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N沟道 650V 4A
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      ¥1.3786
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  • SVF4N90F/MJJ/T/D是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F - CellTM高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
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      ¥3.13
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      ¥2.17
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  • SVF10N65T/F/K/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    • 1+

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  • SVT042R5NL5(T) 是一款采用先进 LVMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻和提供卓越的开关性能进行了优化。该器件广泛应用于不间断电源(UPS)、逆变器系统的电源管理领域
    数据手册
    • 1+

      ¥4.4
    • 10+

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  • SVF20NE50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.34
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  • SVF4N150PF(P7)(F) 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F-CellTM 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于电源领域
    数据手册
    • 1+

      ¥17.9
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      ¥13.22
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    • 150+

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    • 100+

      ¥0.312 ¥3.12
    • 500+

      ¥0.283 ¥2.83
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      ¥0.269 ¥2.69
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  • N沟道,600V,5A,2.15Ω@10V
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      ¥1.2173
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  • 非隔离电源芯片,12V,15V,18V 输出电压三档可调
    数据手册
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      ¥1.9014
    • 50+

      ¥1.493
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      ¥1.318
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      ¥1.0996
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      ¥1.5452
  • 有货
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      ¥1.1084 ¥3.26
    • 100+

      ¥0.9622 ¥2.83
    • 500+

      ¥0.8772 ¥2.58
    • 1000+

      ¥0.8296 ¥2.44
  • 有货
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      ¥5.12
    • 10+

      ¥4.13
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      ¥3.63
  • 有货
  • SVF20N50F/PN 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 结构 VDMOS 技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器中
    • 1+

      ¥5.56
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      ¥6.09
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  • SD15M60AC是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动器,适用于空调、洗碗机和工业缝纫机等低功率逆变器驱动。它内置了六个低损耗IGBT和三个高压高速半桥栅极驱动器。集成的欠压、短路和过温保护功能使电路能在较宽范围内安全工作
    数据手册
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      ¥38.19
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      ¥35.47
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      ¥34.38
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