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封装：DFN1006-2L

ESD5451N是一款双向式瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5451N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品不含铅和卤素。

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50+
￥0.0939
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￥0.0637
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50000+
￥0.0485

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型号：ESD5451X-2/TR 编号：C239558

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451X是一款双向TVS（瞬态电压抑制器），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5451X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

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￥0.0977
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￥0.0526
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￥0.0495

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型号：ESD5311N-2/TR 编号：C153721

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5311N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD5311N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5311N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.1432
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型号：ESD5341N-2/TR 编号：C239773

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5341N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5341N集成了一对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5341N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

20+
￥0.2509
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￥0.1737
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￥0.1469
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型号：ESD5304D-10/TR 编号：C153722

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5304D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5304D可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5304D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.30821 ￥0.3626
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￥0.246925 ￥0.2905
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￥0.216325 ￥0.2545
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￥0.175015 ￥0.2059
9000+
￥0.165835 ￥0.1951

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型号：ESD73034D-10/TR 编号：C2941834

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73034D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73034D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73034D可提供高达±10 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

5+
￥0.497
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￥0.3977
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￥0.348
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￥0.3107
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￥0.2809
6000+
￥0.266

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型号：WNM2021-3/TR 编号：C239556

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.5595
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￥0.4596
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￥0.3872
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￥0.3275
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￥0.3173
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￥0.3123

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型号：WPM3407-3/TR 编号：C167139

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-30V，-4.4A

数据手册

5+
￥0.7916
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￥0.6503
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2500+
￥0.4489
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￥0.4418

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型号：ESD5651N-2/TR 编号：C239784

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5651N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止其受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5651N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达35A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5651N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

20+
￥0.1992
200+
￥0.1611
600+
￥0.1334
2000+
￥0.1107
10000+
￥0.1068

有货

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型号：ESD9B5VL-2/TR 编号：C239683

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9B5VL可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.2771
200+
￥0.228
600+
￥0.2035
2000+
￥0.185

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型号：WS74285M-8/TR 编号：C16197400

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器失调电压:70μV(Max) 增益误差:0.1%(Max)

1+
￥5.99
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￥4.82
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￥4.24
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￥3.66
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￥3.32
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￥3.14

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型号：WPM3021-8/TR 编号：C506175

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3021 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.7955
50+
￥1.4519
150+
￥1.2028
500+
￥0.9973
2500+
￥0.9623

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型号：ESD5431N-2/TR 编号：C239673

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5431N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5431N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5431N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.1523
500+
￥0.1235
1500+
￥0.1075
5000+
￥0.0979

有货

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型号：ESD9X5VU-2/TR 编号：C189964

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X5VU 是一款单向瞬态电压抑制器 (TVS)，可为可能遭受静电放电 (ESD) 的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等）中的多层压敏电阻 (MLV)。ESD9X5VU 集成了一对超低电容转向二极管和一个 TVS 二极管。根据 IEC61000 - 4 - 2 标准，ESD9X5VU 可提供高达 ±20 kV（接触和空气放电）的 ESD 保护，并根据 IEC61000 - 4 - 5 标准，能够承受 8/20 μs 脉冲下高达 4A 的峰值脉冲电流。ESD9X5VU 采用 FBP - 02C 封装。标准产品无铅且无卤。

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20+
￥0.3362
200+
￥0.2762
600+
￥0.2327
2000+
￥0.1968

有货

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型号：ESD63011N-2/TR 编号：C2941829

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD63011N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD63011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD63011N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD63011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.418
100+
￥0.335
300+
￥0.2935
1000+
￥0.2623
5000+
￥0.2374

有货

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型号：WL28631D28-4/TR 编号：C52993369

封装：DFN-4L(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.6886
50+
￥0.547
150+
￥0.4762
500+
￥0.4231
2500+
￥0.3807
5000+
￥0.3594

有货

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型号：ESD5411N-2/TR 编号：C239560

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5411N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。ESD5411N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5411N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.1118
500+
￥0.0979
1500+
￥0.0901
5000+
￥0.0855

有货

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型号：WNM6002-3/TR 编号：C501342

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.2142
200+
￥0.1743
600+
￥0.1521
3000+
￥0.1388

有货

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型号：ESD73011N-2/TR 编号：C506104

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73011N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73011N可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.3605
100+
￥0.2957
300+
￥0.2632
1000+
￥0.2389
5000+
￥0.2114

有货

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型号：ESD56301D05-2/TR 编号：C2939837

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56301D05是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56301D05专为保护电源线而设计。ESD56301D05采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

5+
￥0.4836
50+
￥0.3852
150+
￥0.336
500+
￥0.2991
2500+
￥0.2696
5000+
￥0.2549

有货

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型号：ESD5302F-3/TR 编号：C239643

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5302F是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302F集成了两对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5302F可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT - 23封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.5429
100+
￥0.4459
300+
￥0.3757
1000+
￥0.3177
5000+
￥0.3078

有货

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型号：ESD73111CZ-2/TR 编号：C2939840

封装：DWN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73111CZ是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD73111CZ集成了一对超低电容二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73111CZ可提供高达±10 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达6A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73111CZ采用DWN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.3004
100+
￥0.2342
300+
￥0.201
1000+
￥0.1762
5000+
￥0.1563

有货

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型号：ESD56101D05-2/TR 编号：C240202

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56101DXX 是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56101DXX 专为保护电源线而设计。ESD56101DXX 采用 DFN1610-2L 封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4446
100+
￥0.3539
300+
￥0.3085
1000+
￥0.2745
5000+
￥0.214

有货

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型号：WSB5557Z-2/TR 编号：C239812

封装：DFN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：平均整流正向电流：100mA。低正向电压。超低漏电流。小型DFN0603-2L封装。应用：低电流整流

数据手册

20+
￥0.4481
200+
￥0.3681
600+
￥0.3101
2000+
￥0.2622

有货

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型号：ESD56011N-2/TR 编号：C2941816

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.457
50+
￥0.3562
150+
￥0.3058
500+
￥0.268
2500+
￥0.2378
5000+
￥0.2226

有货

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型号：WS726055D-10/TR 编号：C16197389

封装：DFN2x2-10

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:2 功耗:0.83mA/通道 GBW:11.5MHz 噪声:40nV/√Hz(f= 1kHz) 带使能控制

1+
￥3.97
10+
￥3.2
30+
￥2.81
100+
￥2.43
500+
￥2.2
1000+
￥2.08

有货

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型号：ESD5471X-2/TR 编号：C239631

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5471X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30KV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5471X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.1562
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￥0.1248
1500+
￥0.1073
5000+
￥0.095

有货

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型号：WSB5524D-2/TR 编号：C240196

封装：FBP1608-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

特性：1.5A平均整流正向电流。低正向电压，低漏电流。 FBP封装。应用：开关电路。中电流整流

数据手册

10+
￥0.3777
100+
￥0.3009
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￥0.2625
1000+
￥0.2337
5000+
￥0.2107

有货

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型号：SPD9105W-2/TR 编号：C150545

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD9105W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD9105W集成了低电容转向二极管，可将每线路的典型电容降至1pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD9105W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达20A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD9105W采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.4022
100+
￥0.3125
300+
￥0.2677
3000+
￥0.2341
6000+
￥0.2073

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型号：ESDA6V8AV5-5/TR 编号：C268741

封装：SOT-553

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8AV5是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），这些应用包括手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESDA6V8AV5依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±8KV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，能承受8/20us脉冲下高达3A的峰值电流。ESDA6V8AV5采用SOT - 553封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

10+
￥0.5292
100+
￥0.4348
300+
￥0.3663
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