韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESD5431Z-2/TR 编号：C719434

封装：DFN0603-2L

ESD5431Z是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5431Z可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5431Z采用DFN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1202
200+
￥0.0923
600+
￥0.0767
2000+
￥0.0674

有货

立即购买

型号：ESD9N5V-2/TR 编号：C239549

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N5V是一款单向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护可能遭受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击的敏感电子元件。由于其封装小巧、重量轻，特别适用于手机、便携式设备、数码相机、电源及许多其他便携式应用

数据手册

20+
￥0.1443
200+
￥0.113
600+
￥0.0956
2000+
￥0.0851

有货

立即购买

型号：ESD9X5VL-2/TR 编号：C239781

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等）中的多层压敏电阻（MLV）。ESD9X5VL集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9X5VL可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，对于8/20 μs脉冲，可承受高达4A的峰值脉冲电流。ESD9X5VL采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

20+
￥0.1661
200+
￥0.1453
600+
￥0.1338
2000+
￥0.1269

有货

立即购买

型号：ESD5302N-3/TR 编号：C239822

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5302N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302N集成了两对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5302N可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5302N采用DFN1006 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1757
200+
￥0.1343
600+
￥0.1113
2000+
￥0.0975

有货

立即购买

型号：WNM6001-3/TR 编号：C239589

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.1823
200+
￥0.1497
600+
￥0.1262

有货

立即购买

型号：ESD5401N-2/TR 编号：C239693

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5401N是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5401N可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能够承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

数据手册

20+
￥0.1874
200+
￥0.1452
600+
￥0.1217
2000+
￥0.1077

有货

立即购买

型号：ESD9X7V-2/TR 编号：C189965

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X7V是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等）中的多层压敏电阻（MLV）。ESD9X7V根据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30kV（接触）的ESD瞬态电压；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受8/20μs脉冲下高达9.5A的峰值电流。ESD9X7V采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1905
200+
￥0.1565
600+
￥0.1319
2000+
￥0.1115

有货

立即购买

型号：ESD56281N05-2/TR 编号：C5140547

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56281NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56281NXX专为保护USB端口和电源线而设计。ESD56281NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
2000+
￥0.1139

有货

立即购买

型号：WNM3013-3/TR 编号：C239659

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

数据手册

20+
￥0.222
200+
￥0.175
600+
￥0.1489

有货

立即购买

型号：WL2820D18-4/TR 编号：C506109

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该产品在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压。因此，电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.2865
100+
￥0.2264
300+
￥0.1964
1000+
￥0.1739
5000+
￥0.1559

有货

立即购买

型号：ESD5344D-10/TR 编号：C239666

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5344D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5344D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5344D可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5344D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.2878
100+
￥0.236
300+
￥0.21

有货

立即购买

型号：WNM2077-3/TR 编号：C239779

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2077是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3563
200+
￥0.2927
600+
￥0.2466
2000+
￥0.2085

有货

立即购买

型号：SS24 编号：C167134

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：肖特基势垒整流器。防护保护。低正向电压。反向能量测试。高电流能力。极低的热阻。标准产品无铅和无卤

数据手册

10+
￥0.4124
100+
￥0.3398
300+
￥0.2871
1000+
￥0.2437

有货

立即购买

型号：WNM3025-3/TR 编号：C240200

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3025 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.4417
50+
￥0.3456
150+
￥0.2975
500+
￥0.2615
2500+
￥0.2327
5000+
￥0.2182

有货

立即购买

型号：ESD73031N-2/TR 编号：C506146

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73031N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73031N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73031N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达11A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73031N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4502
100+
￥0.3509
300+
￥0.3012
1000+
￥0.264

有货

立即购买

型号：WL2815D33-4/TR 编号：C506126

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

数据手册

10+
￥0.4956
100+
￥0.439
300+
￥0.4107
1000+
￥0.3895

有货

立即购买

型号：ESD73251CZ-2/TR 编号：C2939841

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73251CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73251CZ集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73251CZ可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73251CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

5+
￥0.6149
50+
￥0.5429
150+
￥0.5069
500+
￥0.4799
2500+
￥0.4583
5000+
￥0.4475

有货

立即购买

型号：WS742904M-8/TR 编号：C717879

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS742904由双通道独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专为在宽电压范围内的单电源下工作而设计。这些器件在与数字系统的接口电路中特别有用，可由单一的5VDC通用电源供电。WS742904提供8引脚SOP和MSOP封装

数据手册

5+
￥0.7064
50+
￥0.6102
150+
￥0.569
500+
￥0.5176
2500+
￥0.4947

有货

立即购买

型号：WS72551E-5/TR 编号：C717864

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

5+
￥1.1103
50+
￥0.8997
150+
￥0.8094
500+
￥0.6967

有货

立即购买

型号：WPM1481-6/TR 编号：C239798

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1481 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.1966
50+
￥0.983
150+
￥0.8281
500+
￥0.7003

有货

立即购买

型号：WS72324Q-16/TR 编号：C16197394

封装：QFN3x3-16

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:48μA/通道 GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.3699
50+
￥1.062
150+
￥0.93
500+
￥0.7654

有货

立即购买

型号：WS72042M-8/TR 编号：C717869

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72042 是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72042 的增益带宽积为 29kHz（典型值），且单位增益稳定

数据手册

5+
￥1.5224
50+
￥1.3355
150+
￥1.2554
500+
￥1.1554
2500+
￥1.1109

有货

立即购买

型号：ESD5451NL-2/TR 编号：C2931298

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451NL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5451NL可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±15 kV（接触放电和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达4.0A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5451NL采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.0589
500+
￥0.0465
1500+
￥0.0396

有货

立即购买

型号：ESD9N5B-2/TR 编号：C240206

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N5B是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESD9N5B可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N5B采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

50+
￥0.1121
500+
￥0.0867
1500+
￥0.0726

有货

立即购买

型号：WNM2046E-3/TR 编号：C2939849

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046E 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.1709
200+
￥0.1331
600+
￥0.1121
2000+
￥0.0996

有货

立即购买

型号：ESD54231N-2/TR 编号：C2931297

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD54231N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD54231N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD54231N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1793
200+
￥0.1415
600+
￥0.1205
2000+
￥0.1079

有货

立即购买

型号：WNM2030A-3/TR 编号：C2931325

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。

数据手册

20+
￥0.1882
200+
￥0.1488
600+
￥0.1269
2000+
￥0.1138

有货

立即购买

型号：ESD9N18BA-2/TR 编号：C719450

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N18BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD9N18BA可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6.5A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N18BA采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.2011
200+
￥0.1655
600+
￥0.1457
2000+
￥0.1338

有货

立即购买

型号：ESD9NS5V-3/TR 编号：C239768

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9NS5V是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、机顶盒（STB）、液晶电视（LCD TV）等。ESD9NS5V依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30 kV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，对于8/20 μs脉冲，可承受高达9A的峰值电流。ESD9NS5V采用DFN1006 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.2073
200+
￥0.1641
600+
￥0.1401
2000+
￥0.1257
10000+
￥0.1132

有货

立即购买

型号：ESD5311X-2/TR 编号：C239811

封装：WBFBP-02C-C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5311X是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5311X集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311X可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

20+
￥0.2181
200+
￥0.196
600+
￥0.185

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示