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首页 > 热门关键词 > 士兰微dcdc芯片
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N沟道,900V,9A
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      ¥0.9031
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  • SVF7N65T/F/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
    数据手册
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      ¥1.9987
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      ¥8.54
    • 90+

      ¥7.44
  • 有货
  • SVF10N65T/F/K/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    • 1+

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      ¥2.25
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  • SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
    • 1+

      ¥6.69
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      ¥4.17
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  • SD20M60AC 是高度集成、高可靠性的3 相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6 个低损耗的IGBT 管和3 个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60AC 内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SD20M60AC 采用了高绝缘、易导热的设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的应用场合。
    数据手册
    • 1+

      ¥50.95
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      ¥40.14
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  • 是单级初级侧调节 (PSR) 功率因数校正 (PFC) 控制器,专为 LED 驱动器设计。采用恒定导通时间操作以实现高功率因数。提供精确的恒流控制,并在边界传导模式 (BCM) 下高效运行。采用初级侧调节,消除了光耦、次级反馈控制和环路补偿,以降低设计和成本。提供完善的保护,如 LED 短路保护、LED 开路保护和过温保护等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.71962 ¥1.3084
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      ¥0.526515 ¥0.9573
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      ¥0.513975 ¥0.9345
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      ¥1.049
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    • 500+

      ¥0.7748
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    • 150+

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    • 2500+

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    • 150+

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    • 500+

      ¥1.31
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  • SVT044R5NT/D/L5是一款采用低电压MOS(LVMOS)技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源(UPS)和逆变器系统的电源管理领域
    数据手册
    • 1+

      ¥3.54
    • 10+

      ¥2.85
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    • 500+

      ¥1.84
    • 1000+

      ¥1.74
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  • SVT085R5NT/S/L5/KL 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用的 LVMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源和逆变器系统电源管理领域
    数据手册
    • 1+

      ¥3.75
    • 10+

      ¥3.35
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      ¥2.88
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      ¥2.57
  • 有货
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      ¥9.74
    • 10+

      ¥8.44
    • 30+

      ¥7.56
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      ¥6.75
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      ¥15.26
    • 10+

      ¥12.88
    • 30+

      ¥11.62
    • 90+

      ¥10.09
  • 有货
  • SDM30G60FC是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如工业伺服器、空调、低功率变频器等。其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管。SDM30G60FC内部集成了欠压、短路等各种保护功能,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SDM30G60FC采用了高绝缘和易导热设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的场合。
    数据手册
    • 1+

      ¥105.1
    • 10+

      ¥87.34
    • 24+

      ¥78.48
  • 有货
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      ¥0.7826
    • 150+

      ¥0.6917
    • 500+

      ¥0.5782
  • 有货
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      ¥1.0091
    • 50+

      ¥0.7923
    • 150+

      ¥0.6995
    • 500+

      ¥0.5836
    • 2500+

      ¥0.532
  • 有货
  • N沟道,100V,33A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.1041
    • 50+

      ¥1.6835
    • 150+

      ¥1.4978
    • 500+

      ¥1.266
  • 有货
  • N沟道,650V,12A,680mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.73
    • 50+

      ¥2.21
  • 有货
  • SVD9Z24NT是一款P沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰平面VDMOS工艺制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于推挽放大器、高端开关电路、CMOS功率放大器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5867
    • 50+

      ¥1.195
    • 150+

      ¥1.0549
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1893
    • 50+

      ¥1.7486
    • 150+

      ¥1.5598
  • 有货
    • 1+

      ¥4.62
    • 10+

      ¥3.72
    • 30+

      ¥3.27
    • 100+

      ¥2.82
  • 有货
  • SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.37
    • 10+

      ¥4.33
    • 50+

      ¥3.77
    • 100+

      ¥3.26
  • 有货
  • SVF20N50F/PN 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 结构 VDMOS 技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中
    • 1+

      ¥5.86
    • 10+

      ¥4.69
    • 50+

      ¥4.24
    • 100+

      ¥3.66
  • 有货
    • 1+

      ¥6.21
    • 10+

      ¥4.99
    • 30+

      ¥4.17
    • 90+

      ¥3.56
  • 有货
  • SD30M60AC 是高度集成、高可靠性的3 相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6 个低损耗的IGBT 管和3 个高速半桥高压栅极驱动电路。SD30M60AC 内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SD30M60AC 采用了高绝缘、易导热的设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的应用场合。
    数据手册
    • 1+

      ¥79.5
    • 10+

      ¥71.27
    • 30+

      ¥65.15
  • 有货
  • N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰微专有的F- Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可最大限度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    • 5+

      ¥0.961553 ¥1.3543
    • 50+

      ¥0.839291 ¥1.1821
    • 150+

      ¥0.786893 ¥1.1083
    • 500+

      ¥0.721573 ¥1.0163
    • 2500+

      ¥0.692463 ¥0.9753
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      ¥0.674997 ¥0.9507
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