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SVF20N50F/PN 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 结构 VDMOS 技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中
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  • SD15M60AC是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动器,适用于空调、洗碗机和工业缝纫机等低功率逆变器驱动。它内置了六个低损耗IGBT和三个高压高速半桥栅极驱动器。集成的欠压、短路和过温保护功能使电路能在较宽范围内安全工作
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  • N沟道,800V,7A,1.55Ω@10V
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  • N沟道,600V,7A,1.2Ω@10V
    数据手册
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  • SVF4N70F/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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  • SDM30G60FC是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如工业伺服器、空调、低功率变频器等。其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管。SDM30G60FC内部集成了欠压、短路等各种保护功能,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SDM30G60FC采用了高绝缘和易导热设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的场合。
    数据手册
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  • SVF2N60M/F/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F-cellTM结构DMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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  • N沟道,600V,2A,3.7Ω@10V
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    单级原边控制高功率因素LED驱动IC
    数据手册
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  • SVF18N65F/T/PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
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