安森美dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCP3284MNTXG 编号：C892427

封装：PQFN-37-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

NCP3284/A 是一款单相同步降压调节器,集成了功率MOSFET,提供高效能和紧凑型的电源管理解决方案。该器件能够提供高达30 A的连续输出电流,支持宽输入和输出电压范围,最高开关频率可达1MHz。

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￥18.5592 ￥21.09
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型号：FIN1104MTC 编号：C900594

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

该4端口中继器设计用于高速互连，利用低电压差分信号技术。FIN1104接受和输出LVDS电平，并提供VBB参考电压以实现AC耦合。它可以直接接受LVPECL、HSTL和SSTL-2电平并转换为LVDS。

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型号：NCP1566MNTXG 编号：C603604

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1566 是一款高度集成的双模式有源箝位 PWM 控制器，用于电信和数据通信行业使用的下一代高密度、高性能和中小功率级隔离 DC-DC 转换器。它可以配置为带输入电压前馈的电压模式控制，也可配置为峰值电流模式控制。峰值电流模式控制也可实施输入电压前馈。可调节自适应重叠时间基于输入电压和负载条件优化系统能效。此控制器集成了实施隔离有源箝位正向和不对称半桥转换器所需的所有必要控制和保护功能。它集成了高电压启动偏置稳压器。NCP1566 具有线路欠电压检测器、按周期电流限制、线路电压相关最大占空比限制、过电压保护，以及使用外部温控器进行的可编程高温保护。它还包括了用于故障条件下通信以及控制器关断的双功能引脚。专用的双功能同步引脚简化了将功能块进行关联时的运行。

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型号：FAN73912AMX 编号：C2902008

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FAN73912A是一款单片式高端和低端栅极驱动IC，专为最高可在+1200 V电压下工作的MOSFET和IGBT进行高压、高速驱动而设计。HIN的先进输入滤波器可防止因噪声产生的短脉冲输入信号。

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型号：NCD57256DR2G 编号：C17585826

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高电流双通道隔离式 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，从输入到每个输出具有 2.5 或 5 kVrms 的内部电流隔离，两个输出通道之间具有功能隔离。该器件在输入侧接受 3.3 V 至 20 V 的偏置电压和信号电平，在输出侧接受高达 32 V 的偏置电压。该器件接受互补输入，并为禁用和死区时间控制提供单独的引脚，方便系统设计。驱动器有宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16 封装。

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￥32.07
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型号：NCN26010XMNTXG 编号：C5209312

封装：QFN-32(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

IEEE 802.3cg兼容的10BASE-T1S收发器，包括媒体访问控制器（MAC）、PLCA协调子层和10BASE-T1S PHY，设计用于工业多点以太网。

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型号：FAN65008B 编号：C890845

封装：PQFN-35(6x6)

品牌：onsemi(安森美)

FAN65008B是一款高效的同步降压转换器,具有集成的高侧和低侧功率MOSFET。该设备支持4.5 V到65 V的宽输入电压范围,最大连续输出电流为10 A。内部参考电压为0.6 V,精度为0.67%,确保了精确的电压调节。开关频率可在100kHz到1MHz之间编程。轻载条件下,设备可以设置为断续导通模式,以提高效率。FAN65008B还集成了双LDO,用于减少功率损失和周期性的电流限制。

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￥39.19
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型号：AP0202AT2L00XPGA0-DR 编号：C603151

封装：VFBGA-100

品牌：onsemi(安森美)

AP0202AT是一款图像信号处理器，支持高达2兆像素传感器。它提供并行和OpenLDI输出接口。该协处理器与ON Semiconductor的AR0230AT, AR0132AT, AR0140AT和AR0136AT HDR汽车传感器配合使用，非常适合数字环绕视图摄像头。

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型号：TLV431CSN1T1G 编号：C894747

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

TLV431A、B和C系列是精密低压并联稳压器，可在1.24 V至16 V的宽电压范围内进行编程。TLV431A系列在25°C时保证参考精度为±1.0%，在 -40°C至85°C的整个工业温度范围内为±2.0%。TLV431B系列的参考精度更高，分别为±0.5%和±1.0%。TLV431C系列的精度更高，分别为±0.2%和±1.0%。这些器件具有明显的低电流导通特性，在100 μA至20 mA的工作电流范围内，动态阻抗低至0.20 Ω。这些特性的组合使该系列成为众多需要精确参考电压的应用电路中齐纳二极管的理想替代品。与光耦合器结合使用时，TLV431A/B/C可用作误差放大器，用于控制隔离式低输出电压（3.0 V至3.3 V）开关电源中的反馈回路。这些器件提供经济实惠的TO - 92 - 3封装以及微型TSOP - 5和SOT - 23 - 3封装。

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型号：NCV303LSN30T1G 编号：C603891

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP302和NCP303系列是第二代超低电流电压检测器，内置可编程延时发生器。这些器件专为基于便携式微处理器的系统设计，用作复位控制器，在这类系统中，延长电池使用寿命至关重要。每个系列均具备带迟滞功能的高精度欠压检测器和外部可编程延时发生器

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￥1.47
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型号：MC74HC4052ADTR2G 编号：C7339

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC4052A 是一款双刀四掷模拟多路复用器/解复用器，具有低导通电阻和快速切换速度。

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型号：NCP803SN160T1G 编号：C603795

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

是一款经济高效的系统监控电路，用于监控数字系统中的VCC，并在必要时向主处理器提供复位信号，无需外部组件。复位输出在VCC降至复位电压阈值以下10μs内驱动为有效。复位在VCC升至复位阈值以上后的一段时间内保持有效，该时间由工厂调整。具有开漏低电平有效复位输出，有SOT-23和SC-70封装。优化设计以抑制VCC线上的快速瞬态干扰。低电源电流（VCC = 3.2V时为0.5μA），适用于电池供电应用。

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￥2.03
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型号：NCP304LSQ37T1G 编号：C892378

封装：SC-82AB-4

品牌：onsemi(安森美)

NCP304和NCP305系列是第二代超低电流电压检测器。这些器件专门设计用作基于便携式微处理器系统中的复位控制器，在这类系统中，延长电池使用寿命至关重要。每个系列均具备一个带迟滞功能的高精度欠压检测器，可防止在越过比较器阈值时系统复位操作出现异常

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￥3.04
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型号：NUD3160DMT1G 编号：C233758

封装：SC-74

品牌：onsemi(安森美)

此微型集成器件提供了单组件方案，可用于开关直感负载，如继电器、电磁开关白炽灯以及小型直流电机，而无需续流二极管。它接受逻辑电平输入，因此能够通过各种器件进行驱动，包括逻辑门极、逆变器和微控制器。

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型号：FSA5157L6X 编号：C124470

封装：UFDFN-6

品牌：onsemi(安森美)

该产品具有低导通电阻、低功耗，适用于电池供电应用。广泛用于手机和便携式媒体播放器等音频信号切换。

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型号：74FST3257MNTWG 编号：C415717

封装：QFN-16-EP(2.5x3.5)

品牌：onsemi(安森美)

74FST3257是一款高性能的四通道2:1多路复用器/解复用器总线开关，兼容CMOS TTL，在4到5.5伏之间工作。

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型号：NCP81166MNTBG 编号：C116731

封装：DFN-8(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81166/A栅极驱动器是一款单相MOSFET驱动器，专为在同步降压转换器拓扑中驱动N沟道MOSFET而设计。

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型号：LB1909MC-BH 编号：C903793

封装：SOIC-10-1mm

品牌：onsemi(安森美)

LB1909MC是一款电机驱动IC，可在较宽的电源电压范围（2.5V至16V）内工作。该IC非常适合用于通用两相双极步进电机的两相励磁驱动，包括冰箱用阻尼器。

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￥3.54

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型号：MC74HC4052ADWR2G 编号：C463538

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC74HC4052A是双极四位置加公共端关闭的模拟多路复用器/解复用器，具有快速切换和传播速度、低串扰等特点。

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型号：LM285D-2.5G 编号：C480796

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

微功率电压参考二极管

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￥3.83

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型号：MC33064D-5G 编号：C897746

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款欠压感应电路，专为基于微处理器的系统中的复位控制器而设计。它为低电压检测提供了一种经济的解决方案，只需一个外部电阻。该电路具有一个内置微调的带隙基准和一个具有精确阈值和内置迟滞的比较器，可防止复位操作不稳定。集电极开路复位输出能够吸收超过10 mA的电流，并且在低至1.0 V的输入电压下仍能保证正常工作，待机电流低。MC器件采用3引脚TO-92、微型TSOP-5、8引脚SOIC-8和Micro8表面贴装封装。NCV器件采用SOIC-8和TO-92封装。

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￥5.59
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型号：FAN3100CSX 编号：C184477

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FAN3100 2 A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低侧开关应用中的一个 N 沟道增强 MOSFET。此驱动器可以提供TTL(FAN3100T)或CMOS(FAN3100C)输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。FAN3100提供快速MOSFET开关性能，可在高频功率转换器设计中最大限度地提高效率。

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￥4.68
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￥4.09
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型号：ADP3110AKCPZ-RL 编号：C109351

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

ADP3110A 是一款双高电压 MOSFET 驱动器，适用于在一个非隔离同步降压功率转换器中驱动两个 N 沟道 MOSFET 和两个开关。每个驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 25 ns，转换时间为 30 ns。其中一个驱动器可以自举，适用于处理与浮动高压侧门极驱动器相关联的高电压摆率。 ADP3110A 包括了重叠驱动保护，可防止外部 MOSFET 中的击穿电流。

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￥4.83
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￥4.27

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型号：NCV5700DR2G 编号：C603966

封装：SO-16

品牌：onsemi(安森美)

NCV5700 是一款高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，适用于包括太阳能逆变器、电机控制和不中断电源的大功率应用。该器件不再使用很多外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位、准确的 UVLO、EN 输入、DESAT 保护和有效低电平故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出，方便系统设计。该驱动器可采用较宽的偏置电源电压范围，包括单极和双极电压。它采用 16 引脚 SOIC 封装。经过 AEC-Q100 认证。

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￥6.38
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￥6.23
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型号：MC34161DG 编号：C233655

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

通用电压监测器适用于各种电压感应应用。这些设备为电路设计人员提供了一种经济的正负电压检测解决方案。电路由两个带迟滞的比较器通道、一个用于通道编程的独特模式选择输入、一个引出的2.54V参考电压和两个能够吸收超过10mA电流的集电极开路输出组成。每个比较器通道可以通过模式选择输入配置为反相或同相。这允许对正负电压进行过压、欠压和窗口检测。这些设备完全正常工作所需的最小电源电压为正电压检测2.0V，负电压检测4.0V。

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￥7.01
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￥6.87
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￥6.78

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型号：MC74LVXT4052DTRG 编号：C904156

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74LVXT4052 使用硅门极 CMOS 技术来实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。此模拟多路复用器/信号分离器控制在完整电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。LVXT4052 与高速 HC4052A 和金属门极 MC14052B 的引脚输出相似。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出连接到公用输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关都关闭。沟道选择和启用输入与标准 TTL 电平兼容。与金属门极 CMOS 和高速 CMOS 模拟开关的导通电阻相比，该器件的导通电阻 (RON) 线性更强。

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￥7.43
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￥6.18
30+
￥5.49

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型号：NCV7351D10R2G 编号：C377541

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

高速CAN和CAN FD收发器，用于控制器局域网协议控制器与物理总线之间的接口。

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￥7.92
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￥4.39
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型号：FAN3216TMX-F085 编号：C903480

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN3216 和 FAN3217 双通道 2A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低端开关应用中的 N 沟道增强 MOSFET。都提供 TTL 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围，从而提供欠压锁定功能。此外，此类驱动器在 A 和 B 通道之间提供了匹配的内部传播延迟，适用于要求具有严格计时的双栅极驱动应用，如同步整流器。这样可并联两个驱动器，从而有效地使驱动单 MOSFET 的电流能力增加一倍。

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￥8.1437 ￥11.47
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￥7.597 ￥10.7
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￥6.0989 ￥8.59
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￥6.0279 ￥8.49

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型号：MC33153DR2G 编号：C457626

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33153 专门设计为用于大功率应用的 IGBT 驱动器，包括电感电机控制、无电刷直流电机控制和不中断电源。尽管设计为驱动分立和模块 IGBT，但此器件提供了用于驱动功率 MOSFET 和双极晶体管的成本高效的方案。器件保护功能包括去饱和或过电流感应和欠电压检测。此类器件采用双列直插和表面贴装封装，包括以下功能：

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￥8.51
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型号：NCP1392DDR2G 编号：C904448

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1392B 是一款自振荡高电压 MOSFET 驱动器，主要用于使用半桥拓扑结构的应用。由于其专属高电压技术，该驱动器接受最高 600 V 的大电压。使用一个电阻器，可将该驱动器的运行频率从 25 kHz 调节至 480 kHz。可调节欠电压保护可确保正确的大电压运行范围。内部 100 ms PFC 延迟计时器可保证主要的下游转换器在大电压完全稳定时打开。该器件提供固定死区时间，有助于降低击穿电流。

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