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超低压差，500mA，CMOS低压差线性稳压器（LDO）

型号：WL2803E28-5/TR 编号：C719445

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

数据手册

10+
￥0.4579
100+
￥0.3645
300+
￥0.3177

有货

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单向ESD 9V截止峰值浪涌电流：90A@8/20us

型号：ESD56181W09-2/TR 编号：C910979

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.4775
50+
￥0.3719
150+
￥0.3191
500+
￥0.2795

有货

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超低压差，500mA，CMOS低压差线性稳压器（LDO）

型号：WL2803E30-5/TR 编号：C719429

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

数据手册

5+
￥0.5145
50+
￥0.4087
150+
￥0.3558
500+
￥0.3161

有货

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单向ESD 4.5V截止峰值浪涌电流：110A@8/20us

型号：ESD56181W04-2/TR 编号：C910982

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.5184
50+
￥0.4128
150+
￥0.36
500+
￥0.3204

有货

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SPD9231A-2/TR

型号：SPD9231A-2/TR 编号：C2941851

封装：SMA

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9231A是一种双向TSS（晶闸管浪涌抑制器），可以为IC提供ESD保护。它专门设计用于保护电信设备免受过电压瞬变的损害。SPD9231A可用于满足包括ITU-T K.20、K.21和IEC 61000-4-5在内的各种法规要求。SPD9231A采用SMA封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

5+
￥0.7247
50+
￥0.5663
150+
￥0.4871
500+
￥0.4277

有货

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三路LED驱动器

型号：WD3153D-10/TR 编号：C506151

封装：DFN-10-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款3通道LED驱动器，旨在产生各种照明效果。该设备有一个程序存储器，用于创建各种照明序列。当程序存储器加载完毕后，可在无需处理器控制的情况下独立运行。三个独立的LED通道具有精确的可编程电流吸收器，范围从0mA到25mA，分为5档，并具有8位灵活的PWM控制。每个通道都可以配置到三个程序执行引擎中的每一个。程序执行引擎有程序存储器，用于通过PWM控制创建所需的照明序列。

数据手册

5+
￥0.7457
50+
￥0.594
150+
￥0.5182
500+
￥0.4613

有货

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通用运算放大器

型号：WS72542S-8/TR 编号：C717855

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72542系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

5+
￥0.7713
50+
￥0.754
150+
￥0.7425

有货

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霍尔效应开关

型号：WH2508F-3/TR 编号：C719452

封装：TSOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WH2508F是一款单输出的微型微功耗磁性霍尔效应开关集成电路。温度补偿电路提高了整个工作范围内磁开关点的稳定性。如果垂直于器件标记面的磁通密度大于工作点（BOP），输出将导通；如果小于释放点（BRP），输出将关断

数据手册

5+
￥0.8502
50+
￥0.6635
150+
￥0.5701
500+
￥0.5001

有货

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N沟道耐压:110V 电流:2.13A

型号：WNM01N11-6/TR 编号：C2941858

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM01N11是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

1+
￥0.9772
10+
￥0.8533
30+
￥0.8002
100+
￥0.7339
500+
￥0.7044
1000+
￥0.6867

有货

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WS3221C-6/TR

型号：WS3221C-6/TR 编号：C506091

封装：WLCSP-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3221是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3221会自动选择内部固定的OVLO阈值电压

数据手册

5+
￥1.2329
50+
￥0.9557
150+
￥0.8369
500+
￥0.6887

有货

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1.5V~3.6V42dB

型号：WMM7037ATSN0-4/TR 编号：C2931323

封装：LGA-4(3x3.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的电子设备。采用紧凑的3.76mm×2.95mm×1.10mm、4引脚LGA封装。

数据手册

5+
￥1.5216
50+
￥1.3271
150+
￥1.2438
500+
￥1.1398

有货

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N沟道耐压:30V 电流:9.6A

型号：WNM3032-8/TR 编号：C2941863

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3032 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

1+
￥1.5605
10+
￥1.2127
30+
￥1.0637
100+
￥0.8777
500+
￥0.7949

有货

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N沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：WNM3056-6/TR 编号：C2941866

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3056 是单 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

1+
￥1.576
10+
￥1.2484
30+
￥1.108
100+
￥0.9328
500+
￥0.8548
1000+
￥0.808

有货

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低噪声运算放大器

型号：WS72412D-8/TR 编号：C16197379

封装：DFN2x2-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:1.25mA/通道 GBW:18MHz 噪声:8nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥2.1176
50+
￥1.6628
150+
￥1.4679
500+
￥1.2247
3000+
￥1.1164
6000+
￥1.0514

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PNP 电流:200mA 电压:40V

型号：WPT2F06-3/TR 编号：C501343

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

适用于通用放大器应用。标准产品无铅、无卤。

数据手册

20+
￥0.1752
200+
￥0.1374
600+
￥0.1164

有货

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N沟道耐压:50V 电流:0.25A

型号：WNM3019-3/TR 编号：C2931327

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3019 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

数据手册

10+
￥0.2704
100+
￥0.2138
300+
￥0.1854

有货

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低噪声、高电源抑制比、高速CMOS LDO

型号：WL2808E33-5/TR 编号：C2931312

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。电流限制器的折返电路还可作为输出引脚的短路保护和输出电流限制器。采用标准SOT-23-5L封装，标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.2839
100+
￥0.2244
300+
￥0.1947

有货

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P沟道耐压:50V 电流:0.2A

型号：WPM5001-3/TR 编号：C2941877

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM5001是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.4483
100+
￥0.3571
300+
￥0.3115

有货

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通用运算放大器

型号：WS72358S-8/TR 编号：C717849

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电平，这使得该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

5+
￥0.4836
50+
￥0.4735
150+
￥0.4668

有货

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低功耗，CMOS LDO

型号：WL2805E28-5/TR 编号：C506236

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是低 dropout 线性稳压器，针对电池供电系统进行了优化，可提供低静态电流的高性能解决方案。适用于手机、笔记本和其他便携式设备。设计中使用低成本陶瓷电容，确保输出电流的稳定性，提高效率，延长便携式设备的电池寿命。有 SOT-23-3L、SOT-23-5L 封装，标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614
500+
￥0.32

有货

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WNM4006-3/TR

型号：WNM4006-3/TR 编号：C239663

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.6478
50+
￥0.5042
150+
￥0.4325

有货

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TVS 58V截止峰值脉冲电流：4.3A@10/1000us

型号：SPD81581A-2/TR 编号：C2931303

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD81581A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、Vcc总线和其他集成电路。

数据手册

5+
￥0.722
50+
￥0.5684
150+
￥0.4916
500+
￥0.434

有货

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高压通用运算放大器

型号：WS742904S-8/TR 编号：C717878

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742904由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，可由单一的5VDC通用电源供电。WS742904提供8引脚SOP和MSOP封装

数据手册

5+
￥0.7713
50+
￥0.754
150+
￥0.7425
500+
￥0.731

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N沟道耐压:30V 电流:5.2A

型号：WNM3400-3/TR 编号：C2941867

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3400 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.8565
50+
￥0.6693
150+
￥0.5757
500+
￥0.5055

有货

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单向TVS 22V截止峰值脉冲电流：130A@8/20us

型号：ESD56241D22-3/TR 编号：C506141

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

5+
￥0.869
50+
￥0.6793
150+
￥0.5845
500+
￥0.5134

有货

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通用运算放大器

型号：WS72321B-5/TR 编号：C717846

封装：SOT-353

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72321系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的单路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电位，使该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

5+
￥0.9703
50+
￥0.7687
150+
￥0.6823
500+
￥0.5745
3000+
￥0.4989
6000+
￥0.47

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通用运算放大器

型号：WS72358BS-8/TR 编号：C717859

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72358B系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

5+
￥1.1887
50+
￥0.945
150+
￥0.8405
500+
￥0.7102
2500+
￥0.6521
4000+
￥0.6173

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N沟道耐压:30V 电流:19A

型号：WNM3040-8/TR 编号：C2941865

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3040 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.2329
50+
￥0.9557
150+
￥0.8369

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.2A

型号：WPM2081-3/TR 编号：C239550

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2081 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.24
100+
￥0.2345
300+
￥0.2308

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PNP 电流:3A 电压:30V

型号：WPT2F30-6/TR 编号：C239544

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2F30是一款具有极低饱和电压的PNP双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品WPT2F30为无铅产品

数据手册

10+
￥0.296
100+
￥0.2358
300+
￥0.2057

有货

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