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型号：WS4603E-5/TR 编号：C239793

封装：TSOT-25

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4603 是一款采用超低导通电阻 P 沟道 MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4603 还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流

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5+
￥0.7688
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￥0.5944
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￥0.5072
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￥0.4418

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型号：ESD5641D15-3/TR 编号：C506140

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.8961
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型号：WCM4616-8/TR 编号：C2941857

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM4616是一款将N沟道和P沟道增强型MOS场效应晶体管封装于一体的产品，适用于DC-DC转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。标准产品WCM4616无铅且无卤

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￥0.9197
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￥0.8084
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￥0.7607
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￥0.7012
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￥0.6747
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￥0.6588

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型号：WCM2002-6/TR 编号：C2941856

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2002 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管封装于一体的产品，适用于 DC-DC 转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（Rps(on)）。标准产品 WCM2002 为无铅产品

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￥1.5444
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￥1.3575
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￥1.2774
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型号：WL2834CA-6/TR 编号：C2941882

封装：WLCSP-6L(0.7x1.1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2834CA是一款1 A的低压差线性稳压器（VLDO），配备NMOS通晶体管和独立的偏置电源电压（VBIAS）。该器件可提供非常稳定、精确的输出电压，且噪声低，适用于空间受限、对噪声敏感的应用。为了优化电池供电的便携式应用的性能，WL2834CA具有低静态电流（IQ）消耗的特点

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￥1.6503
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￥1.1106
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型号：WS726052M-8/TR 编号：C2943884

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS726052 是一款双路高输出驱动 CMOS 运算放大器，其峰值输出电流为 350mA，采用 2.5V 至 5.5V 单电源供电时具备轨到轨输出能力。该放大器的压摆率高达 6V/μs，增益带宽积（GBP）为 11.5MHz。WS726052 能够驱动典型的耳机负载（32Ω），还可在无线手持设备应用中为射频功率放大器提供偏置

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￥1.67
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￥1.4
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￥1.26
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￥1.05
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型号：SPD84581C-2/TR 编号：C2939845

封装：SMC

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD84581C可保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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￥2.09
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￥1.84
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型号：WMM7037AT2-4/TR 编号：C140705

封装：LGA-4(3x3.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的便携式电子设备。采用紧凑的3.76mm × 2.95mm × 1.10mm、4引脚LGA封装。

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5+
￥2.2438
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￥1.7393
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型号：WS72552S-8/TR 编号：C717865

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

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￥2.44
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￥2.15
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￥2.02
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型号：WNM6006-8/TR 编号：C2931331

封装：PDFN5x6-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6006 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥5.16
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￥4.68
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型号：ESD9X5V-2/TR 编号：C239552

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X5V是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏。ESD9X5V专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑和PAD）中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。ESD9X5V基于固态硅技术，与MLV相比，具有独特的电气特性，如钳位电压更低且无器件性能退化问题。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9X5V可提供高达±30 kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达11A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9X5V采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1295
200+
￥0.1009
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￥0.085
2000+
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型号：ESD5Z3V3-2/TR 编号：C239531

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z3V3是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD5Z3V3依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30kV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，能承受8/20μs脉冲下高达9A的峰值电流。ESD5Z3V3采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1299
200+
￥0.1127
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￥0.1032

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型号：ESD5Z7V-2/TR 编号：C239535

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z7V是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到电源线、低速数据线和传输线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌引起的过应力影响。ESD5Z7V可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9.5A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z7V采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1756
200+
￥0.1354
600+
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型号：ESD5Z5V-2/TR 编号：C239590

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z5V是一款单向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击的敏感电子元件而设计。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。ESD5Z5V可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8 A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z5V采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1767
200+
￥0.1394
600+
￥0.1187

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型号：RB520S30 编号：C167132

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：小型表面贴装类型。低反向电流(IR = 0.1μA)。高可靠性。这些是无铅器件

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20+
￥0.1776
200+
￥0.1399
600+
￥0.1189

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型号：ESD5471S-2/TR 编号：C2939833

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5471S是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5471S可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5471S采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1784
200+
￥0.139
600+
￥0.1171

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型号：RB520S30-2/TR 编号：C239585

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：小型表面贴装类型。高可靠性。低泄漏电流。这些是无铅器件。应用：低电流整流

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20+
￥0.1787
200+
￥0.141
600+
￥0.1201

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型号：ESD5B5V-2/TR 编号：C49295996

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过应力影响。可根据IEC61000-4-2提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000-4-5承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用SOD-523封装，标准产品无铅且无卤。

20+
￥0.2228
200+
￥0.1748
600+
￥0.1481

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型号：WNM4002-3/TR 编号：C239543

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4002是N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品WNM4002为无铅产品

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20+
￥0.2383
200+
￥0.1867
600+
￥0.158

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型号：ESD5621W-2/TR 编号：C239553

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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10+
￥0.3311
100+
￥0.2931
300+
￥0.2741

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型号：WNM2046A-3/TR 编号：C2941860

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046A - 3/TR 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3444
100+
￥0.2724
300+
￥0.2364
1000+
￥0.2094
5000+
￥0.1878

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型号：WPM2092A-3/TR 编号：C2941874

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2092A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3734
100+
￥0.2918
300+
￥0.251
1000+
￥0.2204

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型号：ESD5325E-6/TR 编号：C2939829

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5325E是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5325E集成了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管

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10+
￥0.3758
100+
￥0.2971
300+
￥0.2577

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型号：ESD5621W10-2/TR 编号：C506168

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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10+
￥0.402
100+
￥0.3156
300+
￥0.2724

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型号：ESDA6V8UD-10/TR 编号：C506148

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8UD是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESDA6V8UD集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESDA6V8UD可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V8UD采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

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