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封装：SMA(DO-214AC)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.9237
50+
￥0.7197
150+
￥0.6322
500+
￥0.5231
2500+
￥0.4745

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型号：SMAZ30-13-F 编号：C156281

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.9266
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￥0.7506
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￥0.6627
500+
￥0.5967
2500+
￥0.5439

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型号：SMAJ26CA-13-F 编号：C134976

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.9595
50+
￥0.7536
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￥0.6506
500+
￥0.5734
2500+
￥0.5116
5000+
￥0.4808

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型号：SMAJ28CA-Q 编号：C3708825

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

用于浪涌和ESD保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供5 V至220 V的工作峰值反向电压选择。从0 V到击穿电压的典型快速响应时间小于1.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，且扁平结构可减少滚动。

5+
￥0.9765
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￥0.8652
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￥0.8175
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￥0.742742 ￥0.7579
2500+
￥0.716772 ￥0.7314
5000+
￥0.70119 ￥0.7155

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型号：1SMA5923BT3G 编号：C231286

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.0662
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￥0.8368
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￥0.7386
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2500+
￥0.5151
5000+
￥0.4824

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型号：1SMA5914BT3G 编号：C152496

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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5+
￥1.074
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￥0.8619
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￥0.771
500+
￥0.628
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￥0.5775
5000+
￥0.5472

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型号：SMA5932AQ 编号：C20603798

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适用于自动贴片。玻璃钝化芯片结。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值260℃。后缀为“Q”表示符合AEC-Q101标准

5+
￥1.1719
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￥0.9249
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￥0.8191
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￥0.687
2500+
￥0.6282

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型号：SMAT70A-13-F 编号：C135026

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：400、600W 峰值脉冲功率耗散。 70V 关断电压。 100V 最大钳位电压。玻璃钝化芯片结构。快速响应时间：通常小于 1ps。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

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2+
￥2.2762
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￥1.8243
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￥1.6307
200+
￥1.3891
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￥1.2815

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型号：SMA-KE-P901 编号：C914556

封装：插件

品牌：DreamLNK(骏晔科技)

外螺纹公针内针半螺牙SMA—KE直角（180度）—P偏位四角；盐雾48H，铜镀金 1：高等级黄铜材质镀真金； 2：纯铜无杂质高品质可过环保认证； 3：经过高精密盐雾48H； 4：防止氧化，抗氧化性比较好，耐腐蚀； 5：增加导电性，可减少损耗。

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1+
￥3.132 ￥3.48
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￥2.79 ￥3.1
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￥2.619 ￥2.91
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￥2.331 ￥2.59
500+
￥2.232 ￥2.48
1000+
￥2.178 ￥2.42

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型号：GBI1633SMAR 编号：C5451749

封装：SOP-8

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

GBI1633是一款60V、3A的非同步降压DC-DC转换器,具备高效睡眠模式。支持4.5V至60V的宽输入电压范围,最高3A连续输出电流。集成150mΩ高侧功率MOSFET,支持可调开关频率200kHz至2.0MHz。轻载时采用脉冲跳过模式（PSM）,静态电流低至100μA,关断电流1μA。具备多种保护功能,如逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护和输入欠压保护。采用8引脚eSOP-8L封装。