韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：WS72324Q-16/TR 编号：C16197394

封装：QFN3x3-16

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:4 功耗:48μA/通道 GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

5+
￥1.2943
50+
￥1.002
150+
￥0.8767
500+
￥0.7204
3000+
￥0.6508

有货

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型号：WS726055D-10/TR 编号：C16197389

封装：DFN2x2-10

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:0.83mA/通道 GBW:11.5MHz 噪声:40nV/√Hz(f= 1kHz) 带使能控制

1+
￥3.97
10+
￥3.2
30+
￥2.81
100+
￥2.43
500+
￥2.2
1000+
￥2.08

有货

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型号：ESD5304D-10/TR 编号：C153722

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5304D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5304D可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5304D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3623
100+
￥0.2903
300+
￥0.2543
3000+
￥0.2273
6000+
￥0.2057

有货

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型号：WSB5557Z-2/TR 编号：C239812

封装：DFN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：平均整流正向电流：100mA。低正向电压。超低漏电流。小型DFN0603-2L封装。应用：低电流整流

数据手册

20+
￥0.4481
200+
￥0.3681
600+
￥0.3101
2000+
￥0.2622

有货

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型号：ESD5305F-6/TR 编号：C136137

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5305F是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5305F集成了四对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5305F可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能够承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5305F采用SOT23 - 6L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥1.0081
100+
￥0.8281
300+
￥0.6976
1000+
￥0.59

有货

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型号：WPM3033-8/TR 编号：C2931333

封装：PDFN3x3-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3033 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.53
30+
￥2.25
100+
￥1.9
500+
￥1.74
1000+
￥1.65

有货

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型号：WNM3013-3/TR 编号：C239659

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

数据手册

20+
￥0.2344
200+
￥0.1871
600+
￥0.1608
2000+
￥0.145
8000+
￥0.1211

有货

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型号：WNM2020-3/TR 编号：C239545

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2020 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3362
200+
￥0.2762
600+
￥0.2327
2000+
￥0.1968

有货

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型号：WNM2016A-3/TR 编号：C601105

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2016A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.4217
100+
￥0.3464
300+
￥0.2918
1000+
￥0.2468
5000+
￥0.2391

有货

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型号：ESD63011N-2/TR 编号：C2941829

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD63011N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD63011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD63011N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD63011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.4415
100+
￥0.3433
300+
￥0.2942
1000+
￥0.2574
5000+
￥0.2279

有货

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型号：ESD56011N-2/TR 编号：C2941816

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.457
50+
￥0.3562
150+
￥0.3058
500+
￥0.268
2500+
￥0.2378
5000+
￥0.2226

有货

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型号：ESD56101D05-2/TR 编号：C240202

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56101DXX 是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56101DXX 专为保护电源线而设计。ESD56101DXX 采用 DFN1610-2L 封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4674
100+
￥0.3767
300+
￥0.3314
1000+
￥0.2973
5000+
￥0.2369

有货

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型号：WPM3401-3/TR 编号：C506235

封装：SOT-23-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3401 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥0.5181
50+
￥0.4044
150+
￥0.3475
500+
￥0.3048
3000+
￥0.2707

有货

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型号：WNM2046C-3/TR 编号：C506106

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2046C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.5238
100+
￥0.4345
300+
￥0.3899
1000+
￥0.3564
5000+
￥0.3296

有货

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型号：WS4601E-5/TR 编号：C213171

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4601是一款采用超低导通电阻P沟道MOSFET的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流

数据手册

5+
￥1.2547
50+
￥1.0307
150+
￥0.8683
500+
￥0.7343
2500+
￥0.7114
5000+
￥0.7002

有货

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型号：WMM7037AT2-4/TR 编号：C140705

封装：LGA-4(3x3.8)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款微型、高性能、低功耗的顶部端口硅麦克风。由声学传感器、低噪声输入缓冲器和输出放大器组成。适用于需要出色宽带音频性能和射频抗扰度的便携式电子设备。采用紧凑的3.76mm × 2.95mm × 1.10mm、4引脚LGA封装。

数据手册

5+
￥2.2438
50+
￥1.7393
150+
￥1.5231
500+
￥1.2533
2500+
￥1.1332
5000+
￥1.0611

有货

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型号：WS72052M-8/TR 编号：C16197390

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:3.6mA/通道 GBW:180MHz 噪声:7nV/√Hz(f= 1MHz)

1+
￥4.19
10+
￥3.38
30+
￥2.97
100+
￥2.56
500+
￥2.32
1000+
￥2.2

有货

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型号：ESD9NS5V-3/TR 编号：C239768

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9NS5V是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），如手机、笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、机顶盒（STB）、液晶电视（LCD TV）等。ESD9NS5V依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±30 kV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，对于8/20 μs脉冲，可承受高达9A的峰值电流。ESD9NS5V采用DFN1006 - 3L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1965
200+
￥0.1533
600+
￥0.1293
2000+
￥0.1149

有货

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型号：WNM2030A-3/TR 编号：C2931325

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。

数据手册

20+
￥0.2302
200+
￥0.1908
600+
￥0.1689
2000+
￥0.1558
8000+
￥0.14

有货

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型号：WNM2046-3/TR 编号：C239671

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.2313
100+
￥0.1834
300+
￥0.1595
1000+
￥0.1415
5000+
￥0.1271
10000+
￥0.1199

有货

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型号：ESD73111CZ-2/TR 编号：C2939840

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73111CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD73111CZ集成了一对超低电容二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73111CZ可提供高达±10 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73111CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.3541
100+
￥0.2749
300+
￥0.2353
1000+
￥0.2056
5000+
￥0.1819

有货

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型号：WPM3027-3/TR 编号：C240195

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3027 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.3571
200+
￥0.2787
600+
￥0.2351
2000+
￥0.209

有货

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型号：ESD56151W05-2/TR 编号：C915918

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56151WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。该器件专为保护电源线而设计，采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.378
100+
￥0.2983
300+
￥0.2584
3000+
￥0.2285

有货

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型号：WS72551M-8/TR 编号：C717862

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

5+
￥0.72275 ￥1.475
50+
￥0.502359 ￥1.2881
150+
￥0.35032 ￥1.208
500+
￥0.321349 ￥1.1081
2500+
￥0.308444 ￥1.0636
4000+
￥0.300701 ￥1.0369

有货

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型号：WS72551EA-5/TR 编号：C717863

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

该系列放大器具有超低失调、漂移和偏置电流。WS72551 和 WS72552 分别为单通道和双通道放大器，具备轨到轨输入和输出摆幅。所有器件均保证在 2.5V 至 5V 单电源下工作

数据手册

5+
￥1.6717
50+
￥1.3517
150+
￥1.1197
500+
￥0.9283

有货

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型号：WL2836D12-4/TR 编号：C2931315

封装：DFN1x1-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、高电源抑制比、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。提供折返式最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此限流功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。采用标准DFN1x1-4L封装，标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3613
100+
￥0.2816
300+
￥0.2417
1000+
￥0.2119
5000+
￥0.188

有货

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型号：ESD56131W-2/TR 编号：C239548

封装：SOD-323F

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56131W是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD56131W可提供高达±30kV（接触放电和空气放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它具备高浪涌能力，可用于保护USB电压总线引脚

数据手册

10+
￥0.3809
100+
￥0.3129
300+
￥0.2636
1000+
￥0.2229
5000+
￥0.216

有货

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型号：SPD9105W-2/TR 编号：C150545

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9105W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD9105W集成了低电容转向二极管，可将每线路的典型电容降至1pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD9105W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达20A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD9105W采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.391
100+
￥0.3039
300+
￥0.2603
3000+
￥0.2276

有货

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型号：WPM2026-3/TR 编号：C167137

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-20V，-3.2A

数据手册

10+
￥0.6669
100+
￥0.5389
300+
￥0.4461
1000+
￥0.3696

有货

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型号：WS4612EBB-5/TR 编号：C42404603

封装：SOT-23-5

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是一款带有超低导通电阻 P-MOSFET 的高端开关。集成的限流功能可以限制大电容负载的浪涌电流、过载电流和短路电流，以保护电源。还集成了反向保护功能，可消除设备关闭时开关两端的任何反向电流。输出自动放电功能使设备关闭时输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。采用 SOT-23-5L 封装，标准产品无铅和无卤。

5+
￥0.7229
50+
￥0.5743
150+
￥0.5
500+
￥0.4442
3000+
￥0.3996

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