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首页 > 热门关键词 > silan驱动芯片
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N沟道,800V,7A,1.55Ω@10V
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  • 1+

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  • N沟道,600V,7A,1.2Ω@10V
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    • 1+

      ¥2.33
    • 10+

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    • 50+

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    • 100+

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  • 有货
  • SVF4N70F/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    • 5+

      ¥2.3677
    • 50+

      ¥1.8644
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      ¥3.45
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    • 1+

      ¥3.78
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    • 50+

      ¥2.74
    • 100+

      ¥2.4
  • 有货
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      ¥4.56
    • 10+

      ¥3.66
    • 30+

      ¥3.21
    • 100+

      ¥2.77
  • 有货
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      ¥18.02
    • 30+

      ¥15.06
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  • SDM30G60FC是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如工业伺服器、空调、低功率变频器等。其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管。SDM30G60FC内部集成了欠压、短路等各种保护功能,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SDM30G60FC采用了高绝缘和易导热设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的场合。
    数据手册
    • 1+

      ¥78.57
    • 10+

      ¥66.18
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  • 有货
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    • 50+

      ¥0.4661
    • 150+

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  • 有货
    • 1+

      ¥1.0855
    • 10+

      ¥0.8587
    • 30+

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  • 有货
    • 1+

      ¥1.0904
    • 10+

      ¥0.8485
    • 50+

      ¥0.7448
  • 有货
    • 1+

      ¥1.0928
    • 10+

      ¥0.8509
    • 50+

      ¥0.7472
  • 有货
  • SVF2N60M/F/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F-cellTM结构DMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1737
    • 50+

      ¥0.9217
    • 150+

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    • 525+

      ¥0.6722
    • 2475+

      ¥0.6122
    • 4500+

      ¥0.5762
  • 订货
    • 5+

      ¥1.2906
    • 50+

      ¥1.0134
    • 150+

      ¥0.8946
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  • N沟道,600V,2A,3.7Ω@10V
    数据手册
    • 85+

      ¥3.234902
    • 200+

      ¥2.875469
    • 500+

      ¥2.3483
    • 1000+

      ¥2.012828
    单级原边控制高功率因素LED驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥2.158
    • 10+

      ¥1.6792
    • 30+

      ¥1.474
  • 有货
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      ¥2.07
    • 50+

      ¥1.67
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      ¥1.37
  • 有货
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    • 50+

      ¥3.8
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  • 24W开关电源芯片
    数据手册
    • 1+

      ¥4.34
    • 10+

      ¥3.47
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    • 100+

      ¥2.61
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    • 50+

      ¥3.35
    • 100+

      ¥2.92
  • 有货
  • SVF18N65F/T/PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥5.11
    • 50+

      ¥4.66
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5821
    • 50+

      ¥0.4621
    • 150+

      ¥0.4021
    • 500+

      ¥0.3571
  • 有货
    • 5+

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    • 50+

      ¥0.9213
    • 150+

      ¥0.8133
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2881
    • 50+

      ¥0.9502
    • 150+

      ¥0.8314
  • 有货
    • 5+

      ¥1.3376
    • 50+

      ¥1.0503
    • 150+

      ¥0.9272
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    • 10+

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