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  • SVF4N65RD/M/MJ/F/T 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用士兰微电子专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术生产。改进的工艺和单元结构经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能够承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。这些器件广泛应用于交直流电源、直流转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。
    数据手册
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  • SVS11N65D/F/S/FJD2是一款采用超结MOS技术制造的N沟道增强型高压功率MOSFET。它实现了低传导损耗和开关损耗,能助力设计工程师打造出高效、高功率密度且散热性能卓越的电源转换器。
    数据手册
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  • N沟道 600V 1A
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  • 订货
  • 高精度±3%、低成本,PSR LED恒流驱动器
    数据手册
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  • N沟道,600V 30mA,编带
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  • 单级原边控制高功率因素LED驱动IC
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  • 订货
  • SVF4N65F/M/MJ/D 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用专有的 F 型元胞结构 VDMOS 技术制造。改进后的工艺和元胞结构经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供出色的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器
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