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描述

价格(含税)

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通用电压监测器

型号：MC34161DMR2G 编号：C894914

封装：Micro-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34161/MC33161是通用电压监测器，适用于各种电压感应应用。这些器件为电路设计人员提供了一种经济的正电压和负电压检测解决方案。该电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54 V参考电压和两个能够吸收超过10 mA电流的开集电极输出组成。每个比较器通道可通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正电压和负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些器件实现全功能所需的最小电源电压为：正电压感应时为2.0 V，负电压感应时为4.0 V。

数据手册

1+
￥7.0702 ￥12.19
10+
￥5.7264 ￥11.93
30+
￥4.465 ￥11.75
100+
￥4.3966 ￥11.57

有货

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并联 46ppm/℃

型号：TLV431ALPRAG 编号：C903237

封装：TO-92-3

品牌：onsemi(安森美)

TLV431A、B和C系列是精密低压并联稳压器，可在1.24 V至16 V的宽电压范围内进行编程。TLV431A系列在25°C时保证参考精度为±1.0%，在 -40°C至85°C的整个工业温度范围内为±2.0%。TLV431B系列的参考精度更高，分别为±0.5%和±1.0%。TLV431C系列的精度更高，分别为±0.2%和±1.0%。这些器件具有明显的低电流导通特性，在100 μA至20 mA的工作电流范围内，动态阻抗低至0.20 Ω。这些特性的组合使该系列成为众多需要精确参考电压的应用电路中齐纳二极管的理想替代品。与光耦合器结合使用时，TLV431A/B/C可用作误差放大器，用于控制隔离式低输出电压（3.0 V至3.3 V）开关电源中的反馈回路。这些器件提供经济的TO - 92 - 3封装以及微型TSOP - 5和SOT - 23 - 3封装。

数据手册

1+
￥7.515 ￥10.02
10+
￥5.434 ￥8.36
30+
￥4.0975 ￥7.45
100+
￥3.531 ￥6.42
500+
￥3.278 ￥5.96
1000+
￥3.1625 ￥5.75

有货

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低电压，1Ω SPDT模拟开关

型号：FSA4157AP6X 编号：C891266

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

高性能单刀双掷(SPDT)模拟开关，具有超低导通电阻和宽工作电压范围。

数据手册

1+
￥7.5328 ￥8.56
10+
￥6.5286 ￥8.37
30+
￥5.6032 ￥8.24
100+
￥5.5148 ￥8.11

有货

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PCA9654E/PCA9654EA 8位I/O扩展器用于I2C总线和SMBus带中断

型号：PCA9654EDTR2G 编号：C604663

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

PCA9654E/PCA9654EA 提供8位通用并行输入/输出 (GPIO) 扩展，适用于I2C-bus/SMBus应用。

数据手册

1+
￥7.99 ￥15.98
10+
￥6.088 ￥15.22
30+
￥4.428 ￥14.76
100+
￥4.29 ￥14.3
500+
￥4.227 ￥14.09
1000+
￥4.197 ￥13.99

有货

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三相半桥栅极驱动集成电路

型号：FAN73896MX 编号：C606092

封装：SOIC-28-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73896 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +600 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。保护功能包括欠压锁定和带自动故障清除功能的逆变器过电流跳闸。从外部电流传感电阻可产生终止所有六个输出的过电流保护。提供漏极开路故障信号来表明发生了过电流或欠压关断。当 V 和 VBS 低于阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器通常会分别源/汲 350mA/650mA；适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

数据手册

1+
￥8.0348 ￥15.16
10+
￥6.2092 ￥14.44
30+
￥4.6233 ￥14.01
100+
￥4.4814 ￥13.58
500+
￥4.4154 ￥13.38
1000+
￥4.3857 ￥13.29

有货

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升压型 1.5A 3V~40V

型号：NCP3063DR2G 编号：C146706

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

1.5 A、步进/下/反转开关稳压器

数据手册

1+
￥8.97
10+
￥7.34
30+
￥6.45
100+
￥5.44
500+
￥4.99

有货

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高电流IGBT栅极驱动器

型号：NCV5703CDR2G 编号：C904651

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。

数据手册

1+
￥9.4944 ￥11.04
10+
￥8.208 ￥10.8
30+
￥7.0224 ￥10.64
100+
￥6.9168 ￥10.48

有货

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高压大电流高端和低端驱动器

型号：NCV5183DR2G 编号：C603958

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5183 是一款高电压高电流功率 MOSFET 驱动器，提供两个输出，用于驱动 2 个组织为半桥（或任何其他高压侧 + 低压侧）配置的 N 沟道功率 MOSFET。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的恰当驱动。该驱动器使用 2 个独立输入可适应任何拓扑结构（包括半桥、不对称半桥、有源箝位和全桥）。

数据手册

1+
￥9.61
10+
￥7.99
30+
￥7.09
100+
￥6.08

有货

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高速双MOSFET驱动器

型号：MC34152DG 编号：C236137

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

1+
￥10.13
10+
￥8.55
30+
￥7.68

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降压型 4.5V~13.2V

型号：NCP5230MNTWG 编号：C892546

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP5230是一款简单的单相解决方案,具有差分相电流检测、节能操作和门驱动器,用于提供精确调节的电源。适应性非重叠门驱动和节能电路提供低开关损耗和高效率解决方案,适用于服务器、笔记本电脑和台式系统。高性能误差放大器简化了系统的补偿。NCP5230还具有软启动序列、精确的过压和过流保护、VCC和VCCP的欠压锁定以及热关断保护。

数据手册

1+
￥10.356 ￥17.26
10+
￥7.36 ￥14.72
30+
￥5.252 ￥13.13
100+
￥4.6 ￥11.5
500+
￥4.308 ￥10.77
1000+
￥4.18 ￥10.45

有货

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半桥栅极驱动器

型号：FAD6263M1X 编号：C903463

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

FAD6263是一款高压半桥栅极驱动IC，可提供2个互补输出，用于以半桥配置驱动功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术，以确保正确驱动高端功率开关。该驱动器使用单输入工作

数据手册

1+
￥11.362 ￥12.35
10+
￥9.8974 ￥12.07
30+
￥8.5608 ￥11.89
100+
￥8.4312 ￥11.71

有货

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三路半桥栅极驱动IC

型号：FAN7888MX 编号：C258167

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN7888 是一款单片三相半桥门极驱动集成电路，适用于在最高 +200 V 下运行的高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输出驱动器通常会分别源/汲 250mA/500mA，适用于电机驱动系统中的三相半桥应用。

数据手册

1+
￥12.74
10+
￥12.47
30+
￥12.29

有货

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升压型 3.2V~40V

型号：NCV887300D1R2G 编号：C604107

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8873 是可调节输出非同步升压控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET。该器件使用具有内部斜率补偿峰值电流模式控制。该集成电路结合了为门极驱动器提供电荷的内部稳压器。保护功能包括内部设置软启动、欠压锁定、逐周期电流限制和高温关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部可同步开关频率。

数据手册

1+
￥12.81 ￥21.35
10+
￥9.185 ￥18.37
30+
￥6.644 ￥16.61
100+
￥5.928 ￥14.82
500+
￥5.6 ￥14
1000+
￥5.452 ￥13.63

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带并行输入控制的双半桥驱动器

型号：NCV7721D2R2G 编号：C904665

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7721是一款全保护双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立控制功能，可实现高端、低端和H桥控制。

数据手册

1+
￥12.8439 ￥19.17
10+
￥10.6875 ￥18.75
30+
￥8.6809 ￥18.47
100+
￥8.5446 ￥18.18

有货

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NBA3N012C LVCMOS输出差分线接收器

型号：NBA3N012CSNT1G 编号：C603404

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

适用于低功耗和高数据速率汽车应用的单LVCMOS输出差分线接收器，支持高于400 Mbps (200 MHz)的数据速率。

数据手册

1+
￥13.6
10+
￥11.44
30+
￥10.09

有货

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高速双MOSFET驱动器

型号：MC34151DR2G 编号：C236081

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34151/MC33151 是非反向双高速驱动器，针对需要低电流数字电路来驱动具有高摆率的大电容负载的应用而设计。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此类器件采用双列直插和表面贴装封装。

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1+
￥14.38
10+
￥12.15
30+
￥10.75
100+
￥8.78

有货

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600 V / 4.5 A 高低侧汽车栅极驱动 IC

型号：FAN7191MX-F085 编号：C604977

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN7191_F085 是一款单片高压和低压侧门极驱动集成电路，可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。当 VDD 和 VBS 低于指定的阈值电压时，UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于控制直喷驱动器，以及很多汽车 DC-DC 转换器和电机控制应用。

数据手册

1+
￥14.6325 ￥19.51
10+
￥10.8225 ￥16.65
30+
￥8.173 ￥14.86
100+
￥7.1665 ￥13.03
500+
￥6.71 ￥12.2
1000+
￥6.512 ￥11.84

有货

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集成驱动器与MOSFET

型号：NCP302155AMNTWG 编号：C3655105

封装：PQFN-31(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP302155A将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET已针对大电流DC - DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP302155A集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

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1+
￥14.92
10+
￥12.87
30+
￥11.59

有货

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4.2V~28V 140uA 34ppm/℃

型号：NCV51460SN33T1G 编号：C603955

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

NCV51460是一款高性能、低功耗的精密电压基准源。该器件兼具极高的精度、低功耗和小封装尺寸的特点。它能在3.3V固定输出电压下提供高达20mA的输出电流，具有出色的线性和负载调节特性，非常适合精密稳压器应用。无论有无输出电容，它都能保持稳定。其保护功能包括短路保护和输入反接电压保护。NCV51460采用3引脚表面贴装SOT - 23封装。

数据手册

1+
￥15.26
10+
￥13.02
30+
￥11.61

有货

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十二通道半桥驱动器

型号：NCV7726DQBR2G 编号：C604003

封装：SSOP-24-NB-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV7726B Deca 是一款十二沟道半桥驱动器，其保护功能专门设计用于汽车和工业运动控制应用。此产品具有独立的控制和诊断装置，驱动器可在正向、逆向、制动和高阻抗状态下运行。此器件通过一个 16 位 SPI 接口控制，与串级链兼容。

数据手册

1+
￥16.51 ￥33.02
10+
￥11.376 ￥28.44
30+
￥7.713 ￥25.71
100+
￥6.888 ￥22.96
500+
￥6.507 ￥21.69
1000+
￥6.336 ￥21.12

有货

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700V 高性能高低侧栅极驱动器，3.5A 源电流和 3A 灌电流

型号：NCP51530BMNTWG 编号：C603752

封装：DFN-10-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP51530 是一款 700 V 高压侧和低压侧驱动器，其高驱动能力适用于 AC-DC 电源和逆变器。NCP51530 在高运行频率下提供最佳传播延迟、低静止电流和低开关电流。因此，此器件可实现在高频率下运行的高能效电源设计。NCP51530 采用 SOIC8 和 DFN10 封装。

数据手册

1+
￥17.53
10+
￥15.34
30+
￥13.97

有货

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NBA3N011S 3.3V 汽车级 LVDS 驱动器

型号：NBA3N011SSNT1G 编号：C603403

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NBA3N011S 是一种低电压差分信号 (LVDS) 驱动器，适用于低功耗和高数据速率应用。该设备接受 LVCMOS/TTL 输入并将其转换为 LVDS，并设计支持高于 400 Mbps (200 MHz) 的数据速率。

数据手册

1+
￥20.42
10+
￥17.54
30+
￥15.74

有货

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汽车级LIN RGB LED驱动器

型号：NCV7430D20R2G 编号：C556469

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

单芯片RGB驱动器，专用于多色LED应用。该RGB LED驱动器包含一个LIN接口（从机），用于参数编程LED颜色和强度。

数据手册

1+
￥20.6298 ￥28.26
10+
￥17.0415 ￥27.05
30+
￥13.9443 ￥26.31
100+
￥13.6157 ￥25.69

有货

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Inductive Position Sensor interface; analog,SPI and SENT output; ISO26262 ASIL B(D); Automotive; Industrial

型号：NCV77320DB0R2G 编号：C5209294

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥21.46
10+
￥18.62
30+
￥16.93

有货

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集成电流监测器的集成驱动器和MOSFET

型号：NCP303152MNTWG 编号：C3020838

封装：PQFN-39(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

NCP303152将一个MOSFET驱动器、高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。该驱动器和MOSFET针对大电流DC-DC降压电源转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比，NCP303152集成解决方案大大降低了封装寄生效应并节省了电路板空间

数据手册

1+
￥22.69
10+
￥19.34
30+
￥17.34

有货

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NCP51561: 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver

型号：NCP51561DADWR2G 编号：C5206740

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP51561是隔离式双通道栅极驱动器，其源极和漏极峰值电流分别为4.5 A和9 A。它们专为快速开关而设计，用于驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。NCP51561具有较短且匹配的传播延迟

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1+
￥27.51
10+
￥24.09
30+
￥22.06

有货

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20V~75V

型号：FDMF8811 编号：C891032

封装：PQFN-36(6x7.5)

品牌：onsemi(安森美)

100 V 桥式功率级（BPS）模块是一款针对大电流 DC - DC 开关应用进行全面优化的紧凑型集成式 MOSFET 加驱动器功率级解决方案。FDMF8811 将一颗驱动器 IC、两颗功率 MOSFET 和一个自举二极管集成到热性能增强的紧凑型 6.0 mm×7.5 mm PQFN 封装中

数据手册

1+
￥28.95
10+
￥27.71
30+
￥25.65

有货

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10Mb/s工业以太网MAC+PHY IC控制器

型号：NCN26010XMNTXG 编号：C5209312

封装：QFN-32(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

IEEE 802.3cg兼容的10BASE-T1S收发器，包括媒体访问控制器（MAC）、PLCA协调子层和10BASE-T1S PHY，设计用于工业多点以太网。

数据手册

1+
￥42.95
10+
￥36.91
30+
￥33.22

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3.3V ECL可编程延迟芯片

型号：MC100EP195FAG 编号：C603219

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：onsemi(安森美)

NECL/PECL 输入转换。延迟部分由一个可编程的门极和多路复用器矩阵组成（如数据表逻辑图所示）。EP195 延迟增量的可数字选择分辨率约为 10 ps，最高 10.2 ns。10 个数据选择输入 D(0:9) 由锁存启用 (LEN) 控制上的高电平信号锁存在芯片上，通过这些数据选择输入 D 即可选择所需的延迟。MC10/100EP195 是一款可编程延迟芯片 (PDC)，主要用于时钟去摆和计时调节。它具有一个差分可变延迟。与 D0 (LSB) 到 D9 (MSB) 相关的可变抽头数对应的大致延迟值如数据表所示。由于 EP195 设计为使用多路复用器链条，因此它具有 2.2 ns 的固定最小延迟。提供一个附加引脚 D10，用于级联多个 PDC，从而扩大可编程范围。级联逻辑允许完全控制多个 PDC。通过 CMOS、ECL 或 TTL 电平信号的 VEF（引脚 7）和 VCF（引脚 8）之间的互联组合，可对选择输入引脚 D0-D10 的阈值进行控制。对于 CMOS 输入电平，请将 VCF 和 VEF 保持开路。对于 ECL 运行，请将 VCF 和 VEF （引脚 7 和 8）保持短路。对于 TTL 电平运行，请将一个 1.5 V 参考电源连接至 VCF，并将 VEF 引脚保持开路。可在 VCF 和 VEE 之间放置 1.5 kΩ 或 500 Ω 电阻，分别用于 3.3 V 或 5.0 V 电源，从而让 VCF 引脚的参考电压达到 1.5 V。VBB 引脚作为内部产生的电源，仅可用于该器件。对于单端输入情况，将未使用的差分输入连接至 VBB，作为开关参考电压。VBB 还可重新偏置交流耦合输入。使用时，通过 0.01 F 电容器对 VBB 和 VCC 进行去耦合，并将源/汲电流限制为 0.5 mA。

数据手册

1+
￥152.18
10+
￥146.86

有货

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并联 50ppm/℃

型号：FAN431AZXA 编号：C900871

封装：TO-92-3L

品牌：onsemi(安森美)

FAN431A是一款三端输出可调稳压器，在整个工作温度范围内具有热稳定性。通过两个外部电阻，输出电压可设置为V_REF（约2.5 V）至36 V之间的任意值。该器件的典型动态输出阻抗为0.2 Ω。有源输出电路具有快速开启特性，使其在许多应用中能出色替代齐纳二极管。

数据手册

5+
￥0.885628 ￥1.0298
50+
￥0.7657 ￥1.0075
150+
￥0.655116 ￥0.9926
500+
￥0.645282 ￥0.9777

有货

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