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型号：WNM3057-8/TR 编号：C2939851

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3057 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.753 ￥2.51
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￥0.448 ￥2.24
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￥0.211 ￥2.11
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￥0.197 ￥1.97
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￥0.189 ￥1.89
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￥0.185 ￥1.85

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型号：WL2863E28-5/TR 编号：C2931321

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2863E是一款线性稳压器，能够提供250 mA的输出电流。该器件专为满足射频和模拟电路的要求而设计，具备低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及出色的负载/线性瞬态响应特性。该器件设计为搭配1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容使用（无需单独的噪声抑制旁路电容）

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5+
￥0.7828
50+
￥0.6196
150+
￥0.538
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￥0.4768

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型号：WL2861K33-3/TR 编号：C910985

封装：SOT-89

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2861K系列是一款高精度、高输入电压、低静态电流、高速、低压差线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件采用Bi - CMOS工艺制造。WL2861K具备过流限制和过温保护功能，以确保器件在良好的条件下工作

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￥1.042721 ￥1.3199
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￥0.719463 ￥1.0427
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￥0.545101 ￥0.9239
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￥0.457663 ￥0.7757
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￥0.418723 ￥0.7097
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￥0.395359 ￥0.6701

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型号：WL2868C-20/TR 编号：C2941884

封装：CSP-20L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2868C是一款集成了7个低压差线性稳压器（LDO）的电源管理集成电路（PMIC），该PMIC有2个低压差LDO用于大电流数字电源（DVDD），还有5个高电源抑制比（PSRR）的LDO用于对噪声敏感的电源轨。这些LDO的输出电压和上电顺序可通过I2C接口进行设置。WL2868C还集成了带有中断指示的故障监测功能

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￥1.617 ￥4.62
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￥1.0275 ￥4.11
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￥0.579 ￥3.86
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￥0.5415 ￥3.61
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￥0.519 ￥3.46
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￥0.5085 ￥3.39

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型号：WNM4014-8/TR 编号：C2941869

封装：PDFN5X6-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4014是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路

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￥2.62
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￥2.2
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￥2
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￥1.79
500+
￥1.67
1000+
￥1.6

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型号：WSB5507W-2/TR 编号：C239592

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：0.5A平均整流正向电流。低正向电压，低漏电流。小封装SOD-323。应用：开关电路。中电流整流

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￥0.20167 ￥0.301
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￥0.136686 ￥0.2398
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￥0.098277 ￥0.2091
3000+
￥0.087514 ￥0.1862
6000+
￥0.078866 ￥0.1678
9000+
￥0.074542 ￥0.1586

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型号：ESD54191CZ-2/TR 编号：C719460

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54191CZ是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD54191CZ集成了一对低电容二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD54191CZ可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达13A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD54191CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.225
200+
￥0.1748
600+
￥0.1469

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型号：WPM5001-3/TR 编号：C2941877

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM5001是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.2765
100+
￥0.2156
300+
￥0.1851

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型号：ESDA6V1W5-5/TR 编号：C167129

封装：SOT-353

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V1W5阵列是一款四线ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。对于正瞬态，这些器件将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负瞬态，将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。ESDA6V1W5可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V1W5采用SOT - 353封装。标准产品无铅且无卤素。

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10+
￥0.295
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￥0.2611
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￥0.2442

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型号：ESD5621W-2/TR 编号：C239553

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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10+
￥0.3311
100+
￥0.2931
300+
￥0.2741

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型号：WPM2301-3/TR 编号：C2939853

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2301采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，还能提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换应用。标准产品WPM2301为无铅产品

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10+
￥0.3405
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￥0.2666
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￥0.2296

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型号：WPM2092A-3/TR 编号：C2941874

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2092A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3734
100+
￥0.2918
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￥0.251
1000+
￥0.2204

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型号：WPM2080-3/TR 编号：C2939852

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2080 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.4094
100+
￥0.3278
300+
￥0.287

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型号：ESDA6V8V5-5/TR 编号：C239607

封装：SOT-553

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8V5阵列是一款四线ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。这些器件在正瞬态时将电压钳位至略高于逻辑电平电源，在负瞬态时将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。ESDA6V8V5可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V8V5采用SOT - 553封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.455
100+
￥0.3642
300+
￥0.3188

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型号：ESD5425E-6/TR 编号：C2939830

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5425E是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD5425E集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5425E可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 4标准，可承受高达80A（5/50ns）的峰值脉冲电流；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达25A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5425E采用SOT - 23 - 6L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.4561
50+
￥0.4476
150+
￥0.442

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型号：WCM2002-6/TR 编号：C2941856

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2002 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管封装于一体的产品，适用于 DC-DC 转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rps(on)）。标准产品 WCM2002 为无铅产品

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￥0.46332 ￥1.5444
10+
￥0.2715 ￥1.3575
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￥0.12774 ￥1.2774
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￥0.11775 ￥1.1775
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￥0.1133 ￥1.133
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￥0.11063 ￥1.1063

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型号：WPT2E33-3/TR 编号：C240199

封装：SOT-89-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2E33 是一款具有极低饱和电压的 PNP 双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品 WPT2E33 为无铅产品

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10+
￥0.497
100+
￥0.401
300+
￥0.353

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型号：ESD56181W04-2/TR 编号：C910982

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.512
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￥0.4064
150+
￥0.3536
500+
￥0.314

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型号：WS3210C68-9/TR 编号：C239828

封装：CSP-9L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3210C68具备低导通电阻（RON）的内部高压开关，其输入范围的绝对最大值为30V。内部输入钳位电路能够分流超过80V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。WS3210C68具有过压保护（OVP）功能，若输入电压超过固定的过压保护阈值，内部开关将关闭

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1+
￥0.557436 ￥1.2669
10+
￥0.376176 ￥1.1064
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￥0.249024 ￥1.0376
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￥0.228408 ￥0.9517
500+
￥0.21924 ￥0.9135
1000+
￥0.213744 ￥0.8906

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型号：SPD9112W-2/TR 编号：C506167

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9112W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD9112W集成了低电容转向二极管，可将每线的典型电容降至1.2pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD9112W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达12A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD9112W采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.7057
50+
￥0.5797
150+
￥0.4884

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型号：WL2803E18-5/TR 编号：C467850

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

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10+
￥0.7133
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￥0.5859
300+
￥0.4936

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型号：ESD5641D12-3/TR 编号：C239778

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.717
50+
￥0.589
150+
￥0.4962

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型号：WD3153D-10/TR 编号：C506151

封装：DFN-10-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款3通道LED驱动器，旨在产生各种照明效果。该设备有一个程序存储器，用于创建各种照明序列。当程序存储器加载完毕后，可在无需处理器控制的情况下独立运行。三个独立的LED通道具有精确的可编程电流吸收器，范围从0mA到25mA，分为5档，并具有8位灵活的PWM控制。每个通道都可以配置到三个程序执行引擎中的每一个。程序执行引擎有程序存储器，用于通过PWM控制创建所需的照明序列。

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5+
￥0.7457
50+
￥0.594
150+
￥0.5182
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￥0.4613

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型号：ESD73044D-10/TR 编号：C506149

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73044D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73044D集成了四对超低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73044D可提供高达±12 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达3.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73044D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.9119
50+
￥0.7208
150+
￥0.6253
500+
￥0.5537

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型号：WH251E-3/TR 编号：C719463

封装：TSOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WH251E霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，实现了卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件注塑成型、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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5+
￥0.9973
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￥0.7831
150+
￥0.6913
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￥0.5768

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型号：WS72631E-5/TR 编号：C2841144

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72631是一款低功耗轨到轨输入输出运算放大器，具有低电流噪声、高转换速率和宽信号带宽的特点。低噪声、低输入偏置电流、高速以及内置EMI滤波器等特性的结合，使该放大器适用于多种应用场景。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器等都能从这些性能特点的组合中受益

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￥1.2708
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￥1.0039
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型号：WPM3028-8/TR 编号：C719458

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3028 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.8748
500+
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10000+
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型号：WL2834CA-6/TR 编号：C2941882

封装：WLCSP-6L(0.7x1.1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2834CA是一款1 A的低压差线性稳压器（VLDO），配备NMOS通晶体管和独立的偏置电源电压（VBIAS）。该器件可提供非常稳定、精确的输出电压，且噪声低，适用于空间受限、对噪声敏感的应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能，WL2834CA具有低静态电流（IQ）消耗的特点

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￥1.3066
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型号：WMM7027ATHD1-4/TR 编号：C2937715

封装：SMD-4P,2.8x1.9mm

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的电子设备。采用紧凑的2.75mm×1.85mm×0.95mm 4引脚封装。

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￥2.6
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￥2.04
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￥1.8
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￥1.49

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型号：WL2810D28-4/TR 编号：C506116

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。有标准SOT-353封装和DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤素。

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￥0.24042 ￥0.4007
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￥0.17655 ￥0.3531
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￥0.13172 ￥0.3293
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￥0.12456 ￥0.3114
2500+
￥0.11884 ￥0.2971
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