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特性:Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
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  • 特性:核心:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和三级流水线,指令集扩展。 存储器:程序存储器:8 Kbyte闪存,在55°C下经过100个周期后数据可保留20年。RAM:1 Kbyte。数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写/擦除循环。 时钟、复位和电源管理:2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器
    数据手册
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源:VDD = 2.4V至3.6V
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M0 CPU,频率高达 48 MHz。 内存:16 至 64 KB 的闪存,4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:电压范围 2.4V 至 3.6V,上电/掉电复位(POR/PDR),低功耗模式(睡眠、停止、待机)。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器,32 kHz 带校准的 RTC 振荡器,内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL,内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O,均可映射到外部中断向量
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    • 1+

      ¥5.46
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      ¥3.33
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 存储器:256至512 Kbytes的闪存,高达64 Kbytes的SRAM,带有4个片选的灵活静态存储器控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器,LCD并行接口,8080/6800模式。
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  • 特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8 Kbyte闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM:1 Kbyte。 数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写入/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC
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      ¥1.42
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃。存储器:128 KB带保护的闪存;36 KB SRAM(32 KB带硬件奇偶校验)。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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  • 特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道),转换范围:0至3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPI、I²C和USART
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  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存,高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM,灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
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    • 1080+

      ¥14.37
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存,高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM,灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。
    数据手册
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    • 1000+

      ¥13.83
  • 有货
  • 特性:工作条件:工作电源:1.8V至3.6V。温度范围: -40℃至85℃。 低功耗特性:5种低功耗模式:等待、低功耗运行(5.1μA)、低功耗等待(3μA)、带RTC的活动暂停(1.3μA)、暂停(350nA)。每个I/O超低泄漏:50nA。从暂停模式快速唤醒:5μs。 先进的STM8内核:哈佛架构和3级流水线
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
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    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • 特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和三级流水线,指令集扩展。 中密度闪存/EEPROM:程序存储器为32 KB闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年;数据存储器为128字节真正的数据EEPROM,可承受高达100k次写/擦除周期。 RAM为2 KB。 2.95V至5.5V工作电压。 灵活的时钟控制,4个主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调节的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
    数据手册
    • 1+

      ¥5.07
    • 10+

      ¥4.22
    • 30+

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    • 250+

      ¥3
    • 500+

      ¥2.84
    • 1000+

      ¥2.75
  • 有货
  • 特性:16 MHz 先进的 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8 Kbytes Flash,在 55℃ 下 10 kycles 后数据保留 20 年。 数据存储器:640 bytes 真正的数据 EEPROM,耐久性 300 kycles。 RAM:1 Kbytes。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的 16 MHz RC、内部低功耗 128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥5.36
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    • 1000+

      ¥3.22
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.67
    • 10+

      ¥4.72
    • 30+

      ¥4.05
    • 250+

      ¥3.5
    • 500+

      ¥3.32
    • 1000+

      ¥3.22
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围:1.7 V至3.6 V
    数据手册
    • 1+

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      ¥5.31
    • 30+

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      ¥4.04
    • 490+

      ¥3.82
    • 980+

      ¥3.71
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃。存储器:128 KB带保护的闪存;36 KB SRAM(32 KB带硬件奇偶校验)。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥7.9
    • 10+

      ¥6.89
    • 30+

      ¥5.94
    • 100+

      ¥5.22
    • 500+

      ¥4.93
    • 1000+

      ¥4.79
  • 有货
  • 特性:工作范围: 电压范围:2.7 至5.5 V。 Flash 编程电压范围:2.7 至5.5 V。 温度范围(环境):-40 至125°C。 性能: 最高48 MHz 的ARM Cortex-M0+ 内核。 单周期32 位 x 32 位乘法器。 单周期I/O 访问端口
    数据手册
    • 1+

      ¥15.66
    • 10+

      ¥13.72
    • 30+

      ¥12.34
    • 100+

      ¥10.1376 ¥10.24
    • 500+

      ¥9.5634 ¥9.66
    • 1000+

      ¥9.3357 ¥9.43
  • 有货
    • 1+

      ¥17.41
    • 10+

      ¥15.01
    • 30+

      ¥13.79
    • 100+

      ¥12.15
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