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型号：WS3235D-8/TR 编号：C2939858

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3235具备输入和电池过压保护功能，以及精确可调的输出电流限制功能。当输入电压超过输入过压保护（OVP）阈值时，WS3235将关闭内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接。电流限制阈值可通过外部电阻进行编程设置

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1+
￥0.567 ￥1.89
10+
￥0.332 ￥1.66
30+
￥0.156 ￥1.56
100+
￥0.143 ￥1.43
500+
￥0.138 ￥1.38
1000+
￥0.135 ￥1.35

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型号：WNM3008-3/TR 编号：C2939850

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3008是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.5805
50+
￥0.4701
150+
￥0.4149
500+
￥0.3735

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型号：WPMD4953-8/TR 编号：C2941881

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD4953 是一款双 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.6006
50+
￥0.4681
150+
￥0.4019
500+
￥0.3522
2500+
￥0.3125

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型号：SPD9103W-2/TR 编号：C506166

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9103W是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击及其他感应电压浪涌造成的过应力影响。SPD9103W集成了低电容导向二极管，可将每线路的典型电容降至1pF

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10+
￥0.6609
100+
￥0.5429
300+
￥0.4574
1000+
￥0.3868

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型号：WPMD2075-6/TR 编号：C2941878

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD2075 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造的双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

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5+
￥0.802
50+
￥0.6928
150+
￥0.646
500+
￥0.5876

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型号：WNM01N10-3/TR 编号：C506233

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

N-Channel增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅且无卤。

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10+
￥0.9948
100+
￥0.81
300+
￥0.7308
1000+
￥0.632

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型号：WS72552M-8/TR 编号：C717866

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

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5+
￥1.1817
50+
￥1.0274
150+
￥0.9613

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型号：WNM2020A-3/TR 编号：C2941859

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2020A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥1.4002
50+
￥1.1029
150+
￥0.9754
500+
￥0.8164

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型号：ESD9X5V-2/TR 编号：C239552

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X5V是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和电缆放电事件（CDE）造成的损坏。ESD9X5V专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑和PAD）中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。ESD9X5V基于固态硅技术，与MLV相比，具有独特的电气特性，如钳位电压更低且无器件性能退化问题。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9X5V可提供高达±30 kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达11A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9X5V采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1295
200+
￥0.1009
600+
￥0.085

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型号：SPD81242A-2/TR 编号：C2931910

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD8124A可保护敏感电子设备，使其免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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5+
￥0.14091 ￥0.4697
50+
￥0.08294 ￥0.4147
150+
￥0.03872 ￥0.3872
500+
￥0.03666 ￥0.3666
2500+
￥0.03501 ￥0.3501
5000+
￥0.03419 ￥0.3419

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型号：WNM7002-3/TR 编号：C506229

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM7002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.1535
200+
￥0.1178
600+
￥0.098

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型号：ESD5Z7V-2/TR 编号：C239535

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z7V是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到电源线、低速数据线和传输线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌引起的过应力影响。ESD5Z7V可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9.5A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z7V采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1763
200+
￥0.1362
600+
￥0.1139

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型号：ESD5Z5V-2/TR 编号：C239590

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z5V是一款单向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击的敏感电子元件而设计。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。ESD5Z5V可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8 A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z5V采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1767
200+
￥0.1394
600+
￥0.1187

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型号：ESD54231N-2/TR 编号：C2931297

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54231N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD54231N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54231N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1793
200+
￥0.1415
600+
￥0.1205

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型号：ESD5471S-2/TR 编号：C2939833

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5471S是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5471S可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5471S采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1891
200+
￥0.1497
600+
￥0.1278

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型号：ESD5B5V-2/TR 编号：C49295996

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过应力影响。可根据IEC61000-4-2提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000-4-5承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。采用SOD-523封装，标准产品无铅且无卤。

20+
￥0.2228
200+
￥0.1748
600+
￥0.1481

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型号：ESD9N5BU-2/TR 编号：C506105

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N5BU是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD9N5BU根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±12KV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20μs脉冲下高达3A的峰值电流。ESD9N5BU采用DFN1006封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.2828
100+
￥0.2462
300+
￥0.2279
1000+
￥0.2142
5000+
￥0.2032

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型号：WCM4616-8/TR 编号：C2941857

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM4616是一款将N沟道和P沟道增强型MOS场效应晶体管封装于一体的产品，适用于DC-DC转换器或电平转换应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。标准产品WCM4616无铅且无卤

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1+
￥0.285107 ￥0.9197
10+
￥0.169764 ￥0.8084
30+
￥0.083677 ￥0.7607
100+
￥0.077132 ￥0.7012
500+
￥0.074217 ￥0.6747
1000+
￥0.072468 ￥0.6588

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型号：WPM2031-3/TR 编号：C240201

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2031 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3246
100+
￥0.2866
300+
￥0.2676

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型号：WL2836D33-4/TR 编号：C2931318

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.3253
100+
￥0.2588
300+
￥0.2256
1000+
￥0.2006

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型号：WNM2046A-3/TR 编号：C2941860

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046A - 3/TR 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3444
100+
￥0.2724
300+
￥0.2364
1000+
￥0.2094
5000+
￥0.1878

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型号：ESD5325E-6/TR 编号：C2939829

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5325E是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5325E集成了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管

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10+
￥0.3632
100+
￥0.2845
300+
￥0.2452

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型号：ESD5682E12-3/TR 编号：C2939839

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5682E12是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5682E12专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5682E12采用SOT - 23封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.3644
100+
￥0.2924
300+
￥0.2564

有货

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型号：WPM2019-3/TR 编号：C239546

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2019是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3932
100+
￥0.3145
300+
￥0.2752

有货

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型号：SPD9108W-2/TR 编号：C2939844

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9108W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件而设计，可防止由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力。SPD9108W集成了低电容导向二极管，可将每线路的典型电容降至1.2pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD9108W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达18A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD9108W采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤素。

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10+
￥0.4506
100+
￥0.3627
300+
￥0.3188

有货

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型号：WPM3005-3/TR 编号：C2939854

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3005 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.450849 ￥0.9201
50+
￥0.285831 ￥0.7329
150+
￥0.185397 ￥0.6393
500+
￥0.165039 ￥0.5691
3000+
￥0.148741 ￥0.5129
6000+
￥0.140592 ￥0.4848

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型号：WNM2024-3/TR 编号：C239641

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2024 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.4672
50+
￥0.3664
150+
￥0.316
500+
￥0.2782

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型号：ESD5B5VL-2/TR 编号：C506103

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专门用于保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变脉冲群）和雷击的敏感电子元件。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。ESD5B5VL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±8kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5B5VL采用SOD - 523封装。标准产品无铅、无卤。

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10+
￥0.5398
100+
￥0.4434
300+
￥0.3736

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型号：SPD84581C-2/TR 编号：C2939845

封装：SMC

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD84581C可保护敏感电子设备免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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1+
￥0.627 ￥2.09
10+
￥0.368 ￥1.84
30+
￥0.173 ￥1.73
100+
￥0.159 ￥1.59
500+
￥0.153 ￥1.53
1000+
￥0.15 ￥1.5

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型号：ESD73311CZ-2/TR 编号：C2941837

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73311CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73311CZ可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达20A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73111CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

5+
￥0.6323
50+
￥0.5004
150+
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