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封装：DFN2x2-3L

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.717
50+
￥0.589
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￥0.4962
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￥0.4197

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型号：WPMD2075-6/TR 编号：C2941878

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD2075 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

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5+
￥0.802
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￥0.6928
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型号：WL2851E33-5/TR 编号：C467852

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2851E系列是一款高精度、高输入电压、低静态电流、高速、低压差的线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件采用Bi-CMOS工艺制造。WL2851E具备过流限制和过温保护功能，以确保器件在良好的条件下工作

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￥0.8191
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型号：ESD73044D-10/TR 编号：C506149

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73044D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73044D集成了四对超低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73044D可提供高达±12 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达3.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73044D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.9119
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￥0.7208
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￥0.6253
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￥0.5537

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型号：WS742905M-8/TR 编号：C717881

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742905由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内采用单电源供电而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，并且可以由单一的5V直流电源供电。WS742905提供8引脚SOP和MSOP封装

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￥1.3896
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￥1.0978
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型号：WNM7002-3/TR 编号：C506229

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM7002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.1525
200+
￥0.1169
600+
￥0.0971

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型号：WL2810D28-4/TR 编号：C506116

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。有标准SOT-353封装和DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤素。

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5+
￥0.27225 ￥0.363
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￥0.23655 ￥0.3154
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￥0.2187 ￥0.2916
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￥0.205275 ￥0.2737
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￥0.194625 ￥0.2595
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￥0.189225 ￥0.2523

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型号：ESD5Z5VL-2/TR 编号：C239566

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z5VL是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5Z5VL集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5Z5VL可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z5VL采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.3464
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￥0.2846
300+
￥0.2398

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型号：WL2836D12-4/TR 编号：C2931315

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.3613
100+
￥0.2816
300+
￥0.2418

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型号：WPM2019-3/TR 编号：C239546

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2019是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3681
100+
￥0.291
300+
￥0.2524

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型号：WPM1483-3/TR 编号：C239762

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1483 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.4011
100+
￥0.3214
300+
￥0.2816

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型号：WL2803E25-5/TR 编号：C719451

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

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10+
￥0.4746
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￥0.3815
300+
￥0.3349

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型号：WPM3020-3/TR 编号：C506231

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3020 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.4995
50+
￥0.3949
150+
￥0.3425
500+
￥0.3033

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型号：WL2811EA-5/TR 编号：C2939855

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2811EA具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压

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10+
￥0.5013
100+
￥0.3945
300+
￥0.3411

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型号：ESD56051N-2/TR 编号：C2941817

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56051N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD56051N可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达55A（8/20μs）的峰值脉冲电流

5+
￥0.5848
50+
￥0.4558
150+
￥0.3913

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型号：WPM6207-3/TR 编号：C2931334

封装：SOT-23-3

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM6207是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.6102
50+
￥0.4867
150+
￥0.425

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型号：WL2803E18-5/TR 编号：C467850

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

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10+
￥0.7133
100+
￥0.5859
300+
￥0.4936

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型号：WS4612EDA-5/TR 编号：C2931339

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4612是一款采用超低导通电阻P沟道MOSFET的高端开关。集成的限流功能可限制大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。WS4612还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流

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5+
￥0.7249
50+
￥0.5809
150+
￥0.5089
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￥0.4549

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型号：WD3168E-6/TR 编号：C239652

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WD3168是一款开关电容电压转换器，可从不稳压的输入电压产生稳压、低噪声且低纹波的输出电压（5V）。即使输入电压（VIN）大于5V，它也能维持5V稳压输出。该器件采用小封装，其5V输出可提供最大300mA的电流

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5+
￥0.9956
50+
￥0.8156
150+
￥0.6851
500+
￥0.5775

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型号：WH251E-3/TR 编号：C719463

封装：TSOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WH251E霍尔效应传感器是一款温度稳定、抗应力、灵敏度容差低的微功耗开关。通过采用斩波稳定技术的动态失调消除功能，实现了卓越的高温性能。该方法可降低通常由器件注塑成型、温度依赖性和热应力引起的失调电压

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5+
￥1.0227
50+
￥0.8085
150+
￥0.7167
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￥0.6021
3000+
￥0.5511

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型号：WS4665D-8/TR 编号：C429740

封装：WDFN-8(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4665是一款单通道负载开关，可提供可配置的上升时间，以最大限度地减少浪涌电流。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持6A。该开关由一个开/关输入（ON）控制，能够直接与低电压控制信号接口

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5+
￥1.4907
50+
￥1.1737
150+
￥1.0378
500+
￥0.8682

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型号：WNM3060-6/TR 编号：C2931328

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3060是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥2.143
50+
￥1.6693
150+
￥1.4662
500+
￥1.2129

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型号：WNM4014-8/TR 编号：C2941869

封装：PDFN5X6-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4014是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路

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1+
￥2.62
10+
￥2.2
30+
￥2
100+
￥1.79
500+
￥1.67
1000+
￥1.6

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型号：ESD54191CZ-2/TR 编号：C719460

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54191CZ是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD54191CZ集成了一对低电容二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD54191CZ可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达13A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD54191CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.225
200+
￥0.1748
600+
￥0.1469

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型号：WPM2301-3/TR 编号：C2939853

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2301采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，还能提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换应用。标准产品WPM2301为无铅产品

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10+
￥0.3365
100+
￥0.2693
300+
￥0.2357

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型号：WPM2080-3/TR 编号：C2939852

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2080 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3836
100+
￥0.3068
300+
￥0.2683

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型号：WL2836E08-5/TR 编号：C2931319

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压差（LDO）的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的新性能水平。WL2836E具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压

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10+
￥0.4137
100+
￥0.3325
300+
￥0.292

有货

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型号：ESD5621W04-2/TR 编号：C239608

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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10+
￥0.4247
100+
￥0.3375
300+
￥0.2939

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型号：WPT2E33-3/TR 编号：C240199

封装：SOT-89-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2E33 是一款具有极低饱和电压的 PNP 双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品 WPT2E33 为无铅产品

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10+
￥0.4446
100+
￥0.3534
300+
￥0.3078

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型号：ESD73131CZ-2/TR 编号：C719423

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73131CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73131CZ集成了一对超低电容二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73131CZ可提供高达±25kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它可承受高达13A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73131CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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