分线接收器，支持高于400 Mbps (200 MHz)的数据速率。

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型号：FAN73893MX 编号：C899112

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73893 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压闭锁、互锁功能，以及带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。终止所有六个输出的过电流保护可从外部电流传感电阻产生。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠电压关闭。当 VDD 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常分别提供和吸收 350 mA 和 650 mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

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型号：NCP81599MNTXG 编号：C904558

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCV81599/NCP81599 是一款同步升降压控制器,优化用于将电池或适配器电压转换为笔记本电脑、平板电脑和台式系统以及其他使用 USB PD 标准和 C 型电缆的消费设备所需的电源轨。该控制器支持 USB PD 规范中指定的所有功能,包括动态控制的斜率限制输出电压。

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型号：LM2575TV-012G 编号：C70345

封装：TO-220-5

品牌：onsemi(安森美)

LM2575系列稳压器是单片集成电路，非常适合轻松便捷地设计降压型开关稳压器（降压转换器）。该系列的所有电路都能够驱动1.0 A的负载，且具有出色的线性和负载调节能力。这些器件提供3.3 V、5.0 V、12 V、15 V的固定输出电压版本，以及可调输出版本

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型号：LV8968BBUWR2G 编号：C603211

封装：TQFP-48-EP(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

是一款3相BLDC/PMSM预驱动器，集成了相电压感应和逻辑电平FET兼容性。宽工作电压范围和AEC-Q100认证使其非常适合汽车应用。六个栅极驱动器为外部功率桥提供400mA（典型值）的栅极电流，允许使用低电阻功率FET和逻辑电平FET。所有FET都受到过流、短路、过温和栅极欠压保护

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型号：FAN3227CMX 编号：C603200

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3226-29 系列双 2A 门极驱动器以较短的开关间隔提供高峰值电流脉冲，用于在低侧开关应用中驱动 N 沟道增强模式 MOSFET。该驱动器提供 TTL 或 CMOS 输入阈值。内部电路将输出保持在低电平，直到电源电压处于运行范围内，从而提供欠压锁定功能。另外，这些驱动器具有匹配的 A 和 B 沟道之间内部传播延迟，适用于需要严格计时双门极驱动器的应用，如同步整流器。这可以实现两个驱动器的并联联接，使得驱动一个 MOSFET 的电流能力能够有效加倍。 FAN322X 驱动器集成了用于最终输出级的 MillerDrive 结构。此双极-MOSFET 组合在 MOSFET 导通/关断过程的米勒平坦区阶段提供高电流，可最大程度降低开关损耗，同时可提供轨对轨电压摆幅和逆向电流能力。 FAN3226 提供两个反相驱动器，FAN3227 提供两个非反相驱动器。每个器件都具有双独立启用引脚，如果未联接则默认为导通状态。在 FAN3228 和 FAN3229 中，每个沟道都具有极性相反的两个输入，可使用第二个输入配置为带有可选启用功能的非反相或反相。如果一个或两个输入均保持未联接，内部电阻则会偏置输入，以便输出拉低将功率 MOSFET 保持为关断状态。

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型号：NCP3170BDR2G 编号：C145535

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3170是一款电流模式降压调节器，集成了高端PMOS开关和低端NMOS开关。它的输入电压范围为4.5 V至18 V，可提供高达3 A的负载电流。

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型号：NCP4390DR2G 编号：C904508

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP4390是一款先进的脉冲频率调制（PFM）控制器，适用于带有同步整流（SR）的LLC谐振转换器，可为隔离式DC/DC转换器提供同类最佳的效率。它采用基于电荷控制的电流模式控制技术，将振荡器的三角波与积分开关电流信息相结合，以确定开关频率。这为功率级提供了更好的控制到输出传递函数，简化了反馈环路设计，同时具备真正的输入功率限制能力。闭环软启动可防止误差放大器饱和，并允许输出电压在任何负载条件下单调上升。双边缘跟踪自适应死区时间控制可最大限度地减少体二极管导通时间，从而提高效率。

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型号：NCV7718CDPR2G 编号：C556475

封装：SSOP-24-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV7718是一款具有保护功能的六路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。NCV7718具备独立控制和诊断功能。该器件可在正向、反向、制动和高阻抗状态下运行

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型号：NCP303152MNTWG 编号：C3020838

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

NCP303152将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC-DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP303152集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

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型号：NCD57252DWR2G 编号：C2902111

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

是高电流双通道隔离 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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型号：FAN251015MNTXG 编号：C2902204

封装：WQFN-34(5x7)

品牌：onsemi(安森美)

FAN251015是一款具备数字接口的高效同步降压稳压器，其输入电压范围为4.5 V至18 V，可支持高达15 A的负载电流。FAN2510xx采用固定频率电压模式控制架构，在确保快速瞬态响应的同时，提供同步恒定开关频率。

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型号：NCP81610MNTXG 编号：C895770

封装：QFN-40-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

技术文档和设计资源数据表 (1) 封装图纸 (1)

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型号：NCP81255MNTXG 编号：C895767

封装：QFN-40(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81255是一款高性能、低偏置电流的单相电压调节器,具有集成的功率MOSFET,支持广泛的计算应用。该设备能够提供高达14A的可调输出电流,支持Intel专有接口,工作在高达1.2MHz的高频开关频率下,允许使用小型电感和电容。控制器采用ON Semiconductor的专利高性能RPM操作,最大化瞬态响应,同时允许平滑过渡到全功率操作。NCP81255具有超低偏移电流监测放大器,支持高精度电流监测。

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型号：FIN3385MTDX 编号：C899195

封装：TSSOP-56-6.1mm

品牌：onsemi(安森美)

将28位宽并行低电压TTL (LVTTL) 数据转换为四个串行低电压差分信号 (LVDS) 数据流。发送时钟通过单独的LVDS链路与数据流并行传输。

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型号：MC14051BDG 编号：C233574

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14051B 是8通道模拟多路复用器/解复用器，具有低导通阻抗和非常低的关断泄漏电流。

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型号：NCV303LSN29T1G 编号：C464061

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP302和NCP303系列是第二代超低电流电压检测器，内置可编程延时发生器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统中的复位控制器而设计，在这类系统中，延长电池使用寿命至关重要。每个系列均具备带迟滞功能的高精度欠压检测器和外部可编程延时发生器。这些特性的组合可防止系统复位操作出现异常。 NCP302系列包含互补输出器件，提供高电平有效或低电平有效的复位选项。NCP303系列具有漏极开路N沟道输出，复位输出为低电平有效。

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