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型号：WS72544S-14/TR 编号：C717857

封装：SOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72544系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的四路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量

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5+
￥0.8998
50+
￥0.8797
150+
￥0.8662

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型号：WD3168E-6/TR 编号：C239652

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WD3168是一款开关电容电压转换器，可从不稳压的输入电压产生稳压、低噪声且低纹波的输出电压（5V）。即使输入电压（VIN）大于5V，它也能维持5V稳压输出。该器件采用小封装，其5V输出可提供最大300mA的电流

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5+
￥0.9956
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￥0.8156
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￥0.6851
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￥0.5775

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型号：WS72632S-8/TR 编号：C16197380

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:0.72mA/通道 GBW:9MHz 噪声:12.5nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.109
50+
￥1.0831
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￥1.0658

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型号：WS3221C-6/TR 编号：C506091

封装：WLCSP-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3221是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3221会自动选择内部固定的OVLO阈值电压

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5+
￥1.2329
50+
￥0.9557
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￥0.8369

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型号：WS742906S-14/TR 编号：C16197395

封装：SOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:120μA/通道 GBW:3.5MHz 噪声:32nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.6426
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￥1.2898
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￥1.1386

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型号：WS72042S-8/TR 编号：C717868

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72042 是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72042 的增益带宽积为 29kHz（典型值），且单位增益稳定

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5+
￥1.8448
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￥1.4605
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￥1.2958

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型号：WS72412D-8/TR 编号：C16197379

封装：DFN2x2-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:1.25mA/通道 GBW:18MHz 噪声:8nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥2.1176
50+
￥1.6628
150+
￥1.4679
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￥1.2247
3000+
￥1.1164
6000+
￥1.0514

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型号：WNM3060-6/TR 编号：C2931328

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3060是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥2.143
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￥1.6693
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￥1.4662

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型号：RB521S30-2/TR 编号：C167133

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：小表面贴装类型。低反向电流和低正向电压。高可靠性。这些是无铅器件

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8+
￥0.1604
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￥0.1264
240+
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型号：ESD9X12VD-2/TR 编号：C189966

封装：SOD-923

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X12VD是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD9X12VD根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30KV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20us脉冲下高达3.5A的峰值电流。ESD9X12VD采用SOD - 923封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.2908
100+
￥0.2272
300+
￥0.1955
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￥0.1716
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型号：WPT2F30-6/TR 编号：C239544

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2F30是一款具有极低饱和电压的PNP双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品WPT2F30为无铅产品

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550+
￥0.481993
1000+
￥0.413136

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型号：ESD5621W04-2/TR 编号：C239608

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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10+
￥0.4256
100+
￥0.339
300+
￥0.2957

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型号：ESD73131CZ-2/TR 编号：C719423

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73131CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73131CZ集成了一对超低电容二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73131CZ可提供高达±25kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它可承受高达13A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73131CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4458
100+
￥0.3551
300+
￥0.3098

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型号：ESD56181W09-2/TR 编号：C910979

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.4775
50+
￥0.3719
150+
￥0.3191
500+
￥0.2795

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型号：WD3100B-6/TR 编号：C239576

封装：SC-70-6

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款低成本的闪光灯/手电筒LED驱动器，适用于前置摄像头闪光灯和小电流后置摄像头闪光灯应用。集成了一个电流吸收器，以确保在电池电压、LED正向电压、环境温度等条件变化时，LED电流保持恒定。LED电流可以通过连接在RSET引脚和地之间的外部电阻进行调节，也可以通过将RSET引脚直接接地将LED电流设置为默认的200mA。具有闪光超时保护功能，以防止LED灯在异常情况下过热。

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3000+
￥0.621
6000+
￥0.6095
9000+
￥0.5824

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型号：WMM7018ABHD0-3/TR 编号：C2937704

封装：SMD-3P,2.8x1.9mm

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是微型、高性能、低功耗的底部端口硅麦克风，由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的便携式电子设备。采用 2.75mm×1.85mm×0.90mm 的 3 引脚紧凑型封装。

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1+
￥1.0849
10+
￥0.94
30+
￥0.8779
100+
￥0.8004
500+
￥0.7659
1000+
￥0.7452

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型号：WNM3032-8/TR 编号：C2941863

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3032 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥1.5605
10+
￥1.2127
30+
￥1.0637

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型号：WMM7037ATSN0-4/TR 编号：C2931323

封装：LGA-4(3x3.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的电子设备。采用紧凑的3.76mm×2.95mm×1.10mm、4引脚LGA封装。

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5+
￥2.228
50+
￥1.7592
150+
￥1.5584

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型号：WPM2015-3/TR 编号：C213159

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道,-20V-2.4A

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1085+
￥0.247758
2170+
￥0.239634
4340+
￥0.235573
8680+
￥0.223388

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型号：ESD5465E-6/TR 编号：C2941814

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5465E是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD5465E集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5465E可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 4标准，可承受高达40A（5/50ns）的峰值脉冲电流；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达15A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5465E采用SOT23 - 6L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4173
100+
￥0.3261
300+
￥0.2805
3000+
￥0.2463
6000+
￥0.2189
9000+
￥0.2052

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型号：WPM1488-3/TR 编号：C239582

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1488 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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3000+
￥0.4485
6000+
￥0.437
9000+
￥0.4144

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型号：SPD82062B-2/TR 编号：C506163

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD82062B是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。它专为保护|/○接口、VBUS和其他集成电路而设计。

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5+
￥0.6249
50+
￥0.4953
150+
￥0.4305

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型号：SPD9231A-2/TR 编号：C2941851

封装：SMA

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9231A是一种双向TSS（晶闸管浪涌抑制器），可以为IC提供ESD保护。它专门设计用于保护电信设备免受过电压瞬变的损害。SPD9231A可用于满足包括ITU-T K.20、K.21和IEC 61000-4-5在内的各种法规要求。SPD9231A采用SMA封装。标准产品无铅且无卤素。

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5+
￥0.7247
50+
￥0.5663
150+
￥0.4871
500+
￥0.4277

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型号：WPM2037-6/TR 编号：C399981

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2037 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.7655
50+
￥0.6119
150+
￥0.5351

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型号：WCM2001-6/TR 编号：C910992

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2001 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管集成于单个封装的产品，适用于 DC - DC 转换器或负载开关应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。标准产品 WCM2001 为无铅产品

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1+
￥1.5743
10+
￥1.2265
30+
￥1.0775
100+
￥0.8915

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型号：WPM3035-8/TR 编号：C2941876

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3035 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥1.8184
10+
￥1.4404
30+
￥1.2784
100+
￥1.0763
500+
￥0.9863
1000+
￥0.9323

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型号：WS74199Q-10/TR 编号：C1122367

封装：WQFN-10(1.4x1.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS74199系列电压输出型电流分流监测器（也称为电流检测放大器）通常用于过流保护、系统优化的精密电流测量，或用于闭环反馈电路。这些器件采用2.7V至26V单电源供电，最大电源电流为160μA。WS74199采用SOT363和QFN1418 - 10L封装，具备MSL 3级特性

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1+
￥4.48
10+
￥3.62
30+
￥3.18

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型号：ESD54151N-2/TR 编号：C506100

封装：DFN1006-2

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54151N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD54151N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54151N采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.22
200+
￥0.1725
600+
￥0.1462
2000+
￥0.1303
10000+
￥0.1166
20000+
￥0.1093

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型号：WL2808E12-5/TR 编号：C2931310

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。电流限制器的折返电路还可作为输出引脚的短路保护和输出电流限制器。采用标准SOT-23-5L封装，标准产品无铅、无卤。

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10+
￥0.3093
100+
￥0.2445
300+
￥0.2121
3000+
￥0.1878

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型号：ESD5485E-6/TR 编号：C2941815

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5485E是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5485E集成了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5485E可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 4标准，可承受高达40A（5/50ns）的峰值脉冲电流；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达10A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5485E采用SOT - 23 - 6L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.8257
50+
￥0.6577
150+
￥0.5737
500+
￥0.5107
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￥0.4603
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