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首页 > 热门关键词 > 士兰微dcdc芯片
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高PFC、高恒流精度、非隔离LED照明驱动芯片
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    • 50+

      ¥1.2243
    • 150+

      ¥1.0616
    • 500+

      ¥0.8586
    • 2500+

      ¥0.8075
    • 4000+

      ¥0.7533
  • 有货
  • 采用最新的第四代场截止(FieldStopIV)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗。可应用于电焊机、UPS、SMPS以及PFC等领域。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.61
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      ¥7.45
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      ¥4.67
    • 1200+

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      ¥1.35
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  • SDM15G60FC8 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调压缩机、工业伺服器、低功率变频器等。其内置了3 相全桥高压栅极驱动电路和6 个低损耗IGBT 管。SDM15G60FC8 内部集成了欠压、短路等各种保护功能,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SDM15G60FC8 采用了高绝缘和易导热设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的场合。
    数据手册
    • 1+

      ¥40.74
    • 10+

      ¥34.93
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      ¥3.19
    • 30+

      ¥2.8
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      ¥2.06
  • 有货
  • SVGP159R3NL5A(L5) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
    • 1+

      ¥7.99
    • 10+

      ¥6.61
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      ¥5.86
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      ¥14.62
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      ¥12.85
    • 480+

      ¥12.03
  • 有货
  • SVDZ24NT是一款采用矽力杰新型平面VDMOS工艺制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5237
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      ¥1.2048
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      ¥1.0497
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      ¥0.8562
    • 2000+

      ¥0.77
    • 5000+

      ¥0.7183
  • 有货
  • SD20M60AC8是高度集成、高可靠性的3相无刷直流电机驱动电路,主要应用于中低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。
    • 1+

      ¥47.87
    • 10+

      ¥40.99
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      ¥33.29
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      ¥1.3663
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      ¥1.1399
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      ¥1.0391
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      ¥1.45
  • 有货
  • N沟道,650V,4A,2.7Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3482
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      ¥1.0559
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      ¥0.7743
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  • 有货
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  • 有货
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  • 有货
    • 1+

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  • 有货
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    • 500+

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    • 2500+

      ¥1.1876
  • 有货
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.42
    • 30+

      ¥2.27
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥2.03
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • SDM05M50DAE/DAS是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于风扇类的小功率电机驱动。其内置了6个快恢复功率MOS管和3个半桥高压栅极驱动电路。
    • 1+

      ¥20.97
    • 10+

      ¥18.02
    • 30+

      ¥16.27
    • 100+

      ¥14.5
  • 有货
    • 1+

      ¥47.98
    • 10+

      ¥41.06
    • 30+

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    • 100+

      ¥31.8
  • 有货
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      ¥0.6186
    • 50+

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    • 2500+

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  • 有货
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      ¥1.7599
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      ¥1.3819
    • 150+

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    • 500+

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    • 2500+

      ¥0.9278
  • 有货
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      ¥1.7599
    • 50+

      ¥1.3819
    • 150+

      ¥1.2199
    • 500+

      ¥1.0178
    • 2500+

      ¥0.9278
  • 有货
    • 1+

      ¥3.93
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥2.63
    • 90+

      ¥2.27
    • 510+

      ¥2.05
  • 有货
  • SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.19
    • 10+

      ¥4.2
    • 30+

      ¥3.81
    • 90+

      ¥3.32
    • 510+

      ¥3.02
    • 1200+

      ¥2.87
  • 有货
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