韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：WS4601E-5/TR 编号：C213171

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4601是一款采用超低导通电阻P沟道MOSFET的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流

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5+
￥1.2547
50+
￥1.0307
150+
￥0.8683
500+
￥0.7343
2500+
￥0.7114

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型号：WSB5546N-2/TR 编号：C240197

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：低反向电流。0.2A平均整流正向电流。标准产品无铅且无卤

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20+
￥0.224105 ￥0.2359
200+
￥0.17537 ￥0.1846
600+
￥0.148295 ￥0.1561
2000+
￥0.13205 ￥0.139
10000+
￥0.11799 ￥0.1242
20000+
￥0.11039 ￥0.1162

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型号：ESD9N12BA-2/TR 编号：C239664

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9N12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9N12BA可提供高达±30 kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达5.5A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N12BA采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.2376
200+
￥0.1936
600+
￥0.1617
2000+
￥0.1354

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型号：WL2836D25-4/TR 编号：C2931316

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4168
100+
￥0.3286
300+
￥0.2845
1000+
￥0.2514
5000+
￥0.2249

有货

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型号：WL2836D28-4/TR 编号：C2931317

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4174
100+
￥0.3253
300+
￥0.2793
1000+
￥0.2448
5000+
￥0.2172

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型号：WS72551M-8/TR 编号：C717862

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

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5+
￥0.885 ￥1.475
50+
￥0.77286 ￥1.2881
150+
￥0.7248 ￥1.208
500+
￥0.66486 ￥1.1081
2500+
￥0.63816 ￥1.0636
4000+
￥0.62214 ￥1.0369

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型号：WS72142S-8/TR 编号：C717871

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72142 是一款双路低压运算放大器，具备轨到轨输入/输出摆幅。超低功耗特性使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72142 的增益带宽积为 13kHz（典型值），且具有单位增益稳定性

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5+
￥1.036926 ￥1.5711
50+
￥0.827706 ￥1.2541
150+
￥0.738078 ￥1.1183
500+
￥0.626142 ￥0.9487
2500+
￥0.513546 ￥0.7781
4000+
￥0.483648 ￥0.7328

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型号：WS742128DM-10/TR 编号：C16197399

封装：EMSOP-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

音频功率放大器@@THD+N:＞100dB,SNR＞112dB,Voltage Output at 600Ω Load:2Vrms with 3.3V supply voltage/3Vrms with 5.0V supply voltage,No Pop/Clicks Noise when Power ON/OFF,Optimized Frequency Response between 20Hz~20kHz,No Need Output DC-Blocking Capacitors

5+
￥1.3845
50+
￥1.0871
150+
￥0.9597
500+
￥0.8007
2500+
￥0.7299

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型号：WPM3033-8/TR 编号：C2931333

封装：PDFN3x3-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3033 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥3.79
10+
￥3.13
30+
￥2.85
100+
￥2.5
500+
￥2.35
1000+
￥2.25

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型号：ESD5611N-2/TR 编号：C2939834

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5611N是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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10+
￥0.2554
100+
￥0.205
300+
￥0.1798
1000+
￥0.1609
5000+
￥0.1458

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型号：WNM2030-3/TR 编号：C239769

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2030是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.3245
200+
￥0.2667
600+
￥0.2249
2000+
￥0.1903

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型号：WL2815D18-4/TR 编号：C506122

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

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10+
￥0.4123
100+
￥0.3209
300+
￥0.2753
1000+
￥0.241
5000+
￥0.2136

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型号：WNM2016A-3/TR 编号：C601105

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2016A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.4217
100+
￥0.3464
300+
￥0.2918
1000+
￥0.2468
5000+
￥0.2391

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型号：WL2836D30-4/TR 编号：C506138

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能。具有折返式最大输出电流，其大小取决于输出电压。因此，电流限制功能既可以作为短路保护，也可以作为输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.4755
50+
￥0.419
150+
￥0.3908
500+
￥0.3696
2500+
￥0.3527
5000+
￥0.3442

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型号：SPD9103W-2/TR 编号：C506166

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9103W是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击及其他感应电压浪涌造成的过应力影响。SPD9103W集成了低电容导向二极管，可将每线路的典型电容降至1pF

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10+
￥0.6609
100+
￥0.5429
300+
￥0.4574
1000+
￥0.3868

有货

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型号：WNM6001-3/TR 编号：C239589

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.1823
200+
￥0.1497
600+
￥0.1262

有货

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型号：WPM3027-3/TR 编号：C240195

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3027 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.2365
200+
￥0.1842
600+
￥0.1552
2000+
￥0.1378

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型号：ESD5681N12-2/TR 编号：C240205

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5681NXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD5681NXX专门设计用于保护USB端口，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5681NXX采用DFN1006-2L封装。标准产品无铅且无卤。电源保护电源管理

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10+
￥0.2558
100+
￥0.1984
300+
￥0.1697
1000+
￥0.1481
5000+
￥0.1309

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型号：WPM2093-3/TR 编号：C2931332

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2093是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.3482
100+
￥0.2714
300+
￥0.233
1000+
￥0.2042
5000+
￥0.1812

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型号：WSB5549N-3/TR 编号：C719441

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：高开关速度。低泄漏电流。小封装DFN1006-3L。应用：高速开关。通用开关

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5+
￥0.3708
50+
￥0.3228
150+
￥0.2988
500+
￥0.2808
2500+
￥0.2664
5000+
￥0.2592

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型号：ESD56301D04-2/TR 编号：C2939836

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56301D04是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器。它适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56301D04专为保护电源线而设计。ESD56301D04采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4004
100+
￥0.3121
300+
￥0.268
1000+
￥0.2348

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型号：WPM2026-3/TR 编号：C167137

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-20V，-3.2A

数据手册

10+
￥0.6669
100+
￥0.5389
300+
￥0.4461
1000+
￥0.3696

有货

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型号：WNM2020A-3/TR 编号：C2941859

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2020A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.3225
50+
￥1.0252
150+
￥0.8977
500+
￥0.7387

有货

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型号：WS72141E-5/TR 编号：C717870

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72141是一款单路低压运算放大器，具有轨到轨输入/输出摆幅。超低功耗使该放大器非常适合电池供电和便携式应用。WS72141的增益带宽积为13kHz（典型值），并且是单位增益稳定的。

数据手册

5+
￥1.4052
50+
￥1.1034
150+
￥0.974
500+
￥0.8126

有货

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型号：WS74199B-6/TR 编号：C1122366

封装：SOT-363

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS74199系列电压输出型电流分流监测器（也称为电流检测放大器）通常用于过流保护、系统优化的精密电流测量，或用于闭环反馈电路。这些器件采用2.7V至26V单电源供电，最大电源电流为160μA。WS74199采用SOT363和QFN1418 - 10L封装，具备MSL 3级特性

数据手册

1+
￥1.41 ￥1.88
10+
￥1.23 ￥1.64
30+
￥1.155 ￥1.54
100+
￥1.0575 ￥1.41
500+
￥1.0125 ￥1.35
1000+
￥0.99 ￥1.32

有货

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型号：WS72551EA-5/TR 编号：C717863

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

5+
￥1.6717
50+
￥1.3517
150+
￥1.1197
500+
￥0.9283

有货

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型号：WS72412H-8/TR 编号：C717877

封装：TSSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72412是一款低功耗、轨到轨输入输出运算放大器，具有低电流噪声、高转换速率和宽信号带宽的特点。低噪声、低输入偏置电流、高速和内置EMI滤波器的特性组合，使这款放大器适用于各种应用场景。滤波器、积分器、光电二极管放大器和高阻抗传感器都能从这些性能特点的组合中受益

数据手册

1+
￥1.89
10+
￥1.66
30+
￥1.56
100+
￥1.43
500+
￥1.38
1000+
￥1.35

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型号：WNMD2188-10/TR 编号：C5290311

封装：CSP-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNMD2188 是双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部已连接，因此无需在电路板上连接漏极。该产品采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RSS(ON)）。此器件专为锂离子电池保护电路而设计

数据手册

1+
￥2.24
10+
￥1.96
30+
￥1.84
100+
￥1.69
500+
￥1.62
1000+
￥1.58

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型号：WMM7027ATHD1-4/TR 编号：C2937715

封装：SMD-4P,2.8x1.9mm

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的电子设备。采用紧凑的2.75mm×1.85mm×0.95mm 4引脚封装。

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1+
￥2.6
10+
￥2.04
30+
￥1.8
100+
￥1.49
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

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型号：ESD5451Z-2/TR 编号：C239581

封装：DFN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451Z是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5451Z可提供高达±30kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流

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50+
￥0.0854
500+
￥0.0656
1500+
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