韦尔dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：WNMD2176-6/TR 编号：C506239

封装：SOT-23-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNMD2176是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥0.8658
50+
￥0.6896
150+
￥0.6016
500+
￥0.5355
3000+
￥0.4827
6000+
￥0.4562

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型号：ESD56181W12-2/TR 编号：C2939835

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56181WXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适合替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56181WXX专为保护电源线而设计。ESD56181WXX采用SOD - 323封装。标准产品无铅且无卤素。

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5+
￥0.8867
50+
￥0.698
150+
￥0.6037

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型号：ESD5641D10-3/TR 编号：C910980

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件。ESD5641DXX专为保护USB端口而设计，采用具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品无铅、无卤。

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3000+
￥0.322
6000+
￥0.32085
9000+
￥0.31136

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型号：ESD56161D04-3/TR 编号：C506144

封装：DFN2x2-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56161D04是一款用于保护电源接口的单向瞬态电压抑制器，适用于取代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56161D04可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV的接触式和空气式静电放电（ESD）保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准（8/20 μs）承受高达250A的峰值脉冲电流。ESD56161D04采用DFN2×2 - 3L封装。标准产品为无铅、无卤产品。

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1+
￥0.9951
10+
￥0.7734
30+
￥0.6783
100+
￥0.5597

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型号：WS72321D-4/TR 编号：C16197393

封装：DFN1x1-4

品牌：WILLSEMI(韦尔)

运算放大器通道数:1 功耗:48μA GBW:1.5MHz 噪声:30nV/√Hz(f= 1kHz)

3000+
￥0.5175
6000+
￥0.51175

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型号：WL2815D28-4/TR 编号：C506125

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WL2815系列是低压差线性稳压器，专为电池供电系统提供高性能解决方案，以实现低静态电流而优化。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的全新性能水平。WL2815系列设计为使用低成本陶瓷电容器，以确保输出电流的稳定性，并提高效率，从而延长这些便携式设备的电池续航时间

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30+
￥0.256749
60+
￥0.248331
120+
￥0.244122
240+
￥0.231495

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型号：ESD53101N-2/TR 编号：C2941807

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD53101N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD53101N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD53101N可提供高达±30 kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达10A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD53101N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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10+
￥0.4668
100+
￥0.3756
300+
￥0.33
1000+
￥0.2958
5000+
￥0.2684
10000+
￥0.2547

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型号：WPM2006-6/TR 编号：C167136

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

带肖特基二极管

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5+
￥0.5453
50+
￥0.4311
150+
￥0.374

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型号：WNM2096-3/TR 编号：C2931326

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2096是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路

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5+
￥0.5957
50+
￥0.4709
150+
￥0.4085
500+
￥0.3617
2500+
￥0.3243
5000+
￥0.3055

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型号：ESD56201D10-2/TR 编号：C506131

封装：DFN1610-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器，适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件。ESD56201DXX专为保护电源线而设计。ESD56201DXX采用DFN1610-2L封装。标准产品无铅且无卤。

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5+
￥0.648
50+
￥0.524
150+
￥0.4341

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型号：SPD91011W-2/TR 编号：C2939843

封装：SOD-323

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD91011W是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列，旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的过应力影响。SPD91011W集成了低电容转向二极管，可将每线路的典型电容降至1.5pF。根据IEC61000 - 4 - 2标准，SPD91011W可提供高达±30kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达25A（8/20μs）的峰值脉冲电流。SPD91011W采用SOD - 323封装。标准产品无铅、无卤素。

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100+
￥0.2916
1000+
￥0.2808
3000+
￥0.27
6000+
￥0.2484
10000+
￥0.24192

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型号：WPM2065A-6/TR 编号：C2941873

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2065A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥2.6
10+
￥2.05
30+
￥1.81

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型号：WNM6006-8/TR 编号：C2931331

封装：PDFN5x6-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6006 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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1+
￥6.89
10+
￥5.74
30+
￥5.11

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型号：ESD9X5VU-2/TR 编号：C189964

封装：FBP-02C

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD9X5VU 是一款单向瞬态电压抑制器 (TVS)，可为可能遭受静电放电 (ESD) 的敏感电子元件提供高水平保护。它旨在替代消费设备应用（如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等）中的多层压敏电阻 (MLV)。ESD9X5VU 集成了一对超低电容转向二极管和一个 TVS 二极管。根据 IEC61000 - 4 - 2 标准，ESD9X5VU 可提供高达 ±20 kV（接触和空气放电）的 ESD 保护，并根据 IEC61000 - 4 - 5 标准，能够承受 8/20 μs 脉冲下高达 4A 的峰值脉冲电流。ESD9X5VU 采用 FBP - 02C 封装。标准产品无铅且无卤。

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500+
￥0.126
2000+
￥0.117
5000+
￥0.108
10000+
￥0.1035
50000+
￥0.099

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型号：WPT2N32-6/TR 编号：C239770

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPT2N32 是一款带有 20V N 沟道 MOSFET 的 PNP 双极型功率晶体管。该器件适用于充电电路及其他电源管理应用。标准产品 WPT2N32 为无铅产品

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170+
￥1.729432
200+
￥1.537273
500+
￥1.241644
1000+
￥1.064266

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型号：SPD82581B-2/TR 编号：C506164

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD82581B可保护敏感电子设备，使其免受电感负载开关和雷击引起的电压瞬变影响。非常适合用于保护输入/输出接口、VCC总线和其他集成电路。

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1+
￥1.0959
10+
￥0.8681
30+
￥0.7705

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型号：WNM3038-8/TR 编号：C2941864

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3038 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥1.4305
50+
￥1.1331
150+
￥1.0057
500+
￥0.8467
2500+
￥0.7759
5000+
￥0.7334

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型号：ESD73011N-2/TR 编号：C506104

封装：DFN1006-2L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD73011N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD73011N集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD73011N可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，可承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅且无卤。

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100+
￥0.19845
1000+
￥0.1911
3000+
￥0.18375
6000+
￥0.16905
10000+
￥0.16464

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型号：ESDA6V8AV5-5/TR 编号：C268741

封装：SOT-553

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESDA6V8AV5是一款瞬态电压抑制器（TVS），可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高级别的保护。它旨在替代消费设备应用中的多层压敏电阻（MLV），这些应用包括手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等。ESDA6V8AV5依据IEC61000 - 4 - 2标准，可承受高达±8KV（接触）的ESD瞬态电压；依据IEC61000 - 4 - 5标准，能承受8/20us脉冲下高达3A的峰值电流。ESDA6V8AV5采用SOT - 553封装。标准产品无铅且无卤。

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30+
￥0.28704
3000+
￥0.21896

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型号：SPD8811B-2/TR 编号：C2939847

封装：SMB

品牌：WILLSEMI(韦尔)

SPD8811B是一种双向TSS（晶闸管浪涌抑制器），可以为IC提供ESD保护。它专门设计用于保护电信设备免受过电压瞬变的损害。SPD8811B可用于使设备满足各种监管要求，包括ITU-T K.20、K.21和IEC 61000-4-5。SPD8811B采用SMB封装。标准产品是无铅和无卤素的。

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5+
￥1.3904
50+
￥1.093
150+
￥0.9656
500+
￥0.8066
3000+
￥0.7358
6000+
￥0.6933

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型号：WL2810D33-4/TR 编号：C506118

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

是高精度、低噪声、高速、低压差的CMOS线性稳压器，具有高纹波抑制能力。该器件在手机、笔记本电脑和其他便携式设备中提供了具有成本效益的性能水平。具有折返最大输出电流，该电流取决于输出电压，因此电流限制功能既可用作短路保护，也可用作输出电流限制器。有标准SOT-353封装和DFN1x1-4L封装。标准产品无铅且无卤素。

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5+
￥0.5139
50+
￥0.4082
150+
￥0.3554

有货

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型号：WS4632C-4/TR 编号：C2941896

封装：CSP-4L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

3000+
￥0.713
6000+
￥0.7015
9000+
￥0.672

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型号：WNM4006-3/TR 编号：C239663

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

25+
￥0.339365
3000+
￥0.258888

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型号：WS72358S-8/TR 编号：C717849

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72358系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的双路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电平，这使得该器件可用于低端电流分流测量

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20+
￥0.356362
40+
￥0.344678
80+
￥0.338836
160+
￥0.32131

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型号：WS726052M-8/TR 编号：C2943884

封装：MSOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS726052 是一款双路高输出驱动 CMOS 运算放大器，其峰值输出电流为 350mA，采用 2.5V 至 5.5V 单电源供电时具备轨到轨输出能力。该放大器的压摆率高达 6V/μs，增益带宽积（GBP）为 11.5MHz。WS726052 能够驱动典型的耳机负载（32Ω），还可在无线手持设备应用中为射频功率放大器提供偏置

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1+
￥1.67
10+
￥1.4
30+
￥1.26
100+
￥1.13
500+
￥1.05
1000+
￥1

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型号：WPM3028B-8/TR 编号：C2879855

封装：PDFN3333-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3028B 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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5000+
￥0.8855
5000+
￥0.8512
15000+
￥0.84

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型号：ESD5Z5VL-2/TR 编号：C239566

封装：SOD-523

品牌：WILLSEMI(韦尔)

ESD5Z5VL是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器），专为保护高速数据接口而设计。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件，使其免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5Z5VL集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准，ESD5Z5VL可提供高达±20 kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5Z5VL采用SOD - 523封装。标准产品无铅且无卤。

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3000+
￥0.253
6000+
￥0.25185
9000+
￥0.24416

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型号：WS72321EO-5/TR 编号：C717848

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72321系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的单路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电位，使该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

5+
￥0.4924
50+
￥0.4809
150+
￥0.4732
500+
￥0.4655

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型号：WS72541EO-5/TR 编号：C725718

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

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5+
￥0.5142
50+
￥0.5027
150+
￥0.495
500+
￥0.4873

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型号：WS72541E-5/TR 编号：C717854

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS72541 系列是一款具有轨到轨输入/输出摆幅的单路低压运算放大器。超低静态电流使该放大器非常适合用于便携式电池供电设备。共模输入范围包含地电位，这使得该器件可用于低端电流分流测量

数据手册

5+
￥0.5374
50+
￥0.5259
150+
￥0.5182
500+
￥0.5105

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