韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：WS3208D56-8/TR 编号：C719443

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3208D是一款过压保护（OVP）和过流保护（OCP）器件。当输入电压或输入电流超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开VIN与VOUT的连接，以保护负载。过温保护（OTP）功能可监控芯片温度，保护器件

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￥2.88
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型号：ESD5451N-2/TR 编号：C239604

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451N是一款双向式瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5451N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品不含铅和卤素。

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型号：ESD5451X-2/TR 编号：C239558

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5451X是一款双向TVS（瞬态电压抑制器），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。ESD5451X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5451X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：ESD5311N-2/TR 编号：C153721

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5311N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专为保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响而设计。ESD5311N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5311N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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型号：WNM6002-3/TR 编号：C501342

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

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20+
￥0.2142
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型号：ESD5431N-2/TR 编号：C239673

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5431N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件受到ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力影响。ESD5431N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5431N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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50+
￥0.1523
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型号：ESD5341N-2/TR 编号：C239773

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5341N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5341N集成了一对低电容导向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5341N可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5341N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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￥0.2509
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￥0.2061
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型号：ESD9B5VL-2/TR 编号：C239683

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD9B5VL可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达3A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

20+
￥0.2771
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型号：WNM2021-3/TR 编号：C239556

封装：SOT-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.5595
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￥0.4596
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型号：WPM3407-3/TR 编号：C167139

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

P沟道，-30V，-4.4A

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￥0.7916
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型号：ESD5311Z-2/TR 编号：C239819

封装：DFN0603-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5311Z是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5311Z集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311Z可提供高达±20 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

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20+
￥0.2131
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型号：ESD5311X-2/TR 编号：C239811

封装：WBFBP-02C-C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5311X是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5311X集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5311X可提供高达±20KV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP - 02C - C封装。标准产品无铅且无卤素。

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20+
￥0.2181
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￥0.196
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￥0.1767
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￥0.1701
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型号：ESD73034D-10/TR 编号：C2941834

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73034D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73034D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73034D可提供高达±10 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤素。

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5+
￥0.5209
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￥0.4215
150+
￥0.3718
500+
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￥0.3048
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￥0.2899

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型号：WNM6001-3/TR 编号：C239589

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.1823
200+
￥0.1497
600+
￥0.1262
2000+
￥0.1067
10000+
￥0.1034
20000+
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型号：WL2815D33-4/TR 编号：C506126

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

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10+
￥0.4956
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￥0.439
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￥0.4107
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型号：ESD56151W04-2/TR 编号：C239632

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56151WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。该器件专为保护电源线而设计，采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤。

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10+
￥0.6285
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￥0.435
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￥0.3679
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￥0.3564
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￥0.3508

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型号：ESD5411N-2/TR 编号：C239560

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5411N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，可防止这些元件因静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力损坏。ESD5411N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5411N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.1118
500+
￥0.0979
1500+
￥0.0901
5000+
￥0.0855

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型号：ESD5611N-2/TR 编号：C2939834

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5611N是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5611N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达25A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD5611N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.2554
100+
￥0.205
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￥0.1798
1000+
￥0.1609
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￥0.1458
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￥0.1382

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型号：ESD56301D05-2/TR 编号：C2939837

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56301D05是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56301D05专为保护电源线而设计。ESD56301D05采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

5+
￥0.4836
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￥0.3852
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￥0.336
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￥0.2991
2500+
￥0.2696
5000+
￥0.2549

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型号：WPM1481-6/TR 编号：C239798

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1481 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.1966
50+
￥0.983
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￥0.8281
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￥0.7003
2500+
￥0.6785

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型号：WPM3021-8/TR 编号：C506175

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3021 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.7955
50+
￥1.4519
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￥1.2028
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￥0.9973
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￥0.9623

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型号：WS74285M-8/TR 编号：C16197400

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器失调电压:70μV(Max) 增益误差:0.1%(Max)

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￥6.03
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￥4.28
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￥3.7
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￥3.17

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型号：ESD5471X-2/TR 编号：C239631

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。ESD5471X可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30KV（接触和空气放电）的静电放电保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5471X采用FBP - 02C封装。标准产品无铅且无卤。

数据手册

50+
￥0.1562
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￥0.1248
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5000+
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型号：ESD5401N-2/TR 编号：C239693

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5401N是一款瞬态电压抑制器（TVS），旨在保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5401N可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能够承受高达8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

数据手册

20+
￥0.1839
200+
￥0.1418
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￥0.1183
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￥0.1043
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￥0.0921

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型号：ESD5344D-10/TR 编号：C239666

封装：DFN2510-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5344D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5344D集成了四对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5344D可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5344D采用DFN2510 - 10L封装。标准产品无铅且无卤素。

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10+
￥0.3017
100+
￥0.2498
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￥0.2239
3000+
￥0.2045
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￥0.1889
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￥0.1812

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型号：ESD56371N-2/TR 编号：C2939838

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56371N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器）。它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计，可防止由ESD（静电放电）、EFT（电快速瞬变）和雷击引起的过应力。ESD56371N可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达22A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD56371N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。

数据手册

10+
￥0.3003
100+
￥0.2341
300+
￥0.201
1000+
￥0.1761
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￥0.1563
10000+
￥0.1463

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型号：ESD73031N-2/TR 编号：C506146

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73031N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73031N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73031N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达11A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD73031N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4156
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￥0.324
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￥0.2781
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￥0.2438
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￥0.2163

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型号：ESD56201D12-2/TR 编号：C506132

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅、无卤。

数据手册

10+
￥0.4333
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￥0.3373
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型号：ESD56051N-2/TR 编号：C2941817

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56051N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS）。它专门用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD56051N可提供高达±30kV（接触放电）的静电放电保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达55A（8/20μs）的峰值脉冲电流

5+
￥0.6488
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￥0.5168
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￥0.4013
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￥0.3617
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￥0.3419

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型号：WL28631D28-4/TR 编号：C52993369

封装：DFN-4L(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

5+
￥0.6886
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