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SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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￥0.6348
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￥0.5004
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￥0.4332
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￥0.3259
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￥0.3058

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型号：1SMA5951B 编号：C330248

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至240伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低漏电流。无铅/符合RoHS标准

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￥0.6485
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￥0.4613
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型号：SMAJ10A 编号：C148210

封装：DO-214AC(SMA)

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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￥0.6745
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￥0.3807

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型号：1SMA5915B 编号：C5186080

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围：3.3至200伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性

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￥0.6942
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￥0.3414

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型号：SMAJ24A-13-F 编号：C134973

封装：SMA

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.3851

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型号：SMAJ24CA-13-F 编号：C134974

封装：SMA

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.7315
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￥0.4021

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型号：SMAJ18A 编号：C148219

封装：DO-214AC(SMA)

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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￥0.357

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型号：1SMA5943BT3G 编号：C238876

封装：SMA

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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￥0.7499
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￥0.5845
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￥0.5018
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￥0.3901
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￥0.3653

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型号：SMA4742AQ 编号：C20603728

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：YANGJIE(扬杰)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。高正向浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值260℃

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￥0.7544
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￥0.5967
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￥0.5179
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￥0.4588
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￥0.4115
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￥0.3879

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型号：SMAJ28CA-13-F 编号：C134978

封装：SMA

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.7953
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￥0.4664
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￥0.3874

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型号：SMA5918B 编号：C5293496

封装：SMAG

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

IZT(mA)147

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￥0.8006
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￥0.6422
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￥0.563
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￥0.5036
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￥0.4561

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型号：SMAJ5.0CA-13-F 编号：C134993

封装：SMA

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.8121
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￥0.6378
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￥0.5507
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￥0.3866

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型号：SMAZ24-13-F 编号：C155317

封装：SMA

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥0.8308
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￥0.4134

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型号：SMAJ11CA 编号：C223981

封装：DO-214AC(SMA)

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

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￥0.5011
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￥0.448
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￥0.4215

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型号：SMAZ6V2-13-F 编号：C110527

封装：SMA(DO-214AC)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.8405
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￥0.6763
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￥0.5327
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￥0.4624
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型号：SMAJ3.3CA 编号：C2917854

封装：SMA

品牌：ZHIDE(志得)

特性：玻璃钝化芯片。 400 W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000 μs，重复率（占空比）：0.01%。出色的钳位能力。低反向泄漏。极快的响应时间。引脚和本体符合RoHS标准

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5+
￥0.8645
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￥0.6461
150+
￥0.5369
500+
￥0.455

有货

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型号：SMAZ30-13-F 编号：C156281

封装：SMA

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

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￥0.9276
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￥0.7595
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￥0.6755
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￥0.6124
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￥0.562
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￥0.5367

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型号：SMAZ16-13-F 编号：C155528

封装：SMA

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9502
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￥0.7417
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￥0.6374
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￥0.5593
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￥0.4654

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型号：1SMA5932BT3G 编号：C36389

封装：SMA

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V 至 68V。人体模型静电放电等级 3 级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低轮廓封装。是 MELF 封装的理想替代品。符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。提供无铅封装

数据手册

5+
￥0.9901
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￥0.6904
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￥0.5783
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￥0.4874
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￥0.4574

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型号：1SMA5935BT3G 编号：C235764

封装：SMA

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥0.9953
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￥0.6756
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￥0.5027
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￥0.4707

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型号：P4SMA36A 编号：C1973815

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：BOURNS

便携式通信、计算和视频设备市场对半导体行业提出了挑战，要求其开发尺寸越来越小的电子元件。Bourns提供用于浪涌和静电放电（ESD）保护应用的瞬态电压抑制二极管，采用紧凑型芯片封装DO - 214AC（SMA）尺寸规格。该瞬态电压抑制器系列提供6.8 V至550 V的击穿电压选择。单向器件的典型快速响应时间小于1.0皮秒，双向器件小于5.0皮秒。Bourns芯片二极管符合JEDEC标准，易于使用标准贴装设备进行操作，扁平结构可最大程度减少滚动。

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5+
￥1.0574
50+
￥0.875516 ￥0.9314
150+
￥0.737016 ￥0.8774
500+
￥0.6804 ￥0.81
2500+
￥0.62496 ￥0.744
5000+
￥0.60984 ￥0.726

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型号：1SMA5937BT3G 编号：C235776

封装：SMA