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首页 > 热门关键词 > 韦尔dcdc芯片
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单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
型号：ESD5301N-2/TR 编号：C239829
封装：DFN1006-2L
品牌：WILLSEMI(韦尔)
ESD5301N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5301N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5301N可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准，能够承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5301N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。
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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：3A@8/20us
    型号：ESD9N5BL-2/TR 编号：C2931909
    封装：DFN1006-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD9N5BL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD9N5BL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N5BL采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。
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    停产 双向TVS 5V截止 峰值脉冲电流：3A@8/20us
    型号：ESD9N5BU-2/TR 编号：C506105
    封装：DFN1006-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD9N5BU是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESD9N5BU根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±12KV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20μs脉冲下高达3A的峰值电流。ESD9N5BU采用DFN1006封装。标准产品无铅且无卤。
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    电压:40V 电流:500mA
    型号：WSB5539N-2/TR 编号：C239808
    封装：DFN1006-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    特性：低正向电压。 0.5A平均整流正向电流。 峰值正向电流经过测试。 标准产品无铅和无卤素
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    双向TVS 4.6V截止 峰值浪涌电流：100A@8/20us
    型号：ESD56131W-2/TR 编号：C239548
    封装：SOD-323F
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD56131W是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD56131W可提供高达±30kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具备高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚
    数据手册

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    输入5.5V 输出3V
    型号：WL2815D30-4/TR 编号：C411886
    封装：UDFN-4-EP(1x1)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是低压差线性稳压器，针对电池供电系统进行了优化，可提供低静态电流的高性能解决方案。适用于手机、笔记本电脑和其他便携式设备。采用低成本陶瓷电容器，确保输出电流的稳定性，提高效率，延长便携式设备的电池寿命。采用DFN1x1-4L封装，标准产品为无铅和无卤产品。
    数据手册

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    单向TVS 4.85V截止 峰值脉冲电流：120A@8/20us
    型号：ESD56201D04-2/TR 编号：C399980
    封装：DFN1610-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。
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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：3.5A@8/20us
    型号：ESD5B5VL-2/TR 编号：C506103
    封装：SOD-523
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专门用于保护可能遭受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变脉冲群）和雷击的敏感电子元件。由于其封装小、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他便携式应用。ESD5B5VL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±8kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5B5VL采用SOD - 523封装。标准产品无铅、无卤。
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    单向TVS 12V截止 峰值浪涌电流：50A
    型号：ESD5661D12-2/TR 编号：C2931302
    封装：FBP1608-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5661DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5661DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5661DXX采用FBP1608-2L封装。标准产品无铅且无卤。
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    双向TVS 4.5V截止 峰值浪涌电流：150A@8/20us
    型号：ESD56151W04-2/TR 编号：C239632
    封装：SOD-323
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD56151WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。该器件专为保护电源线而设计，采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.1A
    型号：WPM3012-3/TR 编号：C239638
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM3012 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下可实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
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      ￥0.3938
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    100V 1.7A
    型号：WNM01N10-3/TR 编号：C506233
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    N-Channel增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品无铅且无卤。
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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
    型号：ESD5305F-6/TR 编号：C136137
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5305F是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5305F集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5305F可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能够承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5305F采用SOT23 - 6L封装。标准产品无铅且无卤。
    数据手册

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    微功耗运算放大器
    型号：WS72321D-4/TR 编号：C16197393
    封装：DFN1x1-4
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    运算放大器 通道数:1 功耗:48μA GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

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    低功耗、轨到轨输入输出运算放大器
    型号：WS72358D-8/TR 编号：C2943885
    封装：DFN-8-EP(2x2)
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    通用运算放大器 WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包括地，使该器件可用于低端电流分流测量。
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      ￥1.1217

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    零温漂运算放大器
    型号：WS72552M-8/TR 编号：C717866
    封装：MSOP-8
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作
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    9MHz 轨到轨输入输出 CMOS 运算放大器
    型号：WS72631E-5/TR 编号：C2841144
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72631是一款低功耗轨到轨输入输出运算放大器，具有低电流噪声、高转换速率和宽信号带宽的特点。低噪声、低输入偏置电流、高速以及内置EMI滤波器等特性的结合，使该放大器适用于多种应用场景。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器等都能从这些性能特点的组合中受益
    数据手册

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      ￥1.2708

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      ￥1.0039

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      ￥0.7468
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    通用运算放大器
    型号：WS72324S-14/TR 编号：C717851
    封装：SOP-14
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WS72324系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的四路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电位，这使得该器件可用于低端电流分流测量
    数据手册

    • 1+

      ￥1.454

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    双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：ESD5311Z-2/TR 编号：C239819
    封装：DFN0603-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5311Z是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5311Z集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311Z可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2131

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  • 有货
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    单向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
    型号：ESD5342N-3/TR 编号：C506145
    封装：DFN1006-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5342N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5342N集成了两对低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5342N可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5342N采用DFN1006 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。
    数据手册

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      ￥0.2278

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    电压:40V 电流:1A
    型号：WSB5508L-2/TR 编号：C239542
    封装：SOD-123
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    特性：1A平均整流正向电流。 低正向电压。 低漏电流。 SOD-123封装。应用：开关电路。 中电流整流
    数据手册

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    单向TVS 7V截止 峰值浪涌电流：27A@8/20us
    型号：ESD5681N07-2/TR 编号：C240204
    封装：DFN1006-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5681NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD5681NXX专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5681NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。电源保护 电源管理
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2527

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      ￥0.1931

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      ￥0.1402
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    N沟道 耐压:60V 电流:250mA
    型号：WNM6012-3/TR 编号：C2941870
    封装：DFN1006-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM6012是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
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    • 10+

      ￥0.2904

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    双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：22A@8/20us
    型号：ESD56371N-2/TR 编号：C2939838
    封装：DFN1006-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD56371N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止由ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力。ESD56371N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达22A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD56371N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。
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      ￥0.3003

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:0.65A
    型号：WPM2031-3/TR 编号：C240201
    封装：SOT-723
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM2031 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
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    低噪声、高PSRR、高速CMOS LDO
    型号：WL2836D33-4/TR 编号：C2931318
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。
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    单向ESD 12V截止 峰值浪涌电流：18A@8/20us
    型号：ESD5682E12-3/TR 编号：C2939839
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    ESD5682E12是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5682E12专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5682E12采用SOT - 23封装，标准产品无铅且无卤。
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    低噪声、高PSRR、高速CMOS LDO
    型号：WL2820D105-4/TR 编号：C2931313
    封装：DFN1x1-4L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是高精度、低噪声、高速、低压差CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压。因此，电流限制功能既作为短路保护，也作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤。
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    电压:40V 电流:1A
    型号：WSB5523D-2/TR 编号：C240194
    封装：FBP1608-2L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    特性：1A 整流正向电流。 低正向电压。 低泄漏电流。 FBP 封装。应用：开关电路。 中电流整流
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4.3A
    型号：WPM2341-3/TR 编号：C167138
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    P沟道，-20V，-4.3A
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