单片机无线收发芯片_厂家_价格_品牌_库存

特性：40 MHz HCS08 CPU（中央处理器单元）。 20 MHz 内部总线频率。 HC08 指令集，增加 BGND 指令。单线背景调试模式接口。断点功能，允许在在线调试期间设置单个断点（片上调试模块中还有两个断点）。片上实时在线仿真（ICE），带有两个比较器（BDM 中还有一个）、九种触发模式和片上总线捕获缓冲区

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型号：STM32F303VDT6 编号：C1338282

封装：LQFP-100(14x14)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。上电/掉电复位（POR/PDR）。可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32F303RCT6 编号：C65361

封装：LQFP-64(10x10)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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型号：PIC16F876A-I/SP 编号：C386311

封装：PDIP-28

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型号：STM32H523VET6 编号：C27338462

封装：LQFP-100(14x14)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器零等待状态执行。 4 Kbyte外部存储器数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Dyrystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达512 Kbyte的嵌入式闪存，带ECC，双存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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型号：AT32F437VGT7 编号：C3029582

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ARTERY(雅特力)

基于ARM 32位的Cortex -M4微控制器+FPU，带256 K字节至4032 K字节内部闪存、sLib、双QSPI、SDRAM、双OTGFS、以太网、摄像头、18个定时器、3个ADC、29个通信接口

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型号：STM32F103VDT6 编号：C41527

封装：LQFP-100(14x14)

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型号：V3LP 编号：C5350798

封装：LQFP-128_14X14

品牌：Allwinner(全志)

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型号：STM32F412VGT6 编号：C727951

封装：LQFP-100(14x14)

特性：动态效率线，带BAM（批量采集模式）。内核：带FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。高达1 Mbyte的闪存。256 Kbyte的SRAM。灵活的外部静态内存控制器，高达16位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存。双模式Quad-SPI接口。LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理

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型号：AT32F437ZMT7 编号：C3020656

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ARTERY(雅特力)

特性：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU。最高288 MHz工作频率，带存储器保护单元（MPLU），内建单周期乘法和硬件除法。内建浮点运算单元（FPU）。具有DSP指令集。256 K字节至4032 K字节的内部闪存储器。sLib：将指定之主存储区设为执行代码安全库区，此区代码仅能调用无法读取。默认384 K字节的SRAM，最大可设定为512 K字节。具有16位数据总线的外部存储器控制器（XMC）：支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和SDRAM存储器

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型号：FS32K148HRT0VLQR 编号：C1850196

封装：LQFP-144(20x20)

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型号：STM32L151CCT6 编号：C2149675

封装：LQFP-48(7x7)

特性：超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式（16 个唤醒线路）。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式

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型号：STM32F103RGT6 编号：C8317

封装：LQFP-64(10x10)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，带MPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。内存：768 KB至1 MB的闪存，96 KB的SRAM，带有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器。 2个12位D/A转换器

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型号：k210 编号：C913414

封装：BGA-144(8x8x0.65)

品牌：Canaan(嘉楠)

Dual-core 64bit RISC-V @ 400MHz SOC

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型号：GD32F450IGH6 编号：C179654

封装：BGA-176

品牌：GigaDevice(兆易创新)

32-bit ARM Cortex-M4 MCU,200MHz,1024KB FLASH,256KB SRAM

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型号：STM32F429ZET6 编号：C84456

封装：LQFP-144(20x20)

特性：核心：带有 FPU 的 ARM 32 位 Cortex M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存中零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU 和 DSP 指令。高达 2 MB 的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行。高达 256 + 4 KB 的 SRAM，包括 64 KB 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM。灵活的外部内存控制器，具有高达 32 位的数据总线：支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND 内存。LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。LCD-TFT 控制器，高达 KGA 分辨率，带有专用的 Chrom-ART Accelerator（DMA2D）用于增强图形内容创建。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O。POR、PDR、PVD 和 BOR

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型号：PIC18F6622-I/PT 编号：C219150

封装：TQFP-64(10x10)

特性：运行模式：CPU开启，外设开启。空闲模式：CPU关闭，外设开启。睡眠模式：CPU关闭，外设关闭。超低50 nA输入泄漏。运行模式电流低至典型值25 μA。空闲模式电流低至典型值6.8 μA

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型号：TMS320F28035RSHT 编号：C1337919

封装：VQFN-56-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28035 具有 60MHz 频率、128KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

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型号：STM32H757XIH6 编号：C1343741

封装：TFBGA-265

特性：双核:32位Arm Cortex-M7内核，具有双精度FPU和16KB数据、16KB指令L1缓存；频率高达480MHz，有MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。32位Arm Cortex-M4内核，具有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）用于内部闪存和外部存储器，频率高达240MHz，有MPU，300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器:2MB闪存，支持边读边写。1MB RAM：192KB TCM RAM（含64KB ITCM RAM + 128KB DTCM RAM用于时间关键程序），864KB用户SRAM，4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟高达125MHz。CRC计算单元。安全：ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件升级支持、安全访问模式

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型号：S912ZVCA19F0MLF 编号：C1337563

封装：LQFP-48(7x7)

混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案，因为它们具有成本效益，并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压（HV）模拟功能集成到标准汽车MCU中，S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本，从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合，提供更简单、更小的解决方案

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型号：STM32F469VIT6 编号：C2970187

封装：LQFP-100(14x14)

特性：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，有MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。高达2 MB闪存，分两个存储体，支持读写同时进行。高达384 + 4 KB SRAM，包括64 KB CCM（内核耦合内存）数据RAM。灵活外部内存控制器，高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Flash NOR/NAND内存。双闪存模式Quad-SPI接口。 Chrom-ART Accelerator（DMA2D）图形硬件加速器，可在最小CPU负载下增强图形用户界面。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。 LCD TFT控制器，支持高达XGA分辨率

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￥61.04
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型号：PIC24FJ256GB106T-I/PT 编号：C32382

封装：TQFP-64(10x10)

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型号：STM32F722VCT6 编号：C1337584

封装：LQFP-100(14x14)

特性：32位Cortex-M7 CPU，带FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator）和L1缓存：8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216 MHz，具备MPU，462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达512KB的闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节的OTP存储器。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据TCM RAM） + 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。

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￥62.44
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￥59.7
30+
￥58.03
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￥56.64

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型号：S912ZVML12F3MKHR 编号：C3228037

封装：TQFP-64(10x10)

混合信号系统有助于构建强大而可靠的解决方案，因为它们具有成本效益，并且提供更高的性能、低功耗和紧凑的设计。S12 MagniV微控制器系列基于成熟的S12技术提供全面的解决方案。通过将高压（HV）模拟功能集成到标准汽车MCU中，S12 MagniV系列有助于提高制造效率并降低材料清单成本，从而简化系统设计。S12 MagniV MCU将16位S12和S12Z MCU内核与HV模拟外设相结合，提供更简单、更小的解决方案

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￥53.66
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￥43.0155 ￥43.45

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型号：MC56F8037VLH 编号：C252163

封装：QFP-64(10x10)

原FREESCALE(飞思卡尔)

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￥56.74
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型号：STM32F429BGT6 编号：C122914

封装：LQFP-208(28x28)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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型号：TMS320F28069PNT 编号：C544304

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28069 具有 90MHz 频率、FPU、VCU、256KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

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￥60.67
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型号：STM32H7A3VIT6 编号：C730222

封装：LQFP-100(14x14)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 2MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、1376 KB SRAM、280 MHz CPU、L1 缓存、图形加速、外部存储器接口、SMPS 和大量外设

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￥64.05
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型号：PIC18F242-I/SP 编号：C643415

封装：SPDIP-28