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型号：WPM2341-3/TR 编号：C167138

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-20V，-4.3A

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10+
￥0.4374
100+
￥0.3633
300+
￥0.3262

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型号：WNM3003-3/TR 编号：C239653

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3003是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换和功率开关应用

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5+
￥0.4616
50+
￥0.3598
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￥0.2707

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型号：WPM3401-3/TR 编号：C506235

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3401 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

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5+
￥0.5134
50+
￥0.3996
150+
￥0.3428
500+
￥0.3001

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型号：WNM3008-3/TR 编号：C2939850

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3008是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.527
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￥0.4166
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￥0.3614
500+
￥0.32
3000+
￥0.2869

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型号：ESD73311CZ-2/TR 编号：C2941837

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73311CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73311CZ可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达20A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73111CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

5+
￥0.6097
50+
￥0.4778
150+
￥0.4118
500+
￥0.3624

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型号：ESD56241D15-3/TR 编号：C2931300

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。

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5+
￥0.7322
50+
￥0.5834
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￥0.509
500+
￥0.4532
3000+
￥0.4085

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型号：ESD5641D07-3/TR 编号：C239774

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.8362
50+
￥0.6975
150+
￥0.597
500+
￥0.5141

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型号：WS72358M-8/TR 编号：C717850

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电平，这使得该器件可用于低端电流分流测量

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5+
￥0.8706
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￥0.6882
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￥0.597
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型号：WPM3028-8/TR 编号：C719458

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3028 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥1.6165
50+
￥1.2826
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￥1.1395
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￥0.961

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型号：WS3222D-8/TR 编号：C239703

封装：WDFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3222是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压

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5+
￥1.7134
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￥1.3526
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￥1.198
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￥1.005

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型号：ESDA6V8UW-6/TR 编号：C2939842

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8UW是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESDA6V8UW集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESDA6V8UW可提供高达±8KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达3A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V8UW采用SOT - 363封装。标准产品无铅且无卤素。

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1+
￥2.26
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￥1.99
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￥1.87
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￥1.72
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￥1.66
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￥1.62

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型号：WNM3057-8/TR 编号：C2939851

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3057 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥2.51
10+
￥2.24
30+
￥2.11
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￥1.97
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￥1.89
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￥1.85

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型号：WL2868C-20/TR 编号：C2941884

封装：CSP-20L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2868C是一款集成了7个低压差线性稳压器（LDO）的电源管理集成电路（PMIC），该PMIC有2个低压差LDO用于大电流数字电源（DVDD），还有5个高电源抑制比（PSRR）的LDO用于对噪声敏感的电源轨。这些LDO的输出电压和上电顺序可通过I2C接口进行设置。WL2868C还集成了带有中断指示的故障监测功能

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1+
￥4.62
10+
￥4.11
30+
￥3.86
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￥3.61
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￥3.46
1000+
￥3.39

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型号：WNM5002-3/TR 编号：C2931330

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM5002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于小信号开关

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20+
￥0.1789
200+
￥0.1384
600+
￥0.1159

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型号：ESD5491S-2/TR 编号：C5140546

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5491S是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。ESD5491S可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5491S采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.1819
200+
￥0.136
600+
￥0.1105

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型号：ESD54211N-2/TR 编号：C2941809

封装：WBFBP-02C-C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54211N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止由ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力。ESD54211N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54211N采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2004
200+
￥0.1561
600+
￥0.1315
2000+
￥0.1167

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型号：WNM2046-3/TR 编号：C239671

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.2422
100+
￥0.1941
300+
￥0.17
1000+
￥0.152

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型号：ESDA6V1W5-5/TR 编号：C167129

封装：SOT-353

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V1W5阵列是一款四线ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。对于正瞬态，这些器件将电压钳位在逻辑电平电源略上方；对于负瞬态，将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。ESDA6V1W5可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达9A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V1W5采用SOT - 353封装。标准产品无铅且无卤素。

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10+
￥0.295
100+
￥0.2611
300+
￥0.2442

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型号：WNM4153-3/TR 编号：C239557

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4153 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换应用。标准产品 WNM4153 为无铅产品

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10+
￥0.3021
100+
￥0.2421
300+
￥0.2121

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型号：WL2836D18-4/TR 编号：C506085

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制功能既可以作为短路保护，也可以作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.3664
100+
￥0.288
300+
￥0.2488
1000+
￥0.2194

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型号：SPD9108W-2/TR 编号：C2939844

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9108W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件而设计，可防止由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力。SPD9108W集成了低电容导向二极管，可将每线路的典型电容降至1.2pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD9108W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达18A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD9108W采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤素。

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10+
￥0.4227
100+
￥0.3348
300+
￥0.2909

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型号：ESDA6V8V5-5/TR 编号：C239607

封装：SOT-553

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8V5阵列是一款四线ESD瞬态电压抑制器，可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。这些器件在正瞬态时将电压钳位至略高于逻辑电平电源，在负瞬态时将电压钳位至低于地电位一个二极管压降。ESDA6V8V5可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V8V5采用SOT - 553封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4332
100+
￥0.3425
300+
￥0.2971

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型号：SPD81242A-2/TR 编号：C2931910

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD8124A可保护敏感电子设备，使其免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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5+
￥0.4697
50+
￥0.4147
150+
￥0.3872
500+
￥0.3666
2500+
￥0.3501

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型号：WNM2024-3/TR 编号：C239641

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2024 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.4861
50+
￥0.3853
150+
￥0.3349
500+
￥0.2971

有货

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型号：ESD56161D24-3/TR 编号：C719414

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56161D24是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止由静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击引起的过应力。ESD56161D24可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达170A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD56161D24采用DFN2x2 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.5037
50+
￥0.3974
150+
￥0.3442

有货

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型号：SPD81052A-2/TR 编号：C506161

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD81052A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

数据手册

5+
￥0.5404
50+
￥0.4219
150+
￥0.3626
500+
￥0.3181
2500+
￥0.2826

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型号：WL2863E28-5/TR 编号：C2931321

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2863E是一款线性稳压器，能够提供250 mA的输出电流。该器件专为满足射频和模拟电路的要求而设计，具备低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及出色的负载/线性瞬态响应特性。该器件设计为搭配1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容使用（无需单独的噪声抑制旁路电容）

数据手册

5+
￥0.7051
50+
￥0.5496
150+
￥0.4718
500+
￥0.4135

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型号：SPD9112W-2/TR 编号：C506167

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9112W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD9112W集成了低电容转向二极管，可将每线的典型电容降至1.2pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD9112W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达12A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD9112W采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.7057
50+
￥0.5797
150+
￥0.4884
500+
￥0.4131

有货

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型号：WS4612EBB-5/TR 编号：C42404603

封装：SOT-23-5

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款带有超低导通电阻 P-MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可以限制大电容负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。还集成了反向保护功能，可消除设备关闭时开关两端的任何反向电流。输出自动放电功能使设备关闭时输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。采用 SOT-23-5L 封装，标准产品无铅和无卤。

5+
￥0.7099
50+
￥0.5639
150+
￥0.4909
500+
￥0.4362

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型号：WNM4009-3/TR 编号：C2931329

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4009是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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5+
￥0.7272
50+
￥0.6392
150+
￥0.6015
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￥0.5544
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