韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：WSB5558N-2/TR 编号：C240198

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：100mA平均整流正向电流。低正向电压。低漏电流。小型DFN1006-2L封装。应用：低电流整流

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10+
￥0.3067
100+
￥0.2443
300+
￥0.2131

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型号：WNM2046C-3/TR 编号：C506106

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2046C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.4398
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￥0.3503
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型号：WNM2046B-3/TR 编号：C2941861

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046B是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.4483
100+
￥0.3571
300+
￥0.3115

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型号：ESD5452E-3/TR 编号：C2941811

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5452E是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5452E可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5452E采用SOT - 23封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.4965
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￥0.3955
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型号：WD3100B-6/TR 编号：C239576

封装：SC-70-6

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款低成本的闪光灯/手电筒LED驱动器，适用于前置摄像头闪光灯和小电流后置摄像头闪光灯应用。集成了一个电流吸收器，以确保在电池电压、LED正向电压、环境温度等条件变化时，LED电流保持恒定。LED电流可以通过连接在RSET引脚和地之间的外部电阻进行调节，也可以通过将RSET引脚直接接地将LED电流设置为默认的200mA。具有闪光超时保护功能，以防止LED灯在异常情况下过热。

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5+
￥0.5279
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￥0.2773
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型号：WNM3018-3/TR 编号：C719462

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3018 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

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5+
￥0.6134
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￥0.4886
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型号：WS72544S-14/TR 编号：C717857

封装：SOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72544系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的四路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地，这使得该器件可用于低端电流分流测量

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型号：WMM7018ABHD0-3/TR 编号：C2937704

封装：SMD-3P,2.8x1.9mm

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是微型、高性能、低功耗的底部端口硅麦克风，由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的便携式电子设备。采用 2.75mm×1.85mm×0.90mm 的 3 引脚紧凑型封装。

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￥1.0849
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￥0.94
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型号：WS72632S-8/TR 编号：C16197380

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:0.72mA/通道 GBW:9MHz 噪声:12.5nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.109
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￥1.0831
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型号：WCM2001-6/TR 编号：C910992

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WCM2001 是一款将 N 沟道和 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管集成于单个封装的产品，适用于 DC - DC 转换器或负载开关应用。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。标准产品 WCM2001 为无铅产品

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￥1.5743
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￥1.2265
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型号：WS742906S-14/TR 编号：C16197395

封装：SOP-14

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:120μA/通道 GBW:3.5MHz 噪声:32nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.6426
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￥1.2898
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型号：WS72042S-8/TR 编号：C717868

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72042 是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72042 的增益带宽积为 29kHz（典型值），且单位增益稳定

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5+
￥1.8448
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￥1.4605
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型号：WPM2065A-6/TR 编号：C2941873

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2065A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥2.67
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￥2.12
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型号：ESD9X12VD-2/TR 编号：C189966

封装：SOD-923

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X12VD是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD9X12VD根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30KV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20us脉冲下高达3.5A的峰值电流。ESD9X12VD采用SOD - 923封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.2908
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￥0.2272
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型号：WSB5507W-2/TR 编号：C239592

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：0.5A平均整流正向电流。低正向电压，低漏电流。小封装SOD-323。应用：开关电路。中电流整流

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型号：WPM2015-3/TR 编号：C213159

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道,-20V-2.4A

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￥0.23452
3000+
￥0.179872

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型号：WL2803E12-5/TR 编号：C771777

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，压降典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，非常适合需要高输出电流的消费类和网络应用

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￥0.4633
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￥0.3615
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￥0.3106

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型号：SPD82062B-2/TR 编号：C506163

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD82062B是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。它专为保护|/○接口、VBUS和其他集成电路而设计。

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￥0.6249
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￥0.4953
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型号：WL2855K33-3/TR 编号：C2931320

封装：SOT-89-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2855K系列是高精度、低噪声、12V输入、500mA的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制比。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2855K具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压

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￥0.6344
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150+
￥0.4328

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型号：WPMD4953-8/TR 编号：C2941881

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD4953 是一款双 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.8257
50+
￥0.6577
150+
￥0.5737
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型号：WPM3005-3/TR 编号：C2939854

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3005 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.9201
50+
￥0.7329
150+
￥0.6393
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型号：WPM3035-8/TR 编号：C2941876

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3035 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥1.8184
10+
￥1.4404
30+
￥1.2784
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￥1.0763
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￥0.9863
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￥0.9323

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型号：ESD5465E-6/TR 编号：C2941814

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5465E是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD5465E集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5465E可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 4标准，可承受高达40A（5/50ns）的峰值脉冲电流；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达15A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5465E采用SOT23 - 6L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4173
100+
￥0.3261
300+
￥0.2805
3000+
￥0.2463
6000+
￥0.2189
9000+
￥0.2052

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型号：ESD56201D12-2/TR 编号：C506132

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

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10+
￥0.4718
100+
￥0.3758
300+
￥0.3278

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型号：WPMD2076-8/TR 编号：C2941879

封装：SOP-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPMD2076 是一款双 P 沟道逻辑模式功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。该高密度工艺专为最大程度降低导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

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5+
￥0.5898
50+
￥0.4698
150+
￥0.4098
500+
￥0.3648

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型号：SPD81152A-2/TR 编号：C506162

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD81152A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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5+
￥0.6134
50+
￥0.4886
150+
￥0.4262

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型号：ESD56151D04-2/TR 编号：C506129

封装：DFN1610-2

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10000+
￥0.2912
20000+
￥0.28
30000+
￥0.2688

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型号：WPM2037-6/TR 编号：C399981

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2037 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.7655
50+
￥0.6119
150+
￥0.5351

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型号：ESD5485E-6/TR 编号：C2941815

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5485E是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5485E集成了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5485E可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 4标准，可承受高达40A（5/50ns）的峰值脉冲电流；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达10A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5485E采用SOT - 23 - 6L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.8257
50+
￥0.6577
150+
￥0.5737
500+
￥0.5107
3000+
￥0.4603
6000+
￥0.4351

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型号：ESD5641D10-3/TR 编号：C910980

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅、无卤。

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3000+
￥0.322
6000+
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