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首页 > 热门关键词 > 士兰微dcdc芯片
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10A、650V N沟道MOSFET
型号：SVF10N65CF 编号：C467742
封装：TO-220F-3
品牌：SILAN(士兰微)
SVF10N65CF/K/FJH 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

  • 1+

    ￥4.22

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    ￥3.4

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    ￥2.99
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    SDH8654B
    型号：SDH8654B 编号：C2975178
    封装：DIP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

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      ￥2.71
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
    型号：SVS20N60FJD2 编号：C2761792
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥6.77

    • 10+

      ￥5.64

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    4A、1500V N沟道MOSFET
    型号：SVF4N150PF 编号：C601620
    封装：TO-3PF
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVF4N150PF(P7)(F) 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F-CellTM 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于电源领域
    数据手册

    • 1+

      ￥15.91

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      ￥13.5

    • 30+

      ￥11.75
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    IGBT模块
    型号：SGM50HF12A1TFDT4 编号：C2897644
    封装：-
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥80.34

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      ￥77.9

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      ￥76.99
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    SDH7711ASETR
    型号：SDH7711ASETR 编号：C601591
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4282

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      ￥0.4105
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    SDH7611ASHTR
    型号：SDH7611ASHTR 编号：C601596
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6369

    • 50+

      ￥0.6225

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      ￥0.6033
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    SDH6981RTR
    型号：SDH6981RTR 编号：C601600
    封装：SOP-8
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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      ￥1.0855

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    2A、600V N沟道MOSFET
    型号：SVF2N60M 编号：C2897742
    封装：TO-251-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVF2N60M/F/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-cellTM结构DMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册

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      ￥1.1737

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
    型号：SVF4N65CAM 编号：C414163
    封装：TO-251D-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    N沟道 650V 4A
    数据手册

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    4A、700V N沟道MOSFET
    型号：SVF4N70F 编号：C403823
    封装：TO-220F
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVF4N70F/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

    • 5+

      ￥2.3677

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      ￥1.8644

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      ￥1.6487
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
    型号：SVF10N60F 编号：C171703
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    N沟道,600V,10A,0.75Ω@10V
    数据手册

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      ￥3.34

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    1个N沟道 耐压:800V 电流:10A
    型号：SVF10N80F 编号：C601618
    封装：TO-220
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥8.5

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    N沟道 耐压:800V 电流:17A
    型号：SVS80R280FJDE3 编号：C42459730
    封装：TO-220FJD-3L
    品牌：SILAN(士兰微)

    • 1+

      ￥11.58

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      ￥8.68
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    SGM35PA12A6BTFD
    型号：SGM35PA12A6BTFD 编号：C5123269
    封装：-
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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      ￥52.82

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      ￥47.55
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    SDH7753STR
    型号：SDH7753STR 编号：C601121
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

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      ￥0.2315

    • 100+

      ￥0.2257

    • 300+

      ￥0.2219
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    SDH7611SCTR
    型号：SDH7611SCTR 编号：C601594
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3125

    • 50+

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    • 150+

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    SD6952CS
    型号：SD6952CS 编号：C2887257
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5821

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      ￥0.3571
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    SDH7711ASFTR
    型号：SDH7711ASFTR 编号：C601111
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6489

    • 50+

      ￥0.6345

    • 150+

      ￥0.6249
  • 有货
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    3.3V 800mA 15V
    型号：SA1117BH-3.3TR 编号：C601609
    封装：SOT-223-3L
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.906

    • 50+

      ￥0.7044

    • 150+

      ￥0.618
  • 有货
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    SDH7612D
    型号：SDH7612D 编号：C601631
    封装：DIP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.0904

    • 10+

      ￥0.8485

    • 50+

      ￥0.7448
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    SD7602D
    型号：SD7602D 编号：C601630
    封装：DIP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥1.0928

    • 10+

      ￥0.8509

    • 50+

      ￥0.7472
  • 有货
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    SD6804ASTR
    型号：SD6804ASTR 编号：C68794
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    单级原边控制高功率因素LED驱动IC
    数据手册

    • 1+

      ￥1.0994

    • 10+

      ￥1.072

    • 30+

      ￥1.0538
  • 有货
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    电压:100V 电流:10A
    型号：SBD10C100T 编号：C403813
    封装：TO-220
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2906

    • 50+

      ￥1.0134

    • 150+

      ￥0.8946
  • 有货
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    SDH7711SHTR
    型号：SDH7711SHTR 编号：C601120
    封装：SOP-7
    品牌：SILAN(士兰微)
    数据手册

    • 1+

      ￥2.2192

    • 10+

      ￥1.7555

    • 30+

      ￥1.5568

    • 100+

      ￥1.3088
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    N沟道 耐压:650V 电流:11A
    型号：SVS11N65FD2 编号：C42459729
    封装：TO-220F-3L
    品牌：SILAN(士兰微)

    • 1+

      ￥2.84

    • 10+

      ￥2.77

    • 50+

      ￥2.73
  • 有货
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    N沟道 耐压:650V 电流:20A
    型号：SVS65R240FJDD4 编号：C42459728
    封装：TO-220FJD-3L
    品牌：SILAN(士兰微)

    • 1+

      ￥3.94

    • 10+

      ￥3.85

    • 50+

      ￥3.78
  • 有货
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    N沟道 耐压:600V 电流:20A
    型号：SVS60R190FJDD4 编号：C42459727
    封装：TO-220FJD-3L
    品牌：SILAN(士兰微)

    • 1+

      ￥4.29

    • 10+

      ￥4.19

    • 50+

      ￥4.12
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
    型号：SVF18N65F 编号：C601616
    封装：TO-220
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVF18N65F/T/PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥4.67

    • 10+

      ￥3.76

    • 50+

      ￥3.31
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
    型号：SVS11N65FJD2 编号：C403826
    封装：TO-220F-3
    品牌：SILAN(士兰微)
    SVS11N65D/F/S/FJD2是一款采用超结MOS技术制造的N沟道增强型高压功率MOSFET。它实现了低传导损耗和开关损耗，能助力设计工程师打造出高效、高功率密度且散热性能卓越的电源转换器。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.55

    • 10+

      ￥4.47

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      ￥3.93
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