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首页 > 热门关键词 > 士兰微dcdc芯片
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N沟道 耐压:500V 电流:20A
型号：SVF20NE50PN 编号：C2897710
封装：TO-3P-3
品牌：SILAN(士兰微)
SVF20NE50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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    N沟道 耐压:650V 电流:4A
    型号：SVF4N65CAMJ 编号：C42459726
    封装：TO-251J-3L
    品牌：SILAN(士兰微)

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    SD6901STR
    型号：SD6901STR 编号：C601595
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
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    电压:45V 电流:16A
    型号：SBD16C45T 编号：C2897633
    封装：TO-220-3L
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    电压:100V 电流:20A
    型号：SBD20C100D 编号：C414174
    封装：TO-252-2
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    10A、200V肖特基整流管
    型号：SBD10C200T 编号：C2897631
    封装：TO-220-3L
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    电压:60V 电流:10A
    型号：SBD10C60T 编号：C2897632
    封装：TO-220-3L
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    SD6703D
    型号：SD6703D 编号：C601632
    封装：DIP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
    型号：SVF2N60F 编号：C171705
    封装：TO-220F
    品牌：SILAN(士兰微)
    N沟道,600V,2A,3.7Ω@10V
    数据手册

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    电压:100V 电流:20A
    型号：SBD20C100T 编号：C403815
    封装：TO-220
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    电压:45V 电流:20A
    型号：SBD20C45T 编号：C2761772
    封装：TO-220-3L
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    SD6822STR
    型号：SD6822STR 编号：C601587
    封装：SOP-7-225-1.27
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    电压:100V 电流:20A
    型号：SBD20C100F 编号：C39186
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    20A, 100V SCHOTTKY RECTIFIER
    数据手册

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    SD6800BCTR
    型号：SD6800BCTR 编号：C601601
    封装：SOP-8
    品牌：SILAN(士兰微)
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    SGTP5T60SD1DTR
    型号：SGTP5T60SD1DTR 编号：C5197297
    封装：TO-252-2L
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
    型号：SVF2N65F 编号：C403821
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
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    电压:200V 电流:20A
    型号：SBD20C200F 编号：C467740
    封装：TO-220F
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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    N沟道 耐压:650V 电流:11A
    型号：SVS65R380FD4 编号：C42459731
    封装：TO-220F-3L
    品牌：SILAN(士兰微)

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    1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
    型号：SVF4N60RD-TR 编号：C250754
    封装：TO-252-2
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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  • 订货
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
    型号：SVF4N65CAF 编号：C467748
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-CellTM高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥2.59

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      ￥2.03

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      ￥1.79
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    SD6954A
    型号：SD6954A 编号：C2897637
    封装：DIP-8
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

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    • 10+

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    • 100+

      ￥1.37
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:7A
    型号：SVF7N60CF 编号：C414162
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    N沟道 600V 7A
    数据手册

    • 1+

      ￥2.95

    • 10+

      ￥2.35

    • 50+

      ￥2.09

    • 100+

      ￥1.77
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
    型号：SVD3205T 编号：C400186
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVD3205T/F/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的平面低压结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。它可广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源
    数据手册

    • 1+

      ￥3.33

    • 10+

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      ￥2.33
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    120A、80V N沟道MOSFET
    型号：SVG086R0NT 编号：C601644
    封装：TO-252
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVG086R0NT(S)(D)(L5) 是一款采用LVMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源（UPS）、逆变器系统电源管理等领域
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    • 1+

      ￥4.56

    • 10+

      ￥3.69

    • 50+

      ￥3.14
  • 有货
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    N沟道 耐压:600V 电流:14A
    型号：SVS14N60FJD2 编号：C2887253
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥6.06

    • 10+

      ￥4.88

    • 50+

      ￥4.29
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
    型号：SVF12N60F 编号：C403816
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    VF12N60F/S/K 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用了专有的 F - Cell™ 结构 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中
    数据手册

    • 1+

      ￥7.15

    • 10+

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      ￥5.53
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    （2件套） （2件套） SGM50HF12A1TFD
    型号：SGM50HF12A1TFD 编号：C2761783
    封装：-
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥88.47

    • 10+

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    SDH7712SETR
    型号：SDH7712SETR 编号：C601593
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 5+

      ￥1.24

    • 50+

      ￥1.21

    • 150+

      ￥1.19
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    • 立即购买
    停产 SD6604D
    型号：SD6604D 编号：C171702
    封装：DIP-8
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.5401

    • 10+

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    • 50+

      ￥1.052
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    2A、600V N沟道MOSFET
    型号：SVF2N60RMJ 编号：C601625
    封装：TO-251
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVF2N60RD/M/MJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中
    数据手册

    • 5+

      ￥1.87

    • 50+

      ￥1.84

    • 150+

      ￥1.82
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