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描述

价格(含税)

库存

操作

型号：SD6824D 编号：C601634

封装：DIP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥2.736 ￥4.56
10+
￥1.845 ￥3.69
30+
￥1.304 ￥3.26
100+
￥1.132 ￥2.83
500+
￥1.032 ￥2.58
1000+
￥0.976 ￥2.44

有货

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型号：SVF6N60D 编号：C68778

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：SILAN(士兰微)

N沟道,600V,6A,1.5Ω@10V

数据手册

1+
￥2.81
10+
￥2.18
30+
￥1.91
100+
￥1.57

有货

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型号：SVF840F 编号：C601613

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVF840F/D/S/MJ/FD是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.66
50+
￥2.4
100+
￥2.08
500+
￥1.93
1000+
￥1.85

有货

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型号：SVF10N65CF 编号：C467742

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVF10N65CF/K/FJH 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

1+
￥4.22
10+
￥3.4
50+
￥2.99

有货

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型号：SDH8654B 编号：C2975178

封装：DIP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥4.44
10+
￥3.57
50+
￥3.14
100+
￥2.71

有货

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型号：SVS20N60FJD2 编号：C2761792

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥6.77
10+
￥5.64
50+
￥4.78

有货

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型号：SVF4N150PF 编号：C601620

封装：TO-3PF

品牌：SILAN(士兰微)

SVF4N150PF(P7)(F) 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F-CellTM 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于电源领域

数据手册

1+
￥15.91
10+
￥13.5
30+
￥11.75

有货

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型号：SDH7611ASHTR 编号：C601596

封装：SOP-7

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

5+
￥0.6369
50+
￥0.6225
150+
￥0.6129

有货

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型号：SDH6981RTR 编号：C601600

封装：SOP-8

品牌：SILAN(士兰微)

数据手册

1+
￥1.0855
10+
￥0.8587
30+
￥0.7615

有货

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型号：SVF2N60M 编号：C2897742

封装：TO-251-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVF2N60M/F/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-cellTM结构DMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

数据手册

5+
￥1.1737
50+
￥0.9217
150+
￥0.807

有货

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型号：SVF4N70F 编号：C403823

封装：TO-220F

品牌：SILAN(士兰微)

SVF4N70F/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

5+
￥2.3677
50+
￥1.8644
150+
￥1.6487

有货

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型号：SD6832 编号：C79099

封装：DIP-8

品牌：SILAN(士兰微)

内置650V功率场效应管，电源适配器芯片。10W左右适用。

数据手册

1+
￥2.49
10+
￥1.94
50+
￥1.7

有货

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型号：SVF4N65RMJ 编号：C601626

封装：TO-251

品牌：SILAN(士兰微)

SVF4N65RD/M/MJ/F/T 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用士兰微电子专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术生产。改进的工艺和单元结构经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。这些器件广泛应用于交直流电源、直流转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。

数据手册

1+
￥2.5608 ￥2.91
10+
￥1.8018 ￥2.31
30+
￥1.394 ￥2.05
75+
￥1.1764 ￥1.73
525+
￥1.0744 ￥1.58
975+
￥1.02 ￥1.5

有货

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型号：SVF10N60F 编号：C171703

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

N沟道,600V,10A,0.75Ω@10V

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥2.69
50+
￥2.37

有货

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型号：SVF18N65F 编号：C601616

封装：TO-220

品牌：SILAN(士兰微)

SVF18N65F/T/PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

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