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首页 > 热门关键词 > 士兰微dcdc芯片
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SVT044R5NT/D/L5是一款采用低电压MOS(LVMOS)技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源(UPS)和逆变器系统的电源管理领域
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  • SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
    数据手册
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  • SD30M60AC 是高度集成、高可靠性的3 相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6 个低损耗的IGBT 管和3 个高速半桥高压栅极驱动电路。SD30M60AC 内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SD30M60AC 采用了高绝缘、易导热的设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的应用场合。
    数据手册
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  • N沟道,650V,4A,2.7Ω@10V
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  • N沟道 650V 4A
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    • 1000+

      ¥1.66
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  • SVF4N90F/MJJ/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F - CellTM高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.13
    • 10+

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    • 50+

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  • SVT042R5NL5(T) 是一款采用先进 LVMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻和提供卓越的开关性能进行了优化。该器件广泛应用于不间断电源(UPS)、逆变器系统的电源管理领域
    数据手册
    • 1+

      ¥4.4
    • 10+

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  • SVF20NE50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.34
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      ¥7.84
    • 30+

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  • SVF4N150PF(P7)(F) 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F-CellTM 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于电源领域
    数据手册
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    数据手册
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