韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：WL2836D25-4/TR 编号：C2931316

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
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￥0.246

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型号：WNM3025-3/TR 编号：C240200

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3025 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：WPT2N41-8/TR 编号：C239620

封装：PDFN-8-EP(2x3)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2N41 是一款具有极低饱和电压的 PNP 双极型功率晶体管。该器件适用于标准产品。WPT2N41 为无铅产品

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型号：ESD56201D04-2/TR 编号：C399980

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

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型号：SPD81152A-2/TR 编号：C506162

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD81152A可保护敏感电子设备免受电感负载切换和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护I/O接口、VCC总线和其他集成电路。

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型号：ESDA6V8UW-6/TR 编号：C2939842

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8UW是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESDA6V8UW集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESDA6V8UW可提供高达±8KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达3A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESDA6V8UW采用SOT - 363封装。标准产品无铅且无卤素。

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￥0.678 ￥2.26
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￥0.398 ￥1.99
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型号：WPM3012-3/TR 编号：C239638

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3012 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
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型号：ESD56241D24-3/TR 编号：C2931301

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56241DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56241DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD56241DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅且无卤素。

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型号：WL2851E33-5/TR 编号：C467852

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2851E系列是一款高精度、高输入电压、低静态电流、高速、低压差的线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件采用Bi-CMOS工艺制造。WL2851E具备过流限制和过温保护功能，以确保器件在良好的条件下工作

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型号：WS72358M-8/TR 编号：C717850

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电平，这使得该器件可用于低端电流分流测量

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￥0.8706
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型号：WS72358D-8/TR 编号：C2943885

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

通用运算放大器 WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包括地，使该器件可用于低端电流分流测量。

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￥1.1751
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型号：WNM3056-6/TR 编号：C2941866

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3056 是单 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥1.2553
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型号：WS3241C-12/TR 编号：C2931337

封装：CSP-12L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3241C 具备低导通电阻（RON）内部高压开关，其输入范围的绝对最大值为 29V。WS3241C 具有过压保护（OVP）功能，若 OVLO 引脚电压超过 1.2V 参考电压，内部开关将关闭。可使用外部电阻分压器来设置输入电压过压保护阈值

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型号：ESD5451NL-2/TR 编号：C2931298

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451NL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5451NL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±15 kV（接触放电和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达4.0A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451NL采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：WL2820D105-4/TR 编号：C2931313

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压。因此，电流限制功能既作为短路保护，也作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.11616 ￥0.3872
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型号：WNM6012-3/TR 编号：C2941870

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6012是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.12033 ￥0.4011
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型号：ESD5Z3V3-2/TR 编号：C239531

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z3V3是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD5Z3V3依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30kV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，能承受8/20μs脉冲下高达9A的峰值电流。ESD5Z3V3采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
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型号：ESD73251CZ-2/TR 编号：C2939841

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73251CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73251CZ集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73251CZ可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73251CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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￥0.18447 ￥0.6149
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型号：ESD54211N-2/TR 编号：C2941809

封装：WBFBP-02C-C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54211N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止由ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力。ESD54211N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54211N采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2004
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￥0.1561
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型号：ESD5342N-3/TR 编号：C506145

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5342N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5342N集成了两对低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5342N可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5342N采用DFN1006 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：WNM4002-3/TR 编号：C239543

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4002是N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品WNM4002为无铅产品

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6000+
￥0.1127
9000+
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型号：WNM4153-3/TR 编号：C239557

封装：SOT-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4153 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换应用。标准产品 WNM4153 为无铅产品

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型号：WNM4009-3/TR 编号：C2931329

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM4009是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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￥0.312696 ￥0.7272
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￥0.210936 ￥0.6392
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￥0.138345 ￥0.6015
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￥0.127512 ￥0.5544
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￥0.122705 ￥0.5335
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￥0.119807 ￥0.5209

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型号：WPM2081-3/TR 编号：C239550

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2081 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：ESD5621W10-2/TR 编号：C506168

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5621wXX是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5621wXX可提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具有高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚（8/20μs）

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