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SVG103R0NT(S)(KL)(S6)(P7) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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    ¥4.28
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  • VF23N50PN是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC - DC电源、DC - DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
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  • SD4943 是开关降压型DC-DC 转换芯片,用于20V~150Vdc 输入,持续输出电流0.5A,输出瞬间的峰值电流可达0.8A。 SD4943 最小开关频率2KHz,最大开关频率120KHz,具有降频功能,进一步优化轻载条件下的转换效率。具有软启动功能,能够减小器件的应力,防止电感饱和。
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      ¥1.0726
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  • 有货
  • SVD9Z24NT是一款P沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用士兰平面VDMOS工艺制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于推挽放大器、高端开关电路、CMOS功率放大器
    数据手册
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      ¥1.6726
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  • 有货
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      ¥1.41
    • 500+

      ¥1.35
  • 有货
  • SVDZ24NT是一款采用矽力杰新型平面VDMOS工艺制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源
    数据手册
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      ¥1.7671
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      ¥1.4074
    • 150+

      ¥1.2325
    • 500+

      ¥1.0142
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  • SVF7N65T/F/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
    数据手册
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      ¥2.1266
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      ¥1.7804
    • 150+

      ¥1.5944
  • 有货
  • SVT085R5NT/S/L5/KL 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用的 LVMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,并提供出色的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源和逆变器系统电源管理领域
    数据手册
    • 1+

      ¥3.75
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      ¥2.69
  • 有货
  • SVF20N60F是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F- Cell结构VDMOS技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
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      ¥6.73
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  • 有货
  • SD20M60AC 是高度集成、高可靠性的3 相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6 个低损耗的IGBT 管和3 个高速半桥高压栅极驱动电路。SD20M60AC 内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SD20M60AC 采用了高绝缘、易导热的设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的应用场合。
    数据手册
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      ¥51.5
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      ¥45.08
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  • 有货
  • SVF840F/D/S/MJ/FD是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,采用专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.73
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    • 500+

      ¥1.92
  • 有货
  • SVT044R5NT/D/L5是一款采用低电压MOS(LVMOS)技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于不间断电源(UPS)和逆变器系统的电源管理领域
    数据手册
    • 1+

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      ¥1.83
  • 有货
  • SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
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    • 1+

      ¥7.19
    • 10+

      ¥6.16
    • 50+

      ¥5.6
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  • 有货
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  • 有货
    • 1+

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      ¥9.72
    • 30+

      ¥8.65
    • 90+

      ¥7.55
  • 有货
  • SD30M60AC 是高度集成、高可靠性的3 相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。其内置了6 个低损耗的IGBT 管和3 个高速半桥高压栅极驱动电路。SD30M60AC 内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。SD30M60AC 采用了高绝缘、易导热的设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的应用场合。
    数据手册
    • 1+

      ¥79.5
    • 10+

      ¥71.27
    • 30+

      ¥65.15
  • 有货
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      ¥0.9944
    • 50+

      ¥0.8684
    • 150+

      ¥0.8144
    • 500+

      ¥0.747
    • 2500+

      ¥0.717
  • 有货
  • N沟道,650V,4A,2.7Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6656
    • 50+

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    • 150+

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