英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRS21271STRPBF 编号：C476118

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：IRS2127STRPBF 编号：C2676915

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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型号：1EDN7550UXTSA1 编号：C3655811

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动 IC 的 TDI 系列产品。TDI 系列具备全差分输入电路。真正的差分输入（TDI）提供出色的共模抗扰度（CMR），并消除误触发风险

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型号：IRS4428STRPBF 编号：C538362

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是低电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。两个通道之间的传播延迟匹配。

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￥5.4454 ￥14.33
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型号：1EDI20I12AF 编号：C533014

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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型号：IRS2181STRPBF 编号：C67284

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：IRS2011STRPBF 编号：C83840

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：2EDB9259YXUMA1 编号：C17432716

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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型号：2EDF7235KXUMA1 编号：C2677067

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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型号：2ED2182S06FXUMA1 编号：C1850289

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时，仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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型号：IR2301PBF 编号：C537623

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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￥16.1616 ￥19.24
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￥13.9268 ￥18.82
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型号：TLE62083GXUMA1 编号：C126689

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 6208 - 3 G是一款全保护型三半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件基于西门子的SPT功率技术，允许双极和CMOS控制电路与DMOS功率器件集成在同一单芯片电路中。在运动控制中，最多可将2个执行器（直流电机）连接到3个半桥输出端（级联配置）

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￥18.0916 ￥29.18
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型号：2EDR7259XXUMA1 编号：C17373399

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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型号：2EDB7259YXUMA1 编号：C17625126

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IR2101PBF 编号：C2955

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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型号：IR3550MTRPBF 编号：C537667

封装：PQFN-32(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3550集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET共同封装。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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型号：IR2113PBF 编号：C2973

封装：DIP-14

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V

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￥21.24
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型号：IR35412MTRPBF 编号：C537664

封装：SMD,6x5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

新的集成功率级将最先进的低压MOSFET技术与最新的驱动器设计相结合。这些技术集成到成熟的多芯片PQFN封装中，为客户提供了用于管理处理器电源的一流高效设备。双边缘调整死区时间可显著提高峰值效率。内部MOSFET RDS(on)电流检测（通过专用开尔文接地连接）和集成温度补偿，与电感DCR检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。新一代集成功率级还提供具有可编程阈值和故障标志的逐周期过流保护。此外，可编程恒定电流限制OCSET允许用户设置特定的电流限制。欠压锁定（UVLO）保护支持系统启动期间的稳定运行。针对服务器、电信和数据通信应用中的CPU核心以及GPU和DDR内存电源进行了优化。

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￥27.3385 ￥37.45
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型号：2ED1322S12MXUMA1 编号：C20189641

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。

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型号：1EDN7116GXTMA1 编号：C3654881

封装：VSON-10

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，优化用于驱动英飞凌CoolGaN™ SG HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET。该栅极驱动器包含几个关键特性，可实现使用快速开关晶体管的高性能系统设计，包括真差分输入（TDI）、四种驱动强度选项、有源米勒钳位、自举电压钳位和可调电荷泵。

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型号：1EDN7136UXTSA1 编号：C5484766

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

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型号：1EDN6550BXTSA1 编号：C5481755

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动器 IC 的 TDI 系列产品。TDI 系列具备全差分输入电路。真正的差分输入（TDI）提供出色的共模抗扰度（CMR），并消除误触发风险

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型号：1EDN7512B 编号：C153236

封装：SOT-23-5

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDN7x/1EDN8x 是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和普通电平 MOSFET，支持 OptiMOS、CoolMOS、标准电平 MOSFET、超结 MOSFET，以及 IGBT 和 GaN 功率器件。控制和使能输入与 LV-TTL 兼容（CMOS 3.3 V），输入电压范围为 -5 V 至 +20 V

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型号：2EDN8524R 编号：C533089

封装：TSSOP-8-EP-3.0mm

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：IR3537MTRPBF 编号：C537661

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3537/CHL8510 是一款高效率栅极驱动器，可以切换同步降压转换器中的高侧和低侧 N 沟道外部 MOSFET。它旨在与国际整流子的数字 PWM 控制器一起使用，为当今先进的计算应用提供完整的电压调节器 (VR) 解决方案。IR3537/CHL8510 低侧驱动器能够快速切换具有低 RDS(on) 和大输入电容的大型 MOSFET，用于高效率设计。IR3537/CHL8510 具有对外部 MOSFET 中高侧和低侧栅极驱动电压从 4.5V 到 13.2V 的独立控制。这使得能够优化外部 MOSFET 中的开关和导通损耗。当与 IR 专有的可变栅极驱动 (VGD) 技术一起使用时，在整个负载范围内可以观察到效率的显著提高。IR3537/CHL8510 可以配置为从独特的 IR 快速主动三电平 (ATL) PWM 信号或通用的三态 PWM 模式驱动高侧和低侧开关。IR ATL 模式允许控制器在不到 30ns 的时间内禁用高侧和低侧 FET，而无需专用禁用引脚。这提高了 VR 瞬态性能，尤其是在负载释放期间。集成的自举二极管减少了外部元件数量。IR3537/CHL8510 还具有自适应非重叠控制，用于防止直通保护。这可以防止高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导，并最大程度地减少体二极管导通时间，从而提供一流的效率。

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￥4.2 ￥5
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￥3.626 ￥4.9
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￥3.0848 ￥4.82
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￥3.04 ￥4.75

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型号：2EDL05N06PF 编号：C2676912

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，离线钳位功能在 IC 未供电时，通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。

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1+
￥4.84
10+
￥4.72
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￥4.64
100+
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型号：IRS25752LTRPBF 编号：C538346

封装：SOT-23-6

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS25752是一款高端单通道栅极驱动IC，具备600V阻断和电平转换能力。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS25752具有较宽的VCC电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或 -VS开关环境下具有出色的抗干扰能力

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￥6.38
10+
￥5.26
30+
￥4.64
100+
￥3.94

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型号：IR25606STRPBF 编号：C537639

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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￥7.1064 ￥8.46
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￥6.1198 ￥8.27
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￥5.216 ￥8.15
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￥5.1392 ￥8.03

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型号：IRS2001STRPBF 编号：C495819

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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￥7.16
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￥6.99
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型号：2ED2304S06F 编号：C533055

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。

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