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首页 > 热门关键词 > 韦尔dcdc芯片
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3.3V 300mA 5.5V
型号：WL2808E33-5/TR 编号：C2931312
封装：SOT-23-5L
品牌：WILLSEMI(韦尔)
是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。电流限制器的折返电路还可作为输出引脚的短路保护和输出电流限制器。采用标准SOT-23-5L封装，标准产品无铅、无卤。
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  • 10+

    ￥0.2899

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    ￥0.1988
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:6.3A
    型号：WNMD2167-6/TR 编号：C213164
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    双N沟道，20V,6.3A
    数据手册

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      ￥0.322101 ￥0.8259

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      ￥0.082688 ￥0.4352
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
    型号：ESD5452E-3/TR 编号：C2941811
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5452E是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5452E可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5452E采用SOT - 23封装。标准产品无铅且无卤。
    数据手册

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      ￥0.4095

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    • 500+

      ￥0.2205
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    800mV 300mA 5.5V
    型号：WL2836E08-5/TR 编号：C2931319
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比（PSRR）、低压差（LDO）的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的新性能水平。WL2836E具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4137

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    单向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：4A@8/20us
    型号：ESDA6V8UD-10/TR 编号：C506148
    封装：DFN2510-10L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESDA6V8UD是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESDA6V8UD集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESDA6V8UD可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V8UD采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。
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    • 10+

      ￥0.4311

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    单向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：45A@8/20us
    型号：ESD5621W15-2/TR 编号：C239561
    封装：SOD-323F
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4628

    • 50+

      ￥0.3651

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      ￥0.2797
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    2.8V 500mA 5.5V
    型号：WL2803E28-5/TR 编号：C719445
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4638

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      ￥0.3666

    • 300+

      ￥0.318
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    2.5V 500mA 5.5V
    型号：WL2803E25-5/TR 编号：C719451
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4746

    • 100+

      ￥0.3815

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      ￥0.3349
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    3V 500mA 5.5V
    型号：WL2803E30-5/TR 编号：C719429
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.505

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
    型号：WPM3020-3/TR 编号：C506231
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM3020 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 5+

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    N沟道 耐压:30V 电流:19A
    型号：WNM3040-8/TR 编号：C2941865
    封装：PDFN3333-8L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3040 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
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    • 15+

      ￥0.69966

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      ￥0.5474
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    超低导通电阻P-MOSFET高侧开关，带限流、反接保护和自动放电功能
    型号：WS4612EDA-5/TR 编号：C2931339
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS4612是一款采用超低导通电阻P沟道MOSFET的高端开关。集成的限流功能可限制大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。WS4612还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流
    数据手册

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      ￥0.4549
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    通用运算放大器
    型号：WS72542S-8/TR 编号：C717855
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72542系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7713

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      ￥0.754

    • 150+

      ￥0.7425
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    电源分配开关
    型号：WS4603E-5/TR 编号：C239793
    封装：TSOT-25
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS4603 是一款采用超低导通电阻 P 沟道 MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4603 还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流
    数据手册

    • 3000+

      ￥0.426

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    • 12000+

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    • 24000+

      ￥0.3905
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    霍尔效应开关
    型号：WH2508F-3/TR 编号：C719452
    封装：TSOT-23-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WH2508F是一款单输出的微型微功耗磁性霍尔效应开关集成电路。温度补偿电路提高了整个工作范围内磁开关点的稳定性。如果垂直于器件标记面的磁通密度大于工作点（BOP），输出将导通；如果小于释放点（BRP），输出将关断
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8502

    • 50+

      ￥0.6635

    • 150+

      ￥0.5701

    • 500+

      ￥0.5001
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    N沟道 耐压:30V 电流:5.2A
    型号：WNM3400-3/TR 编号：C2941867
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3400 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8565

    • 50+

      ￥0.6693

    • 150+

      ￥0.5757

    • 500+

      ￥0.5055
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    单向TVS 15V截止 峰值脉冲电流：130A@8/20us
    型号：ESD5641D15-3/TR 编号：C506140
    封装：DFN2x2-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。
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    • 5+

      ￥0.8961

    • 50+

      ￥0.7361

    • 150+

      ￥0.6201
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    通用运算放大器
    型号：WS72321B-5/TR 编号：C717846
    封装：SOT-353
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72321系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的单路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电位，使该器件可用于低端电流分流测量
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9703

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      ￥0.7687

    • 150+

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      ￥0.47
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    N沟道 耐压:110V 电流:2.13A
    型号：WNM01N11-6/TR 编号：C2941858
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM01N11是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 1+

      ￥0.9772

    • 10+

      ￥0.8533

    • 30+

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      ￥0.7044

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      ￥0.6867
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    通用运算放大器
    型号：WS72358BS-8/TR 编号：C717859
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72358B系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1887

    • 50+

      ￥0.945

    • 150+

      ￥0.8405

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      ￥0.7102

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      ￥0.6521

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      ￥0.6173
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    低功耗运算放大器
    型号：WS72144H-14/TR 编号：C717874
    封装：TSSOP-14
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72144是一款四通道低压运算放大器，具备轨到轨输入/输出摆幅。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72144的增益带宽积为13kHz（典型值），且单位增益稳定
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    • 1+

      ￥2.64

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      ￥2.09

    • 30+

      ￥1.85
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    N沟道 耐压:50V 电流:0.25A
    型号：WNM3019-3/TR 编号：C2931327
    封装：SOT-523
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM3019 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2704

    • 100+

      ￥0.2138

    • 300+

      ￥0.1854
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    2.8V 300mA 5.5V
    型号：WL2820D28-4/TR 编号：C467851
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。可为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供高性价比的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制既起到短路保护作用，也起到输出电流限制作用。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅、无卤。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.326018 ￥0.4234

    • 100+

      ￥0.225321 ￥0.3363

    • 300+

      ￥0.166896 ￥0.2928

    • 1000+

      ￥0.148314 ￥0.2602

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      ￥0.133437 ￥0.2341

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      ￥0.12597 ￥0.221
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    P沟道 耐压:20V 电流:5.7A
    型号：WPM6207-3/TR 编号：C2931334
    封装：SOT-23-3
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM6207是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 5+

      ￥0.3328

    • 50+

      ￥0.3259

    • 150+

      ￥0.3213
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    1.2V 500mA 5.5V
    型号：WL2803E12-5/TR 编号：C771777
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用
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    • 10+

      ￥0.4519

    • 100+

      ￥0.3583

    • 300+

      ￥0.3115
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    2.8V 250mA 5.5V
    型号：WL2805E28-5/TR 编号：C506236
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是低 dropout 线性稳压器，针对电池供电系统进行了优化，可提供低静态电流的高性能解决方案。适用于手机、笔记本和其他便携式设备。设计中使用低成本陶瓷电容，确保输出电流的稳定性，提高效率，延长便携式设备的电池寿命。有 SOT-23-3L、SOT-23-5L 封装，标准产品无铅且无卤。
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    3.3V 500mA 12V
    型号：WL2855K33-3/TR 编号：C2931320
    封装：SOT-89-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WL2855K系列是高精度、低噪声、12V输入、500mA的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制比。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2855K具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压
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    TVS 58V截止 峰值脉冲电流：4.3A@10/1000us
    型号：SPD81581A-2/TR 编号：C2931303
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    SPD81581A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、Vcc总线和其他集成电路。
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    高压通用运算放大器
    型号：WS742904S-8/TR 编号：C717878
    封装：SOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS742904由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，可由单一的5VDC通用电源供电。WS742904提供8引脚SOP和MSOP封装
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    单向TVS 22V截止 峰值脉冲电流：130A@8/20us
    型号：ESD56241D22-3/TR 编号：C506141
    封装：DFN2x2-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。
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